【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽３０２と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード３１８と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置３０６を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】めっき槽からのコーティングで物品をめっきするための装置および方法を提供する。
【解決手段】めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっきが塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】電流が集中するシリンダボアの開口端部における花咲きを抑制するとともに、均一なめっき層を形成可能なシリンダブロックのめっき処理装置およびシリンダブロックのめっき処理方法を提案する。
【解決手段】めっき処理装置１は、シリンダボア１０２を形成する円筒形状のシリンダ内周面１０３を有するシリンダブロック１０１を載置自在な載置台３と、シリンダボア１０２内に配置されシリンダ内周面１０３との間に環状の処理液流路４を形成する筒状電極６と、シリンダボア１０２の一方側の開口縁に当接されシリンダ内周面１０３に比べて小径な開口を有し処理液流路４の断面積を絞る環状のシール部材２１と、シリンダボア１０２の他方側にめっき処理液１１を送給し処理液流路４の他方側から一方側に向けてめっき処理液１１を流動させる処理液循環装置１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部品の本体の機械的、化学的特性は維持しつつ、その表面にのみ持続的な低摩擦性摺動層、すなわち自己潤滑性皮膜を有するセラミックス構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス構造体の所定の表面に高融点金属法により密着性に優れた金属皮膜を形成し、前記金属皮膜上にめっき法により中間保護層としてニッケルめっき層を形成し、前記中間保護層上にめっき法によりニッケル・二硫化モリブデン共析物皮膜層を形成して、セラミック構造体の表面に密着性に優れた自己潤滑性皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ステンレス箔のＮｉめっき装置においてラインスピードを低下さることなく生産性を維持して高品質を確保することのできる通電ロール及びその通電ロールを用いためっき装置を提供することである。
【解決手段】ステンレス箔にＮｉめっきを施す電気めっき装置において、その表面に貴金属皮膜を形成したことを特徴とするＮｉ電気めっき装置用通電ロールであり、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔからなる群より選択される少なくとも１種類以上の貴金属で被覆される。 （もっと読む）

【課題】ネジ部材の基材表面に摩擦係数が小さく摺動特性に優れるカーボンナノ材料を含有する被覆層を形成した高性能、高品質のネジ部材を提供する。
【解決手段】ネジ、ナット、ボルト、ワッシャを含むネジ部材において、前記ネジ部材をカーボンナノ材料１と亜鉛成分２を含む電解浴中にて負電極として電解し、前記ネジ部材の基材Ｓの表面にカーボンナノ材料１と亜鉛成分２を含有する被覆層を析出させ、低摩擦性の複合被覆層３を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
物品との接触面積を小さくすることにより、摩擦抵抗を小さくして、物品のスムーズな移送を可能とすると共に、クロムめっき表面の低摩擦特性、耐摩耗性を維持しながら、防汚性、洗浄性をより向上させたガイド部材を提供する。
【解決手段】
金属母材１の表面がクロム化合物で電気めっきされており、表面粗さがＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１規定による算術平均粗さＲａで０．３〜５μｍである梨地面のクロムめっき層２を有するガイド部材であって、該クロムめっき層２の表面をポリシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）のストレートシリコン樹脂３で皮膜形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は前記課題を解決するためのものであり、圧電振動子の製造工程において気密端子の金属環表面に形成されたメッキ部が溶融された場合においても、圧電振動子のリークや封止管と水晶片の接触による不良が発生しない圧電振動子を提供するものである。
【解決手段】金属環に絶縁部材が充填され、この絶縁部材にリード端子が貫通固定された気密端子と、前記気密端子の上部側の前記リード端子に搭載された圧電振動片と、前記気密端子の金属環表面に形成された軟質金属を介して前記気密端子に圧入され、前記圧電振動片を気密に封止する封止管よりなる圧電振動子において、前記圧電振動子の製造過程に加わる熱により溶融された前記軟質金属が流れ込むメッキ流入部を、前記金属環の下部に形成した圧電振動子とする。 （もっと読む）

【課題】ウエフアーのめっき膜の厚さを均一にする。
【解決手段】アノード電極３２と、前記アノード電極３２と対向するカソード電極１８を備えたウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダー１０が装着されるカソードホルダー３と、該カソードホルダー３に設けられ、前記ウエフアーホルダー１０に保持されたウエフアーＷの外周部Ｗ１側に位置する第1カソード補助電極５と、を備えた電気めっき装置であって；前記第1カソード補助電極５の外側に間隔をおいて第2カソード補助電極６を設ける。
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【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】ワークのマスクしたい領域に表面処理が回り込むことを防止できるマスキング治具を提供する。
【解決手段】ワーク１００に接触して電気的導通を行う第１の導通部１１ａと、第１の導通部１１ａがワーク１００に接触した状態で、ワーク１００の接合面１００ａに弾性変形して接触し、接合面１００ａをシールするゴムリング１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】シールパッキンの締め付け作業が容易で且つシールパッキンの外周近傍に均一に締め付け力を作用させることができる半導体ウエハのメッキ治具を提供する。
【解決手段】半導体ウエハのメッキ治具110は第１保持部材111と第２保持部材112と係止部114bを有する固定リング114とを具備する。第１保持部材111と第２保持部材112との間に半導体ウエハ116を着脱可能に保持することができる。第１保持部材111及び第２保持部材112の何れかには、固定リング114の係止部114bに係脱可能に係止することができる被係止部120が設けられている。固定リング114が固定位置にある場合には固定リング114の係止部114bと被係止部120とが係脱可能に係止することにより第１保持部材111及び第２保持部材112が固定される。 （もっと読む）

【課題】 ワークを段積みして電気めっきにより一括してめっき皮膜を形成するに際し、より均一な膜厚及び膜質を得られると共に、より短時間でめっき皮膜を形成し得るマスキング部材及びめっき方法を提供すること。
【解決手段】 貫通した開口部を有するワークＷを、当該開口部が互いに連通するように複数段積みにして各々の前記ワークの前記開口部の内周面にめっき皮膜を電気めっきにより一括析出する際に、隣接する前記ワーク間に液密に介挿されるマスキング部材１０において、前記開口部と略同形状の穴部と、前記穴部を規定する端縁１２の両側部にそれぞれ形成され、当該端縁の両側部を前記ワークと離間させる切り欠き１３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）