【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】主体金具におけるめっき層の剥離を抑制し、耐食性に優れたスパークプラグを提供する。
【解決手段】スパークプラグ１００に用いられる主体金具１の基材１ａと、電極２０２ａ，２０２ｂとを互いに離間した状態でアルカリ性溶液に浸漬させて通電させる電解洗浄を、２つの電解浴槽２０１ごとに順番に実行する。このとき、第１の電解浴槽２０１で行われる１回目の電解電解洗浄処理としては陽極電解洗浄を行い、第２の電解浴槽２０１で行われる２回目の電解電解洗浄処理としてはＰＲ電解洗浄を行う。こうした２回の電解洗浄処理の後に、主体金具１の基材１ａ外表面にめっき層を形成することにより、主体金具１における下地とめっき層との密着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１ａに半導体素子の表面電極２が形成され、裏面１ｂに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ１を用意する工程と、半導体ウェハ１の表面電極２にめっき層３を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極２と半導体ウェハ１の側面１ｃとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面１ｂの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ１をめっき液に浸してめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１〜０．３μｍである電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】軸体上に形成されためっき皮膜の厚さの均一性に優れる、めっき皮膜を有する軸体の製造方法および軸体上に亜鉛系めっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】軸体８の被めっき部を内包し両端部が鉛直方向に開口する中空部を有する管状の管状部材７、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口の上方に設けられ前記軸体を前記中空部内に保持する支持手段１、前記中空部の鉛直方向下側端部の開口から前記中空部内にめっき液を供給するめっき液噴流手段、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口近傍に設けられ前記めっき液噴流手段により前記中空部内に供給されためっき液を前記管状部材外に排出可能にする排出構造９、および前記排出構造を通じて前記管状部材から排出されためっき液を前記めっき液噴流手段に供給する環送手段を備え、前記支持手段は前記軸体と電気的に接続可能な接点部２を備え、前記管状部材はその中空部に不溶性陽極を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線位相コントラストイメージング用の高アスペクト比グリッドの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０６に高アスペクト比の凹部３０２を形成すると共に、凹部底表面にメッキ金属の初期成長サイトの生成を凹部側表面よりも促進するための表面プロファイル特徴部を形成する。その後、メッキにより金属を凹部に充填する。金属が充填された高アスペクト比の凹部を、Ｘ線位相コントラストイメージング装置においてＸ線格子として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 カルボン酸類、環状エステル類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

【課題】 従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の透過率が高い透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面２８に複数の凸部３０を形成する工程と、複数の凸部の間に金属を充填して金属構造体１を形成する工程と、複数の凸部の頂面３１と、基板の第１の面と対向する基板の第２の面２９のうち複数の凸部の頂面３１に対向する部分３２と、にはさまれた領域の少なくとも一部をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 袋状の微細管の内壁面に対しても、貫通孔を設けることなく均一なメッキ膜を形成することが可能な方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 本方法は、真空雰囲気内に配置された微細管にプラズマを照射することにより、内外壁面の不純物を除去するプラズマ洗浄工程と、不純物が除去され内空間に空気が残留していない状態の真空雰囲気内の微細管を脱脂液に浸漬させ、真空雰囲気を大気圧雰囲気に置換することにより、微細管の内空間の全体に脱脂液を注入し、微細管の内壁及び外壁の脱脂処理を行う脱脂工程とを含む。本方法は、さらに、脱脂された微細管の少なくとも内空間に空気が入らないようにしながら脱脂液を洗浄液に置換し、微細管を洗浄する脱脂液洗浄工程と、洗浄された微細管の少なくとも内空間に空気が入らないようにしながら洗浄液をメッキ液に置換し、微細管にパルスリバース電気メッキ処理を行うメッキ工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するＳｎ系めっき材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき材１０は、金属基材１１、金属基材１１上に形成された下地めっき１２、下地めっき１２上に形成されたＡｇを含むＳｎ系めっき１３を備える。Ｓｎ系めっき材１０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ｓｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Sn）及びＡｇの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Ag）がＳｎ系めっき１３表面からＤ_Sn、Ｄ_Agの順で存在し、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＡｇが１〜２００μｇ／ｃｍ²であり、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＳｎが２〜２２０μｇ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】シード層を必要とせず、簡素な工法で製造でき、高導電性、鏡面導体接着及び高信頼な導体接着強度のフレキシブル配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板であって、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】アノードにおける反応で発生した酸素によって白金触媒が酸化されて触媒能が低下することを抑制し、それにより固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極の寿命を延ばすことができる製造方法を提供する。
【解決手段】固体高分子電解質膜１の両面に、白金イオンの還元により析出した白金を含む触媒層２が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に金層３が形成されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極とする。アノードとなる触媒層の表面上の少なくとも給電体接触部に、酸化還元電位の高い金層が形成されているので、触媒層に含まれる白金の酸化を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイリップ部の割れや欠けを抑制し、加工精度を向上させたクロム層を有する金属材、およびその製造方法、並びに該金属材を使用したダイを提供する。
【解決する手段】上記ダイは、金属母材１０表面にクロム層１２を形成し、該クロム層１２表面に摩擦攪拌プロセスを施すことにより、クラック密度の小さいクロム層を形成させる。 （もっと読む）

【課題】めっき槽からのコーティングで物品をめっきするための装置および方法を提供する。
【解決手段】めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっきが塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を有するとともに、はんだ濡れ性が劣化しない電極を有する電子部品を得る。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金層がそれぞれ形成されている。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂと第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとの界面には、Ｎｉ₃Ｓｎ₄からなる金属間化合物層２６ａ、２６ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有するアルミニウム材を提供する。
【解決手段】マグネシウム含有量が１重量％以上８重量％以下、ケイ素含有量が０．０００１重量％以上０．０２重量％以下、鉄含有量が０．０００１重量％以上０．０３重量％以下であり、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、鉄以外の元素の含有量が、それぞれ０．００５重量％以下であり、かつ、アルミニウム、マグネシウム以外の元素の含有量の合計が、０．１重量％以下であるアルミニウム合金を表面処理してなるアルミニウム材。該アルミニウム材は、酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有すため、建築材料、自動車材料、電池、キャパシタなどの蓄電デバイス材料、燃料電池用セパレータや筐体などとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜１０は、Ａｕ_{（１００−ｘ−ｙ）}−Ｍ_ｘ−Ｃ_ｙからなる。ただし、ＭはＡｕ以外の金属元素であり、１≦ｘ≦２２、かつ、３≦ｙ≦３０、かつ、４≦（ｘ＋ｙ）≦４０である。めっき液５０は、Ａｕイオンと、Ｎｉイオンと、くえん酸（Ｃｉｔ）イオンと、ＣＮイオンと、を含む。 （もっと読む）