【課題】プレス打抜き等により所望の複雑な形状に加工された後の、めっき焼けがなく、大量のスラッジ及び泡が発生せず、めっき付着性の良好な高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：３０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤として親水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．５〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、クミルフェノールＥＯ付加物：０．０２５〜２．５ｇ／ｌ、酸化防止剤としてピロガロール或いはハイドロキノン：０．３〜１０ｇ／ｌ、消泡剤として疎水性ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー：０．０５〜１ｇ／ｌを含有する。 （もっと読む）

【課題】銅被覆ポリイミド基板の銅めっき被膜層の厚み分布の均一性を向上させる銅被覆ポリイミド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シード層付長尺ポリイミドフィルム２を幅方向が略水平方向になるように搬送してシード層の表面に、複数の不溶解性陽極１４を用い、搬送方向に対して段階的に電流密度を上昇させる湿式めっき法を用いて銅めっき被膜層を成膜する銅被覆ポリイミド基板２の製造方法で、その複数の不溶解性陽極１４の中で印加される電流の電流密度が３５ｍＡ／ｃｍ^２以上となる不溶解性陽極１４は、その不溶解性陽極１４の上端から下端に向かって少なくとも４０ｃｍの位置までは、銅被覆ポリイミド基板２の銅めっき被膜層幅の８０％〜９０％の陽極幅を有し、さらに複数の不溶解性陽極１４が、搬送方向において電気的に２群以上に分割され、かつ分割されたそれぞれの不溶解性陽極が、各群毎に独立して電流密度が制御されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非貫通孔内、貫通孔内へのめっき充填と同時に被めっき面にめっき膜を薄く形成できる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触した部分では、電解めっき膜３６の成長が遅くなる。即ち、絶縁体２０Ａ、２０Ｂにより鉄イオンがめっき界面に強制的に供給され、３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに成る還元反応が起こり、銅の析出を抑える。絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 （もっと読む）

キャリア銅箔層と、キャリア銅箔層の一表面に形成されたバリヤー層と、バリヤー層の表面に形成されたシード層と、からなり、バリヤー層は、ニッケルまたはニッケル合金層であり、シード層は、銅層であり、シード層の表面の平均粗度は、Ｒｚ：１．５μｍ未満、Ｒｍａｘ：２．５μｍ未満であるエンベデッドパターン用銅箔を提供する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性、耐熱性に優れる樹脂基板との高耐熱密着性を兼ね備える銅箔を提供することである。
【解決手段】本発明の高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔は、未処理銅箔の一方の表面に金属銅による一次粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による二次粗化処理が施された二次粗化面、金属亜鉛による三次処理が施された三次処理面が順に設けられている。
本発明の回路基板は前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層してなる基板である。
本発明の銅張積層基板の製造方法は、前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔と、耐熱性を有する樹脂基板とを熱圧接し、前記粗化処理した金属銅と前記金属亜鉛からなる三次処理面を合金化（して真鍮と）するものである。 （もっと読む）

【課題】化成処理後の導電性と耐食性が共に優れた化成処理電気亜鉛めっき鋼板を、工業レベルでの安定した生産が可能な製造方法と共に提供する。
【解決手段】電気亜鉛めっき層の最大高さ粗さ（Rz）が0.6〜1.1μm（但し、カットオフ値：0.01mm）で、かつ該電気亜鉛めっき層の該化成処理皮膜に対する露出部の面積率が電気亜鉛めっき被覆面積の0.3〜1.0％とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、はんだめっき皮膜の密着性の低下やめっき未着を解決し、均一なはんだめっき層が形成された電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、Ｃｕの球体からなるコアボールを用意する工程と、前記コアボールの表面を還元性水溶液で洗浄する第１洗浄処理工程と、前記コアボールを包囲するようにＮｉ下地めっき層を形成する第１めっき処理工程と、前記下地めっき層の表面を還元性水溶液で洗浄する第２洗浄処理工程と、前記下地めっき層を包囲するようにはんだめっき層を形成する第２めっき処理工程と、前記はんだめっき層の表面を洗浄する第３洗浄処理工程を経る電子部品用複合ボールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セパレータの使用環境下で接触抵抗を低く保持でき、また耐久性にも優れた固体高分子形燃料電池用セパレータを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼の表面に、薄膜Ｘ線回折測定によるFeSn₂ピーク強度（cps：２θ＝34.7°）とSnピーク強度（cps：２θ＝55.2°）の比FeSn₂／Snが10以上を満足するSn系皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくする。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層２を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３、Ｓｎ系めっき層４がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３はさらに、Ｎｉ系下地層２の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層３の凹部８の厚さＸが０．０５〜１．５μｍとされ、かつ、Ｎｉ系下地層２に対するＣｕ_３Ｓｎ層７の面積被覆率が６０％以上であり、さらに、Ｓｎ系めっき層４に厚さ０．０１〜０．５μｍのＡｇ_３Ｓｎ合金層５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子とした場合の抵抗値のバラツキが小さく、積層される樹脂基板との密着性が十分に維持でき、リジットおよびフレキシブル基板用の抵抗素子として優れた特性を有する抵抗層付銅箔を提供する。
【解決手段】抵抗層付銅箔は、マット面（液面側）の素地がＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定されるＲｚ値で２．５〜６．５μｍの範囲にある柱状晶粒からなる結晶を有する電解銅箔１の表面にリン含有ニッケルからなる抵抗層３を設け、該抵抗層３の表面に、粗度がＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定されるＲｚ値で４．５〜８．５μｍの範囲にニッケル粒子４による粗化処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】製品寸法特性の劣化が無く、かつ大がかりな装置を必要とせず、銅めっき層の再結晶化化が完了されためっき基板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】その表面にめっき法で設けられた導電層を有する長尺の絶縁性樹脂フィルムを用い、巻き出し工程、表面処理工程、洗浄工程、電気銅めっき工程、温水洗浄工程、巻き取り工程を含むめっき基板の製造工程を用いてめっき基板を製造するに際して、銅めっきを施した後のめっき基板に、前記温水洗浄工程の温水洗浄槽内にて温度３０〜７０℃とし、超音波発振子の出力０．１〜１０Ｗ／ｃｍ^２とし、５〜６０秒間超音波振動を与える （もっと読む）

【課題】優先配向面が（２００）面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはＰＲパルス（極性反転パルス）による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の２つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含む金属積層構造体とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード４として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノード４を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】バスダクトに用いられる母線（アルミブスバー）に良好な導電性と防錆性を付与するためのメッキ方法及びその装置を提供する。
【解決手段】メッキ工程として、脱脂処理工程１１０、第１の洗浄工程１２０、エッチング工程１３０、第２の洗浄工程１４０、硝酸活性化工程１５０、第３の洗浄工程１６０、亜鉛メッキ工程１７０、第４の洗浄工程１８０、銅メッキ工程１９０、第５の洗浄工程２００、錫メッキ工程２１０、および後処理工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 （もっと読む）