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【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】電気亜鉛めっき形成の前後に特別な処理を必要とすることなく、リン酸塩処理性に優れた電気亜鉛めっき鋼板を提供することにある。
【解決手段】被処理鋼板の上に、亜鉛めっき表面の三次元粗さパラメータのスキューネス(Ssk)が0.34以上であり、該Sskの算出の際のスプラインハイパスフィルター処理のカットオフ波長(λ)が10μmである電気亜鉛めっき層を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっき時における平均電流値をより高くした効率的なめっきによるめっき膜の埋込みを行ってめっき時間を短縮し、しかも理想的なめっき膜の埋込みを行うことができるようにする。
【解決手段】内部にスルーホールを形成した基板をめっき液中に浸漬させてめっき槽内に配置し、めっき槽内に配置される基板の表面及び裏面にそれぞれ対向する位置にアノードをめっき槽内のめっき液中に浸漬させて配置し、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、パルス電流を供給して基板の表裏両面に所定時間のめっきを行うめっき処理を複数回に亘って行い、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、めっき時とは逆方向の電流をそれぞれ供給する逆電解処理をめっき処理の間に行う。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】シリンダ内周面における潤滑油の保持性を高めてシリンダ内周面とピストンとのフリクションを低減すると共に、シリンダの生産性を向上すること。
【解決手段】ピストン11が収容されるボア12を画成するシリンダ内周面13にめっき皮膜14が形成された内燃機関のシリンダ製造方法であって、シリンダ内周面13にボーリング加工を施して複数本の線状のボーリング加工凸部29Aを形成し、次に、シリンダ内周面13にめっき処理を施して、ボーリング加工凸部29Aに沿ってめっき用金属が粒成長するめっき凸部31Aとこのめっき凸部間のめっき凹部31Bとを備えるめっき層31を形成し、次に、めっき凹部31Bを残すようにめっき凸部31Aをホーニング加工してめっき皮膜33を形成し、このめっき皮膜に平滑なプラトー面28を形成すると共に、めっき凹部31Bを、不規則に延び且つ潤滑油35を保持可能なオイルポケット27として機能させる。 (もっと読む)


【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程S110とめっき工程S114とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程S110では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程S114では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 (もっと読む)



【課題】耐熱性に優れ、かつ銀の硫化による反射率低下の少ない発光素子収納用支持体及び、硫化により変色しにくく、銀本来の光沢を有し、接触抵抗が小さい電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体102の表面に銀メッキ層104を形成し、さらに該銀メッキ層の表面に厚さ0.001〜0.1μmの錫またはインジウムまたは亜鉛のメッキ層106を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなる錫またはインジウムまたは亜鉛の点析粒子が、前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置された粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 (もっと読む)


【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液21への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液21へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 (もっと読む)


システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に1つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、2つの層の間に配置される中間層を含む。 (もっと読む)


システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に1つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、2つの層の間に配置される中間層を含む。 (もっと読む)


電流パルスのような電力パルスは、非水性電解質で電着する金属および合金の化学構造を制御するために使用される。異なる種類のパルスを含む波形を使用し、陰極、オフタイム、陽極と、粒子サイズなどの内部微細構造と、位相成分組成、位相領域サイズ、位相配置あるいは位相分布と、堆積合金の表面形態と、を調整することができる。さらに、これらの合金は強度、硬度、延性、密度において、優れた巨視的機械特性を有する。波形成形の方法によって、鋼鉄と同等の硬度を有するが、同時にアルミニウムとほぼ同等の軽さを有するアルミニウム合金、もしくは言い方を変えれば、同等の延性において、アルミニウム合金よりも硬いが鋼鉄よりも軽いアルミニウム合金を製造することができる。Al-Mn系合金はこれまでこのような強度対重量比で製造されてきた。追加される特性は、電流波形の成形を用いることにより制御可能である。 (もっと読む)


【課題】基板の処理量を増大させた、ガルバニック・コーティング装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの基板1の、特に太陽電池1aの少なくとも1つの表面2,3をガルバニック・コーティングする装置であって、電解コーティング液が満たされたコーティング・タンクを有するコーティング・バスと、基板1をコーティング・バスの中を搬送するための搬送手段と、基板1に光を照射するための少なくとも1つの光源64を有する光源回路60、複数のアノードを有する基板1のための整流回路50とを有する装置において、同期した電流インパルスおよび光インパルスを発生させるための手段を有し、複数の電流インパルスの間のインパルス間隔の間には、基板1への光の照射が中断されている。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第1期間302の間にウェハに対する第1電力を正にパルス化する段階と、第1期間302に続く第2期間304の間にウェハに対する第2電力を負にパルス化する段階と、第2期間304に続く第3期間306の間にウェハに対する第3電力を正にパルス化する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】 ナノパターンの電着を提供する。
【解決手段】 本開示は、一般に、ナノパターンを電着するための技術に関する。より具体的には、周期構造を複雑なナノパターンで製作するためのシステムと方法について説明する。基板の表面の周囲に位置する1つまたは複数の電極に電気信号を印加することができる。印加電気信号に関連する1つまたは複数のパラメータ(周波数、振幅、周期、デューティサイクル等のうちの1つまたは複数を含む)により蒸着パターンの周期に影響を与えることができる。上述のパラメータは基板に蒸着される各線の重量に影響を与えることができ、電極の数、形状および位置はパターンの形状に影響を与えることができる。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、めっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高め、めっき膜の埋込み等をより短時間で確実に行うことができるようにする。
【解決手段】めっき槽の内部に該めっき槽内のめっき液に浸漬されるように配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽内にめっき液を供給する複数のめっき液噴射ノズル406を有するノズル配管400を備え、該ノズル配管400は、縦パイプ402と横パイプ404とを格子状に組んで構成され、ホルダで保持してめっき槽内にめっき液に浸漬させて配置される被めっき材の被めっき面と平行に横方向及び/または縦方向に移動自在に構成されている。 (もっと読む)


【課題】優先配向面が(200)面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはPRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の2つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比(深さ/開口径)が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 (もっと読む)


【課題】シアン系の銀めっき液を使用しないで製造しても密着性が良好であり、高硬度で且つ高温環境下において変色し難い銀めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硝酸銀を含む硝酸系銀めっき液を使用して電気めっきを行うことによって、銅、鉄、アルミニウムなどやこれらの合金からなる素材上に銀めっき皮膜を形成する際に、電流密度を0.1A/dm・s以下、好ましくは0.005〜0.1A/dm・sの電流密度上昇速度で上昇させた後に、2A/dm以上、好ましくは2〜10A/dmの一定の電流密度に維持する。 (もっと読む)


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