【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕ被覆層の厚みが薄くても耐食性を向上させることが可能な燃料電池用金属セパレータ材料の製造方法を提供する。
【解決手段】オーステナイト系ステンレス鋼薄板からなる基材２の表面に、ｐＨ１．０以下のＡｕめっき浴を用いて厚み２０ｎｍ以下のＡｕ被覆層を形成する燃料電池用金属セパレータ材料の製造方法であって、基材及び／又はＡｕめっき浴に超音波振動を付与した状態で電解めっきする。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ra）が３．０ｎｍ以下であるＡｕめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物に均一で適切な超音波振動を加えることができ、超音波振動によりめっき浴中の粒子の分散性を向上させ、均一な大面積複合めっきを可能とする複合めっき処理方法および複合めっき処理装置を提供する。
【解決手段】 被めっき物に２つ以上の振動モードの超音波振動を励振できるようにし、その振動モードの組み合わせにより、被めっき物に屈曲進行波や時間的に変化する複数の定在波を励振して、めっき浴中の粒子の分散性を向上させ、均一な複合めっき被膜の形成を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高品質で均一な厚さのめっき膜を得ることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽２１の内側で、めっき液３０の流れを発生させる発生手段２６と、めっき液３０の流れ方向を規定する案内手段２８と、めっき液３０の流れの途中に配置されるアノード電極２９と、めっき液３０の流れの途中に配置され、めっき液３０と共に流れてくるめっき対象物１０を一時的に滞留させる滞留手段３１，３２と、を有するめっき装置２０であって、滞留手段３１，３２の少なくとも一部がカソード電極３１ｄ，３２ｄで構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板２を保持する保持部１３とを備える。処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に導電性を有する基材粒子に均一な厚みのメッキ層を効率的に形成可能なメッキ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係わるメッキ装置は、表面に導電性を有する基材粒子のメッキ装置であって、前記基材粒子が接触しつつ周回可能な底面とその底面の周縁に沿い立設した周壁面とを備え前記基材粒子を含む粒子群とメッキ液とを収納可能なメッキ室を有するメッキ槽と、前記メッキ室の底面より上方に開口する供給口を有し前記メッキ室の周壁面に沿い旋回するように前記供給口からメッキ液を供給するメッキ液供給管と、前記メッキ室に開口する排出口を有するメッキ液排出管と、前記メッキ室の底面に配置された前記基材粒子に接触する陰極と、前記メッキ室に収納されたメッキ液に浸漬する位置に配置された陽極と、前記陰極および陽極に接続された電源とを有するメッキ装置である。 （もっと読む）

【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって（１，１，０）方向に配向したＮｉを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板等の銅めっきに際して、ウィスカーの発生を確実に抑制できると共に、めっき面の光沢外観も良好なウィスカー抑制方法を提供する。
【解決手段】電源電圧反転法を用いた銅めっき処理に際して、電解条件として次の〔条件１〕、〔条件２〕を採用するとともに、さらに被めっき物のＸ軸、Ｙ軸方向の揺動条件も規定した。
〔条件１〕印加する直流電源
(i)正電解時 電流値＝0.5〜20Ａ／dm^２、通電時間＝0.1〜1000ms
(ii)逆電解時 電流値＝0.5〜60Ａ／dm^２ 、通電時間＝0.01〜100ms
(iii)電流比 正電解の電流値：逆電解の電流値＝1：1〜1：3
(iv)通電時間比 正電解の通電時間：逆電解の通電時間＝20：1〜100：1
〔条件２〕電極間距離＝3〜300mm （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電子部品に均一にめっきを施すことができ、電子部品に傷が付くのを防止することが可能なめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽内でめっき治具１２を保持し且つ電極を有する保持体１３と、保持体１３の下方から上向きにめっき液４５の噴流４６を形成する噴流形成装置とが備えられ、保持体１３が噴流形成装置に対して左右方向Ａへ揺動自在である。めっき治具１２は、上下一対の外板体２６，２７と、外板体２６，２７の対向面側に設けられた一対の導電性メッシュ２８，２９と、一対の導電性メッシュ２８，２９間に形成された複数の収納空間３０と、隣接する収納空間３０を仕切る仕切板３１とを有し、下部の外板体２７に形成された複数の噴流流入孔３４から下部の導電性メッシュ２９を通って各収納空間３０に達する噴流流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去する。
【解決手段】噴流式めっき装置１００で、電界めっきに使用されためっき液をめっき液再生機構５０で再生するに際し、めっき液をフィルタ室８０へ入る直前に自己共鳴管９０を通過させる。自己共鳴管９０を通過しためっき液は、振動流となり、めっき液に付与された振動で、めっき液中のマイクロバブルＢが互いに結合して大きな気泡Ｃとなり、自然に脱気しやすい状態となる。かかる状態のめっき液をフィルタ８０ａで濾過して、マイクロバブルＢを含まないめっき液の再生を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースを保持するワークピースホルダの隣に、不均一な振動をしながらワークピースの表面に対して平行に移動し、流体を攪拌する部材２０４’を設置する。さらに、ワークピースの表面に向かう電界の一部を遮断する非導電材料からなるプレートを配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】電気メッキラインで用いられるコンダクタロールの偏摩耗をより一層低減する。
【解決手段】コンダクタロール３の外周面に接触している金属帯１を当該コンダクタロール３の軸線方向に揺動する際、例えば金属帯１の中央の軌跡が、周期が長い低周波振動と周期が短く且つ振幅が周期的に変化する高周波振動との重畳振動波形を描くように、例えばステアリングロール４の傾きをシリンダ５で調整して金属帯１の通板状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】添加剤の消耗量を抑え、効率的にめっき液を使用することでランニングコストと環境負荷の低減を同時に実現することができ、また、高品質のめっき処理を行うことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液４５を保持するめっき槽５０と、カソードに接続された基板Ｗを少なくともめっき液４５中で保持するヘッド部４７と、めっき槽５０の内部に配置されるアノード４８と、めっき液４５をめっき槽５０に供給するめっき液噴出ノズル５３とを備える。めっき液４５の電気伝導率よりも小さい電気伝導率の高抵抗要素３２４を基板Ｗとアノード４８との間に配置する。めっき液噴出ノズル５３は、めっき処理に先立って高抵抗要素３２４にめっき液４５を供給する。 （もっと読む）

高アスペクト比のホールを備えて成る加工品を電気めっきするために、加工品及び少なくとも一つの陽極と金属めっき電解液とが接触する工程と、加工品と陽極間に電圧を印加することで、その結果、電流の流れが加工品に生じる工程とを備えて成る方法を明らかにする。電流の流れは、多くとも約６Ｈｚの周波数を有するパルス逆電流の流れである。周波数に従って、それぞれの周期時間は少なくとも一つの順電流パルスと少なくとも一つの逆電流パルスを備えて成る。
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【課題】 アルカリ性亜鉛系めっき浴を用いて鋳鉄へ亜鉛系めっきを施す。
【解決手段】 めっき浴を亜鉛イオンと水酸化アルカリを含むアルカリ性亜鉛系めっき浴とし、陽極の一部又は全部を不溶性陽極とし、陽極以外から亜鉛イオンの一部又は全部を供給し、並びに連続的又は断続的に、めっき液を流動若しくは振動させ、及び／又は被めっき物を揺動、振動若しくは回転させる鋳鉄への亜鉛系めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また傷発生のない、極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性微粒子の製造方法、及び、樹脂微粒子の表面に錫／銀合金めっき層が形成された導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 粒子径１０〜１０００μｍの導電性微粒子の製造方法であって、めっき槽内に回転可能なバレルを有するバレルめっき装置を用いてバレルをめっき液に浸漬させた状態で回転させつつ被めっき微粒子の表面にめっき層を形成するものであり、前記バレル４内に前記被めっき微粒子９と前記被めっき微粒子９よりも粒子径が大きなダミー粒子８とを入れ、前記バレル４を振幅０．０５〜３．０ｍｍ、周波数２０〜１２０Ｈｚで振動させながらめっき層を形成させる導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）