【課題】基板の処理量を増大させた、ガルバニック・コーティング装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板１の、特に太陽電池１ａの少なくとも１つの表面２，３をガルバニック・コーティングする装置であって、電解コーティング液が満たされたコーティング・タンクを有するコーティング・バスと、基板１をコーティング・バスの中を搬送するための搬送手段と、基板１に光を照射するための少なくとも１つの光源６４を有する光源回路６０、複数のアノードを有する基板１のための整流回路５０とを有する装置において、同期した電流インパルスおよび光インパルスを発生させるための手段を有し、複数の電流インパルスの間のインパルス間隔の間には、基板１への光の照射が中断されている。 （もっと読む）

太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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本発明は、半導体基板（Ｓ）の表面において電気化学反応を実施するためのデバイスであって、電解質（Ｅ）を含有するように意図された容器（１０）、容器内に配設された支持体（２０）であって、支持体（２０）上に半導体基板を取り付けるように適合された支持体（２０）、容器（１０）内に配設された対向電極（３０）、光線を放出するための発光源（５１）および半導体基板（Ｓ）の前記表面の全面に光線を均一化して、半導体基板（Ｓ）の表面を活性化するための手段（５２）を備えた照明手段（５０）、ならびに半導体基板および対向電極に連結して、電気化学反応を可能にする電位で前記半導体基板（Ｓ）の前記表面を分極するための連結手段を備えた給電源（４０）を備えることを特徴とする、デバイスに関する。本発明はまた、対応する半導体基板の表面において、電気化学反応を実施するための方法にも関する。
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【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】被めっき材上の微小領域を高位置精度で部分めっきすることが可能なレーザめっき装置およびこのレーザめっき装置によりめっきされためっき部材を提供すること。
【解決手段】被めっき材８０にめっき液を接触させるめっき槽１２と、めっき液中を通過する被めっき材８０にレーザ照射して被めっき材８０上にめっき金属を析出させるレーザ発振器１４と、被めっき材８０を搬送してめっき槽１２中のめっき液に通過させる搬送機器１６と、搬送される被めっき材８０の位置決め孔の位置を検出するための光電センサ１８と、レーザ光の光路上に配置されレーザ光を走査可能なガルバノミラー２２を有し光電センサ１８による位置決め孔の位置検出によりレーザ光を走査開始位置に走査復帰させるガルバノスキャナ２０とを備えたレーザめっき装置１０とする。また、レーザめっき装置１０により微細にスポットめっきされためっき部材とする。 （もっと読む）

【課題】電極、特に有機電子デバイスのための電極を製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】電着によって電気活性物質（該電気活性物質は有機電気活性化合物を含む。）の表面に電極を備えること、または当該電気活性物質のための基体の表面に当該電極を用意しその後に該電極の表面に該電気活性物質が施与されることを含む、有機電子デバイスを製造する方法において、該電着がイオン液体、および金属または半金属のイオンを含んでいるめっき液を使用し、該金属または半金属のイオンが還元されそして析出されて電極を形成する、上記方法。 （もっと読む）

【課題】配線溝への埋め込み特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を作製することができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、配線溝１０３が設けられた絶縁膜１０２を形成する工程（ａ）と、絶縁膜１０２上に導電性バリア膜１０４およびシード膜１０５を順次形成する工程（ｂ）と、シード膜１０５上に電解めっき法により電解めっき膜１０６を形成する工程（ｃ）とを備えている。工程（ｃ）では、半導体基板１０１の基板面に対して７０度以上９０度以下の方向から光を照射しながら、電解めっきを行う。 （もっと読む）

電気メッキプロセスが、電圧で切替可能な誘電体（ＶＳＤ）材料の結合剤中に分散、混合または溶解した光活性成分を有するＶＳＤ材料の層を含む基板を用いて行われる。導体素子のパターンが、一部は、前記ＶＳＤ材料の層に光を向けることにより発せられた電圧を用いて、ＶＳＤ材料を絶縁状態から導電状態に切り替えることによって、基板上に形成される。
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【課題】コネクタ端子の接点部などに微細に硬質金めっきをすることが可能な部分めっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき液を接触させた被めっき材３４のめっきする部分に、波長が３３０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であるレーザ光を照射して部分めっきをする。このとき、めっき液中に被めっき材３４を搬送すると良い。このめっき液中を搬送される被めっき材３４の動きにレーザ光を一定時間同期させて被めっき材３４のめっきする部分に照射する。被めっき材３４の同一のめっきする部分を一定時間照射した後は、レーザ光を走査開始位置に復帰させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

本発明は以下の工程を含んでなるプリント基板製造におけるμ−ブラインド・ビアの埋め込み方法を提供する。（ｉ）銅金属塩と任意に有機添加剤とを含んでなる、電気めっきにより金属被覆を施すための電解質浴を準備する工程、（ｉｉ）前記浴を、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の直流または有効電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の電流パルスで運転する工程、（ｉｉｉ）前記電気浴から前記電解質の一部を取り出す工程、（ｉｖ）前記取り出された電解質の一部に酸化剤を添加する工程、（ｖ）任意に、前記取り出された電解質に紫外線を照射する工程および（ｖｉ）前記取り出された部分を前記電気浴へと戻し、かつ、酸化処理によって破壊された有機添加剤を補充する工程。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）