【課題】高い熱伝導性を発揮し、熱源が局部的に接するような電子機器部品の素材として有用な高熱伝導性鋼板を提供すること。
【解決手段】熱源に局部的に接する部材として用いられる高熱伝導性鋼板であって、素地鋼板は、Ｃ：０．０３％以下、Ｓｉ：０．１％以下（０％を含まない）、Ｍｎ：０．０５〜０．９０％、ｓｏｌ−Ａｌ：０．０１〜０．１０％、Ｔｉ：０．０１〜０．１０％、Ｎｂ：０．００１〜０．１０％、並びにＣｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びＣｒよりなる群から選ばれる少なくとも１種：各０．１％以下（０％を含まない）を夫々含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなり、前記素地鋼板の両面に片面当りの付着量が１０ｇ／ｍ²以上の純亜鉛めっきが施されると共に、式（１）を満足することに要旨を有する高熱伝導性鋼板。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が低く、はんだ濡れ性および接触信頼性に優れたＳｎめっき材およびそのＳｎめっき材の低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基材上にＣｕ−Ｓｎ化合物層が形成され、このＣｕ−Ｓｎ化合物層上に純Ｓｎ層が形成されたＳｎめっき材において、純Ｓｎ層の厚さが０．３〜１．５μｍであり、Ｓｎめっき材の各層間の界面と略平行な面におけるＣｕ−Ｓｎ化合物の平均結晶粒径が１．３μｍ以上であり且つＳｎめっき材の表面の算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式（１）で表わされる構造単位及び下記一般式（２）で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は単結合又は２価の連結基、Ｒ³は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ⁵は極性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム２３１またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物２２０を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ２０４内で実行することができる。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽３０２と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード３１８と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置３０６を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】接触圧力が０．１Ｎ以下であっても接触信頼性を確保し、耐食性並びに摺動性に優れる電気接点部品を提供する。
【解決手段】表面に非晶質めっき層４が形成された電気接点部品Ａに関する。前記非晶質めっき層４はナノカーボン材料６を含有する。このナノカーボン材料６は前記非晶質めっき層４の表面に露出している。前記ナノカーボン材料６は前記非晶質めっき層４の表面に露出した状態で設けることにより良好な接触信頼性を確保する。実装部品として用いる場合は、接点部１のみに上記選択めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、キラル選択性を持たせるのに適した、特定の表面形状を形成した電極を簡便に製造することのできる電極製造方法を提供する。
【解決手段】表面に特定の表面形状を形成した電極を製造するための電極製造方法であって、磁石で発生させた磁場Ｂの向きと平行に設定された自転軸まわりを反時計回りまたは時計回りに電解槽６を自転させつつ、前記電解槽６とともに前記自転軸まわりに自転するように前記電解槽６内に設けられた一対の電極７１，７２に対して電解質媒体を通じて電圧および電流のうちの少なくとも一方を印加し、電解を行うことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 被めっき面が略鉛直面となる縦型懸垂めっき法により金属被覆樹脂基板を製造するに際して、めっき電圧の上昇を伴わずにめっき厚分布をほぼ均一化できるめっき装置の提供。
【解決手段】 被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となるように配置し、かつ前記被めっき面に対向する側に設置される電極と前記被めっき面との間に遮蔽板を配置する金属被覆樹脂基板のめっき装置において、前記遮蔽板として、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚（メッキ厚）の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐薬品性を満足し、樹脂基板との接着強度およびエッチング後の樹脂表面の絶縁性（表面抵抗）に非常に優れる表面処理銅箔を提供すること。また、接着強度、耐熱性、耐薬品性、エッチング性を全て満足する銅張積層板を提供すること。
【解決手段】Ｎｉ−Ｚｎ合金層からなる表面処理層を有する表面処理銅箔であって、Ｎｉ−Ｚｎ合金層のＺｎ含有量が５％以上２１％以下で、かつ、合金層中のＺｎ濃度が、原銅箔側から表面処理層表面にかけて高濃度から低濃度へ濃度勾配を有し、Ｚｎ付着量が０．０７ｍｇ／ｄｍ^２以上、Ｎｉ付着量が０．４ｍｇ／ｄｍ^２以上、２．９ｍｇ／ｄｍ^２以下である表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔を樹脂基板に張り付けた銅張積層板である。 （もっと読む）

【課題】１つの面に粗化部分と無粗化部分とを有し、２種類の製品を同時に作製することができるプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅張プリント配線基板の導体層の主要部を構成すべく、絶縁性基板の表面に張り合わされるプリント配線板用銅箔１において、圧延銅箔又は電解銅箔の片面、若しくは両面に、粗化部分２と無粗化部分３とを同時に形成したものである。 （もっと読む）

【課題】被めっき部材の表面に形成されるめっき皮膜のピンホールやピットの発生を抑制する電気めっき方法及びめっき部材を提供する。
【解決手段】めっき浴槽２０内に、平均粒子径２０μｍ〜３００μｍの粒子を５体積％〜６５体積％の範囲で含むめっき液２１を満たし、めっき浴槽内のめっき液中に被めっき部材１１及び陽極１３を配置し、被めっき部材１１及び陽極１３を配置しためっき浴槽２０内を、めっき液の蒸気圧Ｐｂ〜（蒸気圧Ｐｂ＋１５ｋＰａ）の範囲の圧力に保持し、圧力を保持しためっき浴槽２０内において、陽極１３を上流側とし被めっき部材１１を下流側としてめっき液２１を流動させ、めっき液を流動させつつ、被めっき部材１１及び陽極１３間に電圧を印加し被めっき部材の表面にめっき膜を形成することを特徴とするめっき部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置にする。
【解決手段】メッキ液Ｌと基材粒子２０ａを貯留可能なメッキ室１１ｄを有するメッキ槽１１ａと、メッキ室１１ｄにメッキ液Ｌが貯留された状態でメッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａおよび陰極１３ｂと、陽極１３ａと陰極１３ｂとの間に電位差を与える電源１４と、陰極表面に沿ってメッキ液Ｌと基材粒子２０ａを流動させる流動発生手段１２ｅと、極性の異なる磁極面１５ａを複数並べて向きが交互になる複数の磁界１５ｂを形成する磁気回路１５とを備え、流動する基材粒子２０ａが前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されたメッキ装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】PとSiを含有する化成処理液を用いてSnめっき層の形成された鋼板に連続的に化成皮膜を形成しても、クロメート処理皮膜に匹敵する優れた塗装後の耐食性が安定して得られる錫めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、Snめっき層を形成した後、第一りん酸アルミニウムを0.5〜5g/L(L:リットル)、アミン系シランカップリング剤を0.5〜10g/L、および第一りん酸アルミニウムとアミン系シランカップリング剤とに親和性を有する添加剤を0.1〜10g/L含み、pHが2.0〜5.0である化成処理液を塗布し、乾燥することを特徴とする錫めっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高電気伝導度と低動粘度を両立しためっき浴を用いることで製造コストが低減された電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnをZnSO₄・7H₂O換算で100〜280g/L、硫酸をH₂SO₄換算で60〜140g/L含有し、電気伝導度20S/m以上、動粘度1.0mm²/s以下であり、浴温が50℃以上であるめっき浴を用いる。そして、鋼板を陰極として電気亜鉛めっき処理し、鋼板表面に片面当たり5〜30g/m²の電気亜鉛めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】経験則、試行錯誤による判断に伴う不具合箇所（不良発生めっきセル）の特定に替えて、電気めっきの際の実際の電流波形から、外観不良を判別することにより、かかる外観不良が発生しているめっきセルを迅速に特定することができる外観不良判別方法を提供する。
【解決手段】各めっきセル毎の通電電流の変化を、めっき整流器により測定し、該通電電流の波形変化により、めっき外観不良の発生箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程Ｓ１１０とめっき工程Ｓ１１４とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程Ｓ１１０では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程Ｓ１１４では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】有機皮膜の密着性、耐食性に優れた錫めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼帯に電気錫めっき法により錫めっきを施した後、鋼帯の錫めっき層の表面を溶存酸素濃度６ｐｐｍ以下、ｐＨ１．５〜３．５のリン酸塩水溶液中で、３〜３０Ａ/ｄｍ^２、０．１５〜１秒の陰極電解処理を施し、前記処理液から出すことなくさらに０．２〜１．２秒間、浸漬することを特徴とする錫めっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）