【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置１００は、底面にめっき液噴出口１３０が形成されためっき槽１１０と、めっき液噴出口１３０の上部に位置し、スリット１５５が形成された陽極部１５０と、めっき槽１１０の上部に位置する陰極部１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部４０４は、エラストマーリップシール４０２に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板４０６と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 （もっと読む）

【課題】３次元の樹脂成形品上に金属めっきを施すため、樹脂成形品の取り扱いのための経費と、通常は多数で異なる金型とを大幅に削減し、及び、部品の種類ごとの搭載経費を低減する方法を提供する。
【解決手段】樹脂成形品３が、結合部品２によってフレキシブルなキャリア１に結合される。このキャリア１は、同時に搬送テープとして使用される。多数の樹脂成形品３を一時的に結合させるため、キャリア１が、それぞれの樹脂成形品３の両面に結合している。この場合、電気伝導性の結合部分が生成される。この結合部分は、結合部品２による電気めっき８用の通電に使用される。 （もっと読む）

【課題】高速な表面処理を行う場合であっても、大型化することなく、十分な処理時間を確保することができる、経済的な表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置は、処理槽５の両側に配置され、線材２の許容曲率半径以上の半径を有し、かつ、軸方向に１列以上の案内軌道３０ａ〜３６ａ、３０ｂ〜３６ｂを外周面に備え、導電性の回転体と、該回転体の中心で軸方向に伸長する導電性の給電軸と、前記回転体を該給電軸に対してこの給電軸と共に回転可能に支持する樹脂製の支持体と、前記回転体と前記給電軸とを電気的に接続する手段と、前記回転体を回転させる駆動機構とを備える、第１および第２の回転給電装置と、該第１および第２の回転給電装置のそれぞれと前記処理槽との間に配置され、相互に軸方向および高さ方向に位置がずれている２個以上のプーリが、１列以上配されている第１および第２のライン変更プーリ装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程において、めっき膜の膜厚均一性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、を有する半導体ウエハーの、前記第１の領域及び前記第２の領域に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の上にレジスト層を形成する工程と、前記第２の領域の前記第１の導電層の第１の部分の上の第１レジスト層を残し、前記第２の領域の前記第１の導電層の第２の部分の上の第２レジスト層を除去するパターニング工程と、電極と、前記電極の電気的接続部に連続し、前記電極に電流を供給する配線と、を有する治具を、前記電気的接続部が前記第１レジスト層と接するように配置する工程と、前記電極に前記電流を供給して、電解めっきにより前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高電流を流すことが可能であって、さらに、多孔体の内部にまで充分にめっきすることが可能でありながら、給電部のメンテナンス性が優れためっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】導電性が付与された長尺帯を、連続して電気めっきするめっき装置であって、めっき液が収容されためっき槽と、めっき液に少なくとも一部分が浸漬されている回転ドラムと、めっき槽内において回転ドラムと所定の間隔を設けて配置されているアノードと、回転手段により全体がループ状に回転し下方部分が回転ドラムを押圧した状態で回転ドラムとアノードとの間を通過するように回転している金属ベルトと、長尺帯を回転ドラムと金属ベルトに押圧させた状態で搬送する搬送手段と、給電部および電源部とが備えられており、金属ベルトは外周側に突起状電極が設けられており、給電部から金属ベルトに給電するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっきの均一性、作業性および安全性に優れ、かつ、構造が簡易である金属部材のめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を含浸させる含浸部材１と、含浸部材１を外囲する筺体２と、を有する金属部材のめっき装置１０であって、含浸部材１が、めっき処理を施すべき被めっき金属部材を内包する。電気めっき装置として用いる場合には、含浸部材１と筺体２との間に陽極電極４が配置され、かつ、金属部材を支持する支持体５を介して通電することが好ましく、陽極電極４が円筒形であり、かつ、金属部材と陽極電極４との距離が一定であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電解液の電気分解により金属帯の表面に電気絶縁性被膜等の表面被膜を被覆させるにあたって、金属帯の板幅方向での被膜付着量の分布を均一にすることを可能とする。
【解決手段】連続的に搬送される金属帯１の表面に電解液の電気分解により電気絶縁性被膜やめっき被膜等の表面被膜を被覆させる金属帯１の連続表面処理方法において、表面被膜を被覆すべき金属帯１の被処理面１ａと相対向して陽極電極３３を配設し、陽極電極３３から金属帯１の被処理面１ａにラミナー流Ｗｒとなる電解液を噴射し、金属帯１を陰極、陽極電極３３を陽極としてこれらの間で電圧を印加して、陽極電極３３から噴射しているラミナー流としての電解液Ｗｒを通して通電させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程Ｓ１１０とめっき工程Ｓ１１４とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程Ｓ１１０では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程Ｓ１１４では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】 半導体の上に直接電着する方法を提供する。
【解決手段】 本開示は、半導体材料の少なくとも１つの表面上に金属又は金属合金を電着する方法を提供する。本発明の方法は、半導体材料の少なくとも１つの表面上の、電着された金属膜による完全な被覆を提供する。本開示の方法は、半導体材料を準備することを含む。半導体材料の少なくとも１つの表面上に、電着プロセスによって金属膜が付けられる。用いる電着プロセスには、最初に低電流密度を加え、所定の時間後に電流密度を高電流密度に変える電流波形が用いられる。 （もっと読む）

【課題】表裏両面が均一な形状で特にリチウムイオン二次電池のケイ素系活物質の特性を充分に発揮させて該二次電池の高容量と充放電の長寿命を同時に達成できる負極集電体用圧延銅箔または圧延銅合金箔を提供し、該圧延箔を用いた負極電極を提供することを課題とする。
【解決手段】銅或いは銅合金からなる未処理圧延箔の表裏両面に、パルス陰極電解粗化処理又は直流陰極電解粗化処理で銅又は銅合金からなる一次粗化処理層が設けられ、該一次粗化処理層表面に平滑メッキ処理により銅又は銅合金からなる二次粗化処理層が設けられているリチウムイオン二次電池の負極集電体用圧延箔、その製造方法である。
前記負極用圧延箔を集電体とし、該集電体の両面にケイ素系活物質を積層してなるリチウムイオン二次電池負極電極、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板２を保持する保持部１３とを備える。処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる表面粗化銅箔を提供する。前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層し、エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる回路基板を提供する。
【解決手段】未処理銅箔の少なくとも一方の表面に金属銅によるパルス陰極電解粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による平滑メッキ処理が施された二次処理面、金属ニッケルによる処理が施された三次処理面、金属亜鉛による処理が施された四次処理面が順に設けられている表面粗化銅箔である。前記四次処理面の上に必要により防錆層、保護層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ロールの周面へのメッキを均一な厚さに施すことができるロール用メッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ対象のロールＲの両端をチャックする一対のロールチャック２と、メッキ液Ｌを貯留しこのメッキ液ＬにロールＲを浸漬させるメッキ槽３と、上記メッキ槽３内に設けられ、上記ロールチャック２に外嵌するよう対向配設され、ロール端部へのメッキ電流の集中を抑制する一対のメッキ電流遮蔽器５とを備えるロール用メッキ装置１であって、上記メッキ電流遮蔽器５が、上記ロールチャック２の軸方向に移動可能に吊設されており、上記ロールチャック２に外嵌するロール端面被覆板１０と、このロール端面被覆板１０の対向面側に立設され、切欠領域を有する帯状のロール周面端部被覆板１１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 ナノパターンの電着を提供する。
【解決手段】 本開示は、一般に、ナノパターンを電着するための技術に関する。より具体的には、周期構造を複雑なナノパターンで製作するためのシステムと方法について説明する。基板の表面の周囲に位置する１つまたは複数の電極に電気信号を印加することができる。印加電気信号に関連する１つまたは複数のパラメータ（周波数、振幅、周期、デューティサイクル等のうちの１つまたは複数を含む）により蒸着パターンの周期に影響を与えることができる。上述のパラメータは基板に蒸着される各線の重量に影響を与えることができ、電極の数、形状および位置はパターンの形状に影響を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】人手を要しなくても陰極棒の接触位置が変更されて円筒袋状ワークの表面に接点跡が残ることのないめっき処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る筒袋状ワークのめっき処理用治具１は、円筒袋状ワークＷの内方に差し入れられ円筒袋状ワークの軸心方向を回転軸として回転可能な陰電極２１を有し、陰電極は、円筒袋状ワークの内面に当接することにより円筒袋状ワークを保持して円筒袋状ワークを回転可能に形成され、かつ円筒袋状ワークを保持したときに円筒袋状ワークを常に陰極とするための接点部３４を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）