【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１ａに半導体素子の表面電極２が形成され、裏面１ｂに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ１を用意する工程と、半導体ウェハ１の表面電極２にめっき層３を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極２と半導体ウェハ１の側面１ｃとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面１ｂの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ１をめっき液に浸してめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ワークと陽極電極との間の距離を、ノズルと陽極電極とを干渉させずに短くできる構造を採用することで、ワークに通電する電流密度を効率的に高めることができる連続メッキ装置を提供すること。
【解決手段】 連続メッキ装置は、メッキメッキ槽１０内にて複数のワーク１と対向する位置に配置され、メッキ液を複数のワークに向けて噴出する複数のノズル３０と、メッキ槽１内にて連続搬送される複数のワークと対向する位置に配置される複数の陽極電極４０とを有し、複数のワーク１が連続搬送される搬送方向Ａに沿って、複数のノズル３０の一つと複数の陽極電極４０の少なくとも一つとが交互に繰り返し配置され。また、搬送方向Ａから見た側面視で、複数のノズル３０と複数の陽極電極４０とが重なる位置関係にて配置できる。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽３０２と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード３１８と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置３０６を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置１００は、底面にめっき液噴出口１３０が形成されためっき槽１１０と、めっき液噴出口１３０の上部に位置し、スリット１５５が形成された陽極部１５０と、めっき槽１１０の上部に位置する陰極部１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部４０４は、エラストマーリップシール４０２に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板４０６と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ表面のめっきの成長速度を向上させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液３内を走行するワイヤ４の表面にめっきを施すものであって、めっき液３を収容するめっき液槽５と、該めっき液槽５内に縦向きに配置される柱状体６と、めっき液槽５の内周面５１と柱状体６の外周面６１の間に形成されるリング状流路Ｘを縦方向に走行するワイヤ４に対して、リング状流路Ｘでめっき液３を流動させる流動機構９と、を備えるめっき装置。 （もっと読む）

【課題】導電性の基体表面内にミクロ構造およびナノ構造を施す方法を提供する。
【解決手段】導電性の基体表面２の表面処理方法であって、固体のイオン伝導性材料を有する工具１が、少なくとも部分的に基体表面２と接触されており、この工具１は基体表面２の金属イオンを伝導することができ、かつ、基体表面２と工具１の間に電位勾配が生じ、金属イオンが工具１を通って基体表面２から引き離されるか、または基体表面２上に析出されるように、この工具１に電位Ｕが印加される。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体とりわけ三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウムをめっきするに際し、電流値を高くして効率よくアルミニウムめっき膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に導電層２を形成することにより導電化された樹脂成形体１にアルミニウムを溶融塩浴中で電気めっきしてアルミニウムめっき層３を形成するアルミニウム多孔体の製造方法であって、陽極がアルミニウムエキスパンドメタルからなり、該陽極の表面積が樹脂成形体の表面積の１．３倍以上であることを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき槽からのコーティングで物品をめっきするための装置および方法を提供する。
【解決手段】めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっきが塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 板厚１ｍｍ以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン（連続送り方式）で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 （もっと読む）

【課題】節状や樹枝状のめっき金属結晶が金属帯の表面に生じ難く、しかも、めっき層と金属帯を高い密着性のもとで電気めっき処理することのできる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解槽２と、電解槽２内で金属帯Ｓを通板させる送り機構３と、電解槽２内で金属帯Ｓの通板方向（Ｘ３方向）もしくはこれと逆の方向（Ｘ４方向）にめっき液を流す流通機構５と、金属帯Ｓを挟む位置に配設された一対の電極１Ａ，１Ｂと、から構成された電気めっき装置１０であって、一対の電極１Ａ，１Ｂはともに、対応する位置でかつ通板方向に凸部１ｂと凹部１ａを交互に備え、双方の電極の凸部１ｂ、１ｂ間で電極間距離が短くなり、双方の凹部１ａ，１ａ間で電極間距離が長くなっており、金属帯Ｓが入ってくる入側の端部において、通板方向長さの最も長い凹部１ａ’、１ａ’が配されている。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度下でも半導体ウエハにめっき焼けやめっき形状の凹凸を呈することなく、めっき面内均一性が得られ生産性を向上できるカップ型めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽の下部からめっき液を噴出する液流入部と、めっき槽内に設置されるアノード２と、めっき槽の上部で半導体ウエハ４と電気的に接続されるカソード３とを備えた、半導体ウエハ４の表面にバンプ電極を形成するカップ型めっき装置であって、前記アノード２を十分な電極面積を有するプロペラ形状とし、回転可能にめっき槽底部のシャフト７に連結したカップ型めっき装置。 （もっと読む）

【課題】めっきの均一性、作業性および安全性に優れ、かつ、構造が簡易である金属部材のめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を含浸させる含浸部材１と、含浸部材１を外囲する筺体２と、を有する金属部材のめっき装置１０であって、含浸部材１が、めっき処理を施すべき被めっき金属部材を内包する。電気めっき装置として用いる場合には、含浸部材１と筺体２との間に陽極電極４が配置され、かつ、金属部材を支持する支持体５を介して通電することが好ましく、陽極電極４が円筒形であり、かつ、金属部材と陽極電極４との距離が一定であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性を発揮し、熱源が局部的に接するような電子機器部品の素材として有用な高熱伝導性鋼板を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｃ：０．０３％以下（０％を含まない）、Ｓｉ：０．１％以下（０％を含まない）、Ｍｎ：０．０５〜０．９０％、ｓｏｌ−Ａｌ：０．０１〜０．１０％、Ｔｉ：０．０１〜０．１０％、並びにＣｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びＣｒよりなる群から選ばれる少なくとも１種：各０．１％以下（０％を含まない）を夫々含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなり、該素地鋼板の両面に片面当りの付着量が１０ｇ／ｍ²以上の純亜鉛めっきが施されると共に、下記式（１）を満足する鋼板である。
７１．１６−４７．９２［Ｃ］−４．７２［Ｍｎ］−７１．５９［ｓｏｌ−Ａｌ］＋３９．３２［Ｔｉ］＋２７．０１［Ｘ］＋０．００２４［Ｙ］≧６８．５・・・（１）
（式中［Ｘ］はＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏの合計含有量、［Ｙ］は鋼板両面の純亜鉛めっき付着量の合計） （もっと読む）

【課題】 銅被覆長尺導電性基板の銅めっき層の表面精度を向上させる銅被覆長尺導電性基板の製造方法の提供。
【解決手段】 長尺導電性基板を幅方向が略水平方向になるように搬送し、シード層の表面に複数の不溶解性陽極を用いた電気めっき法による湿式めっき法で金属めっき被膜層を成膜する長尺導電性基板の電気めっき方法において、前記複数の不溶解性陽極を、搬送方向において少なくとも２つ以上に電気的に分割し、かつ前記分割された不溶解性陽極のうち、電気めっきの総膜厚が２μｍ以下の成膜を行う不溶解性陽極の電流密度を２ｍＡ／ｃｍ^２以下に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有する高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。 （もっと読む）