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Fターム[4K024CB09]の内容

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Fターム[4K024CB09]に分類される特許

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【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハWのアライメント領域13上に純水Pを供給する(図9(a))。テンプレート20をウェハWの上方に配置する(図9(b))。純水PによってウェハWの処理領域12の上方にテンプレート20のめっき液流通路30が位置するように、テンプレート20とウェハWを位置調整する(図9(c))。テンプレート20を下方に移動させる(図9(d))。めっき液流通路30にめっき液Mを供給する(図9(e))。テンプレート20の第1の親水領域41と処理領域12との間にめっき液Mを充填する(図9(f))。めっき処理を行い、ウェハWの貫通電極10上にバンプ110を形成する(図9(g))。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド110は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス111を介してウェーハWに電気的に接続される。メッキヘッド110は、メッキ化学物質118を収容するリザーバの両側に陽極112を有する。多孔性アプリケータ114は、実質的に垂直な入射角度で、陽極112からウェーハW表面への電流Iの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド110の下でのみ発生する。ウェーハWの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド110は、ウェーハWの別の表面領域を移動する。 (もっと読む)


【課題】給電体のめっき皮膜を剥離しつつ、プリント配線板の生産効率を向上させる方法及び装置の提供。
【解決手段】電解めっき液3が収容されるめっき液浴11と、めっき液浴11内でFPC2(被めっき物)に対向するように配置された陽極板12と、めっき液浴11内でFPC2に電気的に接触する第1位置及び非接触となる第2位置に移動可能なように配置された一対の給電体13と、第1位置と第2位置との間において一対の給電体13のそれぞれを移動させる駆動機構と、記一対の給電体13及び陽極板12への印加電位をそれぞれ制御するコントローラと、を備え、コントローラは、第1位置に移動する給電体13に負の電位を印加するとともに、第2位置に移動する給電体13に負の電位を印加する。 (もっと読む)


【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート112の表面112aには、ウェハWの貫通孔に対応する位置に開口部115が複数形成されている。電極形成用テンプレート112は、開口部115に連通する膜形成用液の流通路116を備えている。この電極形成用テンプレート112とウェハWを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口117から流通路116を介して開口部115からウェハWの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハWの貫通孔に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド102を、ウェーハ104の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向120でウェーハ全体を進む際に、シード層106上に堆積層108が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス116に含有される電解質110によって促進される電気化学反応を介して形成される。 (もっと読む)


【課題】微小な内径で且つアスペクト比が大きい細管の内壁に均一なめっき皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】細管10の内壁10aへの接触を防止する非導電性部材14が外周面に固定されている電極線12を前記細管10内に挿入し、前記細管10内壁と前記電極線12との間隙にめっき液を満たした状態で前記電極線12を前記細管10の管軸方向に往復移動させると共に前記めっき液を前記電極線12と同じ方向に交互に流動させる。そして、前記電極線12を+極、前記細管10を−極として直流電流を流して細管10の内壁10aにめっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具13によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極12の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極12と、この電極を支持する電極支持部20と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック66とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ17によって移動可能に構成されたものである。 (もっと読む)


【課題】製造工程数を増加させることなく配線上にキャップメタル膜を選択的に形成することにより、配線間リーク電流の増大及び配線間ショートを抑制する。
【解決手段】絶縁膜に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法において、基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝に導電膜を埋め込む工程と、それぞれに電解液が注入された複数の貫通孔を有する基体を前記導電膜の表面に接触させながら、前記電解液と電気的に接続されたアノードと前記基体表面に露出したカソードとの間に電位差を付与することで、前記導電膜が埋め込まれた前記絶縁膜を表面処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基材に変形や組織変化を生じさせず、製造時間が短く、製造コストが安い簡単なプロセスで、高温酸化性および耐食性に優れる被膜を形成するコーティング方法を提供する。
【解決手段】コーティング方法は、Aイオン(Aは、CoまたはNiを示す。)を含む電解液中にMCrAlY粉末(式中、Mは、NiおよびCoから選択される少なくとも1種の元素を示し、AがCoであるときに少なくともNiを含み、AがNiであるときに少なくともCoを含む。)を分散させて得られた分散液中に、合金基材80を浸漬し、回動可能な筒状回転電極と筒状回転電極の表面を被覆する不織布層31とを有する回転電極装置10を用い、合金基材の表面が不織布層で被覆された筒状回転電極を転がしながら電解して、合金基材表面上に複合被膜層を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、金属基材の表面に形成されるめっき膜を均一に形成することができるローラーめっき法及びローラーめっき装置を提供することにある。
【解決手段】金属基材18の両面を挟持する一対のめっきロール10を回転させるとともにめっきロール10にめっき液12を給液し、金属基材18を鉛直方向に移動させながら金属基材18の両面に電気めっきを施すローラーめっき法であって、めっきロール10へのめっき液12の給液は、めっきロール10の少なくとも一部をめっき槽14内に収容されためっき液12に浸漬させるか又はめっきロール10に隣接するロールの少なくとも一部をめっき槽14内に収容されためっき液12に浸漬させ、前記隣接するロールを回転させることにより行われる。 (もっと読む)


処理剤を用いる製品Lの電解処理用装置は、板形状をした製品の処理をより均一にするために用いられる。この装置は、上記装置内で製品Lを保持するための機械装置40、42と、一つ又は複数の流量装置10であって、各々少なくとも一つのノズル15を有しており且つ製品Lに向かい合った位置に置かれる流量装置10と、一つ又は複数の対向電極30であって、処理剤に不活性であり且つ少なくとも一つの処理表面と平行に置かれる対向電極30と、一方では製品Lと他方では流量装置10及び/又は対向電極30との間において処理表面に対して平行な少なくとも一方向に相対運動を発生するための手段44とを有する。製品Lは処理中処理剤内に浸漬され得る。
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【課題】半導体装置用テープキャリアの端末部を含む全長に均一な厚みのめっきを施す。
【解決手段】半導体装置用テープキャリア(1)の両端に絶縁性の案内用テープが接続され
た被めっきテープ材(10)を、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬させながら搬送する。めっき槽(2)の被めっきテープ材(10)の搬送経路に沿って陽極(5)を移動可能に設置し、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている陽極(5)が、めっき槽(2)のめっき液(3)中を搬
送されている半導体装置用テープキャリア(1)の部分に対向し、且つめっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている陽極(5)の長さが、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている半導体装置用テープキャリア(1)の部分の長さに比例するように、陽極(5)を被めっきテープ材(10)の搬送経路に沿って移動する。 (もっと読む)


【課題】基板上の水平電気めっき電着方法及び水平無電めっき方法を提供すること。
【解決手段】水平電気めっきの設備の一種で、その主要は一組みのめっき液当て板、一組の第一電極、一組のネット状、面状または針状第二電極、電極再生とめっき液回収システムを含む。基板が水平に定位に送り込まれた場合、前述めっき液緩流当て板と接触陰極をもって基板を挟み持って導電を行い、更にめっき液の注入を通じて上側の陽極と接触し、電気めっきの環境を形成して陰極側の基板の片面電気めっきを行い、または電着液の注入を通じて上側の陰極と接触し、電着の環境を形成して陽極側の基板の片面彩色フィルター顔料、染料または導電性フォトレジスト電着を行う。 (もっと読む)


【課題】電子部品のリード曲折や打痕が発生しない整列電解めっきでありながら、めっき未着や電極交換の工程を削減可能なめっき方法を提供する。
【解決手段】整列板19に整列されたヘッダー10の絶縁リード16およびアースリード18と実質的に直交する方向に平行に、かつ相反する方向に平行移動するワイヤー状電極1と接触補助線2を配設し、ワイヤー状電極1と絶縁リード16およびアースリード18が非接触状態を経て接触状態となることにより、接触が一点に集中することがなくなりめっき未着が発生せず、非接触状態の際に剥離電流を給電してワイヤー状電極1におけるめっき組成分の析出を防止する。 (もっと読む)


めっき処理において少なくとも1つの適合可能なアノード(40)を利用して物品(10)にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源(44)によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽(38)に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸(22)を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっき(46)が塗布される。別のアノード(50)を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。
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【課題】電子部品のリード部分を挿入する位置決め部材を必要とせず、電子部品を容易に陰極へ装着でき、また容易に陰極から離脱でき、加えて電子部品の一部分のみにめっきを施すことが可能なめっき用搬送治具及びめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき用搬送治具10の上に、陰極24と、電子部品1を着脱自在に設けられた磁界発生手段28を有し、前記磁界発生手段28によって前記電子部品1を陰極24に吸着および離脱し、電解処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 給電の構造が簡略であり、給電手段に析出した金属の剥離が容易であり、メッキされないワーク部分を無くし、アキシャル電子部品のリード線にもメッキ可能な電気メッキ装置を提供すること。
【解決手段】 電気メッキするアキシャル電子部品6のリード線をカソード化するための給電電極としてワイヤ形状の導線である給電ワイヤ2が用いられ、給電ワイヤ2の一部がメッキ槽5内に配設されアキシャル電子部品6のリード線と接触することで、その被メッキ部への給電が行われる。また、給電ワイヤ2に析出したメッキ金属はダイス3で剥離する。更に、給電ワイヤ2に析出したメッキ金属を剥離後、給電ワイヤ2を繰り返し連続的に使用するために、給電ワイヤ2はエンドレス構造を有すると共に、給電ワイヤ2の送り機構として給電ワイヤ送りプーリ1が設けられている。 (もっと読む)


【課題】より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る電解メッキ装置50は、メッキ処理槽9内のメッキ液4に、カソード電極15に接続された半導体基板1とアノード電極2とを対向させて浸漬し、アノード電極2とカソード電極15とを通電させることにより半導体基板1に電解メッキを行う。電解メッキ装置50は、半導体基板1とアノード電極2との間に、半導体基板1の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、アノード電極2から半導体基板1の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板3を備えるとともに、アノード電極2と遮蔽板3とを、一体的に揺動させる揺動手段を備えている。 (もっと読む)


本発明は、外面に形成された三次元パターンを有するエンボス加工スリーブ、拡張可能インサート、並びに前記エンボス加工スリーブ及び前記拡張可能インサートを載置したドラムを備えるエンボス加工アセンブリに向けられている。本発明は、エンボス加工スリーブ又はエンボス加工ドラムの製造方法にも向けられている。更に、本発明は、電気メッキ方法において、ドラム又はスリーブの表面のメッキ材料の厚さを制御する方法に向けられている。
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