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【課題】有害物質の溶出を抑えつつ、摺動性とシール性とを両立させながら耐摩耗性を向上させ、耐塩素性や耐脱亜鉛腐食性を向上させたボールバルブ用ボールとそのめっき処置方法並びにボールバルブを提供する。
【解決手段】このボールバルブ用ボールは、銅又は銅合金製のボール弁体の素地2の被覆面3に、0.5μm<膜厚≦3μmとしたSnNi合金めっき層4を設けられている。ボールバルブ用ボールのめっき処理方法は、ボール弁体を治具に取付け、このボール弁体をSnNi合金めっき処理液を収容した容器内に浸漬させ、次いで、当該ボール弁体とめっき処理液に通電してボール弁体の素地の被覆面にSnNi合金めっき処理を施すようにする。ボールバルブは、流入口と流出口を有するボデー内にSnNi合金めっき処理を施したボール弁体をボールシートを介して内蔵し、このボール弁体をステムを介して回動自在に設けたものである。 (もっと読む)


太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 (もっと読む)


【課題】めっき液の管理が容易であって、かつSn合金のめっき液へのSn成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽1内に貯留したSn合金のめっき液に被処理基板Sを接触させた状態とし、被処理基板Sと電極14との間に通電して被処理基板SにSn合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽1との間で循環されるめっき液を貯留するタンク23と、タンク23内のめっき液をポンプ25で圧送しながらめっき槽1に供給するめっき液供給手段4とを有するとともに、めっき液供給手段4のポンプ25よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段6を設けた。 (もっと読む)


【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド(PAI)コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン(PTFE)コーティング712が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および/または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 (もっと読む)


【課題】微小な内径で且つアスペクト比が大きい細管の内壁に均一なめっき皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】細管10の内壁10aへの接触を防止する非導電性部材14が外周面に固定されている電極線12を前記細管10内に挿入し、前記細管10内壁と前記電極線12との間隙にめっき液を満たした状態で前記電極線12を前記細管10の管軸方向に往復移動させると共に前記めっき液を前記電極線12と同じ方向に交互に流動させる。そして、前記電極線12を+極、前記細管10を−極として直流電流を流して細管10の内壁10aにめっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】たとえ高抵抗の多孔質体を使用することで、電解めっき等の電解処理に伴って、多孔質体が発熱して電解液が上昇したとしても、電解液の液温を所定の値に維持することで、基板面内に均一な電解処理方法を提供する。
【解決手段】アノード58を内部に収容するとともに、下端開口部を多孔質体50で閉塞したハウジング48を有するアノードヘッド46と、基板保持部30で保持した基板の被処理面周縁部に接触して該周縁部をシールするシールリング34及び該周縁部に接触して被処理面に通電するカソード接点36を有するカソード部32と、ハウジング48内に温度が制御された電解液を該電解液が多孔質体50と接触するように供給して循環させるアノード側液循環ライン70と、多孔質体50が基板Wと近接した電解処理位置にあるときに該多孔質体50と基板Wとの間に温度が制御された電解液を供給して循環させる基板側液循環ライン72を有する。 (もっと読む)


【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具13によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極12の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極12と、この電極を支持する電極支持部20と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック66とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ17によって移動可能に構成されたものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、将来の設計および隙間を埋める必要性に対応するために拡張可能である、柔軟な構造で設計された電気化学堆積システムを供給し、および他の処理システムの要求に見合うための、十分な処理量を供給する。
【解決手段】電気化学堆積システムは、通常、メインフレーム・ウェーハ移送ロボットを有するメインフレームと、前記メインフレームに接するように配置されたローディング・ステーションと、前記メインフレームと接するように配置された一つ以上の処理セルと、および前記一つ以上の電気処理セルに流体で接続された電解液供給とを具備する。 (もっと読む)


【課題】LCDドライバ等の半導体製品では高さ約15〜20μmの電極形成のための金BUMPメッキ工程がある。LCDドライバの金BUMP表面形状は実装時のコンタクト性向上のため平坦性が要求されている。一方、実装時の位置決めを画像認識で行なっている関係上、BUMP表面外観は光の反射が少ない無光沢性が要求されている。BUMP表面を無光沢にするには、光をあらゆる方向へ拡散させるために、ミクロ的に、ある程度の表面の粗さを保つことが重要であるが、マクロ的にはBUMPの断面形状は平坦にしなければならないという一見、矛盾する問題がある。
【解決手段】本願発明は2段メッキの2段目(初期低電流密度メッキ後の高電流密度メッキ・ステップ)の終了部を低電流密度にするものである。 (もっと読む)


【課題】高生産性化及び高品質化を図ると共に、ストリップの両端部のエッジオーバーコートを防止して製品歩留まりの向上が可能な竪型噴流めっき装置を提供する。
【解決手段】貫通孔が並べて形成された電極12、13をめっき槽14内に対向して垂直配置した電極対15の間に、電極対15の上下方向の一側に設けられた給液ノズルから電解液を供給して電極対15内を満たすと共に、他側に設けられた排液ボックスで回収した電解液を排液手段で排出しながら、電極対15の間にストリップ18を垂直方向に走行させて電解めっきを行う竪型噴流めっき装置であって、電極対15内の幅方向両側には、電極対15内のストリップ18の幅方向両側部を上下方向に渡って連続して覆うエッジマスク19、20が、ストリップ18の幅方向に沿って進退自在にそれぞれ設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、金属基材の表面に形成されるめっき膜を均一に形成することができるローラーめっき法及びローラーめっき装置を提供することにある。
【解決手段】金属基材18の両面を挟持する一対のめっきロール10を回転させるとともにめっきロール10にめっき液12を給液し、金属基材18を鉛直方向に移動させながら金属基材18の両面に電気めっきを施すローラーめっき法であって、めっきロール10へのめっき液12の給液は、めっきロール10の少なくとも一部をめっき槽14内に収容されためっき液12に浸漬させるか又はめっきロール10に隣接するロールの少なくとも一部をめっき槽14内に収容されためっき液12に浸漬させ、前記隣接するロールを回転させることにより行われる。 (もっと読む)


【課題】積層セラミックコンデンサなどのチップ状電子部品の外部電極を形成するときのめっき処理の生産性を高めながらめっき不良を低減することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、残留磁性を有しない底面2と陰極電極7を有する側面3と備えためっき浴槽1の底面2の下側に磁気可変部4を配設し、めっき液18が充填されていないめっき浴槽1の底面2にニッケル等の磁性体を含有したチップ状電子部品15を配置して磁気可変部4に磁気を発生させた後、めっき液18を充填させてから磁気可変部4に磁気をなくして、めっき浴槽1を回転させてめっき浴槽1の側面3にチップ状電子部品15を配置させ電解めっき処理を行う。 (もっと読む)


【課題】帯状の被通電処理材料の通電部に擦り傷や引っ掻き傷を発生させることなくほぼ均一に通電処理することができる通電処理装置を提供する。
【解決手段】通電処理装置48Aは、感光ウエブ18の導電性金属部に接触しながら給電を行うカソード給電ローラ50Aと、カソード給電ローラ50Aよりも感光ウエブ18の搬送方向下流側に、めっき液61で満たされためっき槽60Aとを備えている。カソード給電ローラ50Aの表面は放電加工されており、表面粗さRyは、5μm以上、30μm未満が好ましく、10〜25μmがより好ましい。感光ウエブ18を挟んでカソード給電ローラ50Aと対向する位置には、感光ウエブ18の導電性金属部をカソード給電ローラ50Aに押圧する弾性ローラ52Aが、カソード給電ローラ50Aに対してほぼ水平方向に配設されている。 (もっと読む)


【課題】基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行えるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】下向きにした基板Wの被めっき面W1と、基板Wの下方に設置したアノード20との間にめっき液Qを介在した状態で基板Wとアノード20間に電圧を印加することで、被めっき面W1にめっきを行う。アノード20の上部に抵抗体30を設置して抵抗体30の上までめっき液Qを満たし、抵抗体30の上面に沿って抵抗体30の外周から中心の方向へ向かってめっき液Qを流すことにより抵抗体30上面の中央にめっき液Qの盛り上がりを作り、この状態で下向きにした基板Wを降下させることによりめっき液Qに浸漬させて、被めっき面W1と抵抗体30上面の間の隙間をめっき液で満たす。 (もっと読む)


【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を2.0M以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 (もっと読む)


対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の1つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 (もっと読む)


【課題】電解液やメッキ液が均一に分散されて均一な研磨面あるいはメッキ面が得られるようにする。
【解決手段】被研磨物や被メッキ物に圧接されて相対的に摺動されるパッドにおいて、被研磨物や被メッキ物に圧接される研磨層3を、超極細繊維で構成するとともに、下地層4に貫通孔4を形成し、貫通孔4を介して供給される電解液やメッキ液が、超極細繊維からなる研磨層3で均一に分散され、電流密度が均等になるようにしている。 (もっと読む)


【課題】接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられた、長寿命の可動接点が得られる、銀被覆ステンレス条およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはニッケルを主成分とする合金からなる基材と
前記基材の表面の少なくとも一部に形成されたニッケル、コバルト、ニッケル合金およびコバルト合金の何れか1つからなる下地層と、
前記下地層の上に形成された銅または銅合金からなる中間層と、
前記中間層の上に形成された銀または銀合金からなる最表層とを備え、
被覆層としての前記下地層、前記中間層および前記最表層に含まれる銅の総量が被覆面積1mあたり0.025mol以下であることを特徴とする可動接点用銀被覆複合材料。 (もっと読む)


【課題】表面の凹凸量が7μm以下であるフィルドビアを形成できるめっき方法を提案する。
【解決手段】 可撓性を有する絶縁性接触体が直接接触することにより、バブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層(めっき成分や添加剤濃度が薄い領域)を薄くすることができる。このため、バイアホール内部(凹内)を除く被めっき表面には、攪拌方法よりめっき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、バイアホールの内部(凹内)はバイアホール(凹)の深さ分拡散層の厚さが厚いので、攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、バイアホール内部(凹部)はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなり、入り込み量の小さいめっき層ができる。 (もっと読む)


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