【課題】トレンチやビアホール等の凹部内に選択的にめっきを行って、表面の平坦性が高いめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部１０と、基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面に当接して通電させるカソード１４と、基板保持部１０で保持した基板と対向して設置されるアノード３８及び該アノード３８と基板との間に配置される多孔質体２６を有するアノードヘッド２２と、アノード３８と基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面との間にめっき液を供給するめっき液供給部４４と、基板Ｗと多孔質体２６との間に配置され、めっきに際し多孔質体２６を介して基板Ｗの表面に押当てられる表面が平滑な多孔性の接触体５０を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき液の使用量を極力少なく抑えつつ、めっき液の各成分の濃度を長時間に亘って一定に保って、基板の表面により均一な膜厚のめっき膜を安定して形成できるようにする。
【解決手段】カソードとした基板Ｗの表面と不溶解性アノード９８との間にめっき液を満たして該表面に電解めっきを行うめっきセル１２と、めっき液をめっきセル１２に供給し回収して循環させるめっき液循環系１３６と、めっき液に含まれる成分をめっき液よりも高い濃度で含む補給液を、めっき液循環系１３６内を循環するめっき液に補給してめっき液の成分の濃度を一定範囲内に維持するめっき液成分補給系１３８を有する。 （もっと読む）

【課題】水素分離膜への一酸化炭素等の吸着を減少させ、効率的に水素ガスを分離精製することができる水素分離体、水素製造装置、水素分離体の製造方法及び水素分離体の製造装置を提供する。
【解決手段】水素分離体１００には、基体管１０１の内側表面に、超臨界ＣＯ２を用いためっきにより形成した水素透過層１０２が積層される。この基体管１０１は、触媒担持セラミックス層１０１ａと細孔セラミックス層１０１ｂとから構成される。この触媒担持セラミックス層１０１ａの多孔管内に、一酸化炭素ガスのシフト反応や部分酸化反応を行なう触媒金属を担持させる。また、細孔セラミックス層１０１ｂは、水素ガスを優先的に水素透過層１０２側へ供給する。Ｎｉ充填層１０３で生成された改質ガスに含まれる一酸化炭素ガス等は基体管１０１で低減される。 （もっと読む）

【課題】 中空形状物品の内面の必要内面域には、少量のメッキ液を使用して、性状の安定した貴金属メッキ層が効果的に形成されること。
【解決手段】 中空形状物品の内面メッキ方法及びその装置は、陽電極４を内挿した絶縁スペーサ５が中空形状物品１の内面２に配置される。この絶縁スペーサ５の筒状本体５ａに形成されるメッキ液の通過穴７は、貴金属メッキ層３の必要内面域Ａに対応する位置に穿設される。絶縁スペーサ５内では、荷電後に、前記メッキ液が注入されることによって、前記通過穴７を介して貴金属メッキ層３が必要内面域Ａに付着形成される。メッキ液注入は、スポイトなど適宜の方法で行えるが、注入管８及び溢水受け９を備えるようにすれば、メッキ液の管理が容易に行え省資源化にも寄与する。 （もっと読む）

【課題】 電気化学的手法を用いた、電気メッキ方法や電気エッチング方法において、自由に、パターン、文字、写真画像などを簡便にプリントすることが可能な、コンパクトなプリントヘッドを提供すること。
【解決手段】 本発明の電気化学プリントヘッドは、エッチング液１２を満たし、下面に微小な穴の開いたタンク１１と、タンク１１の外側に配置された接触電極１４に対して、負または零電位となるように、タンク内に配置した容器内電極１３に選択的に電圧を印加するためのスイッチ配線１８とを備え、微小穴を金属媒体にほぼ密着させながら移動させ、金属媒体にパターン形成をする。 （もっと読む）

【課題】 水平型電気錫めっきラインを用いた錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の水平型のめっきセルを有する水平型電気錫めっきラインを用いて、鋼帯に電気錫めっき処理を施すに当たり、複数のめっきセルのうち、少なくとも錫めっき付着量に応じて決定される必要セル数のめっきセルには、めっき液を供給し、かつめっき液を供給しないめっきセルを１つ以上設けてめっき処理を行う。必要セル数は、Ｉ／Ｑ＝｛Ｋ×（ｍ×W×LS）／η｝／Ｑ（ここで、Ｉ：片面当たりのめっき全電流（Ａ）＝Ｋ×（ｍ×W×LS）／η、なお、Ｋ：係数、ｍ：目標の片面当たりの錫めっき付着量（g/m² ）、W：鋼帯幅（mm）、LS：鋼帯搬送速度（m/min）、η：陰極電流効率、Ｑ：１セル当たりの整流器容量（Ａ））で決定されるＩ／Ｑ値より大きい整数のうちの最小値とする。めっき液を供給しない残りのめっきセルでは、鋼帯に水またはめっき液を噴霧することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】添加剤の消耗量を抑え、効率的にめっき液を使用することでランニングコストと環境負荷の低減を同時に実現することができ、また、高品質のめっき処理を行うことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液４５を保持するめっき槽５０と、カソードに接続された基板Ｗを少なくともめっき液４５中で保持するヘッド部４７と、めっき槽５０の内部に配置されるアノード４８と、めっき液４５をめっき槽５０に供給するめっき液噴出ノズル５３とを備える。めっき液４５の電気伝導率よりも小さい電気伝導率の高抵抗要素３２４を基板Ｗとアノード４８との間に配置する。めっき液噴出ノズル５３は、めっき処理に先立って高抵抗要素３２４にめっき液４５を供給する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に設けられた細孔２２内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液Ｉ（２７）および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液ＩＩ（２６）を用意する工程、該溶液Ｉ（２７）を基板の細孔内に充填する工程、溶液Ｉを充填した基板を溶液ＩＩ（２６）に浸漬し、溶液Ｉの金属イオンと溶液ＩＩの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属２８を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６１では、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽６１内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第１金属膜としてのＰｄ膜が形成されると、制御部８０は、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源６２のスイッチをオンにする。これにより、ＣＯ２及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽６１内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤を有し、多孔質膜に直接接触しても、多孔質膜の内部に浸入することがないようにした湿式処理液を提供する。
【解決手段】 界面活性剤が添加され、多孔性膜表面の湿式処理に使用される湿式処理液であって、界面活性剤として、溶液として前記多孔質膜に対する接触角が９０°より大きく、１８０°以下となるものを使用した。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮する。
【解決手段】 可溶性銅塩及びベース酸を含有する電気銅メッキ浴において、ベース酸がグリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸よりなる群から選ばれたオキシカルボン酸又はその塩の少なくとも一種である電気銅メッキ浴である。また、これらの特定オキシカルボン酸と有機スルホン酸の混合酸、或は、イセチオン酸などの特定の有機スルホン酸をベース酸としても良い。特定の有機酸をベース酸にする銅メッキ浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有するため、ビアホールとスルーホールの混在する基板にも良好に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高品質処理を確実に行うことができる平板形状物の表面処理装置を提供する。
【解決手段】前置干満槽１０ＮＦと後置干満槽１０ＮＢとを処理槽１０Ｎの前後に配設し、前置干満槽１０ＮＦに関する導入側ゲート開閉手段，前置側液供給手段および前置側液排出手段と、処理槽１０Ｎに関する搬入側ゲート開閉手段および搬出側ゲート開閉手段と、後置干満槽１０ＮＢに関する後置側液供給手段，後置側液排出手段および導出側ゲート開閉手段とを設け、これら手段を所定の手順に従って駆動制御する駆動制御手段を設け、平板形状物２００を大気中搬送により前置干満槽１０ＮＦに導入し、満液状態の前置干満槽１０ＮＦから液中搬送により処理槽１０Ｎに搬入しかつ表面処理後の平板形状物２００を満液状態の後置干満槽１０ＮＢへ液中搬送により搬出させ、その後に後置干満槽１０ＮＢから大気中を導出させかつ後方側に排搬送できるように形成されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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【課題】ウエハ上の汚染の低減，及び処理費用の削減を測りつつ，その表面への流の供給,除去を効率良く行う装置並びに方法を提供する。
【解決手段】 多数の実施形態の１つとして、基板を処理するための方法と該方法に使用する近接型プロキシミティプロセスヘッドが開示される。該方法は、第１の流体メニスカスと、該第１の流体メニスカスを少なくとも部分的に取り囲む第２の流体メニスカスと、を生成する工程を含み、第１の流体メニスカスおよび第２の流体メニスカスは、基板の表面上に生成される。 （もっと読む）

めっき対象面全面に、より均一な膜厚のめっきを施すことができるカップ式めっき装置を提供する。めっき槽の開口端に設けられためっき対象物の載置部と、めっき槽内にめっき液を供給する手段と、めっき槽に形成されためっき液の流出口とを備えていると共に、当該流出口から流出しためっき液が流入する空洞部と、空洞部内のめっき液の放出口と、当該放出口から排出されためっき液の回収槽とを備えており、めっき槽内にめっき液を供給しながらめっき対象物にめっき処理を行うカップ式のめっき装置において、放出口の形状および／または開口面積を変更可能にした。空洞部の下流側に形成される放出口の形状および／または開口面積を調節できれば、これを調節することで、めっき対象面におけるめっきムラやめっきのバラツキの発生を抑制できる。
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【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品に対して、厚膜の部分めっきを効率よく施すことを可能にする部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 頂面と底面の双方にて開口した複数の筒状めっき液保持容器、各筒状めっき液保持容器の内部に備えられた一方の電極、該電極に電気的に接続された電源、各筒状めっき液保持装置の開口底面に接続するめっき液供給容器、筒状めっき保持装置の周囲に備えられためっき液回収容器、そして上記電源の他方の極に電気的に接続された電子部品仮保持具からなる電子部品の部分めっき装置。 （もっと読む）

【課題】めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また、めっき剥がれが生じることがなく、粒径の小さい被めっき微粒子に対して均一なめっき層を形成することができる導電性微粒子の製造装置、導電性微粒子の製造方法、及び導電性微粒子を提供する。
【解決手段】表面に電気めっき層が形成された導電性微粒子の製造装置であって、めっき槽とめっき槽内に浸漬した状態で回転可能なバレル（５）と陰極と陽極とを備え、陰極（９）はバレルの内壁に配設され、バレルは容量が１０〜３００ｍｌであり、めっき液のみが通過可能なように被めっき微粒子の粒径未満の孔径のフィルター（７）を有し、バレル内にめっき液を強制的に供給しながら又はバレル内からめっき液を強制的に抜き出しながら電気めっきを行い得る手段を有する導電性微粒子の製造装置、好ましくは陰極（９）はバレルの回転軸（２０）と平行に設けられたバレル側面の内壁に配設される製造装置。 （もっと読む）

電気化学堆積の方法において、対象となる小さな回路素子上で電解質溶液の微小滴を使用する。対象となる回路素子のみを電気的にバイアスし、微小滴の下で素子の表面上に堆積を起こさせるが、その素子が別の微小滴の下になければそこには堆積は起こらない。本発明により、従来の浸積および／または含浸法と比較して、わずかな量の電解質を用いて、極めて正確でかつ選択的な電気化学堆積が得られ、マスクまたはエッチングの必要が省かれ、製造コストおよび生成する電解質溶液廃棄物の量を低減する。
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基板に金属をメッキする方法及び装置。本装置は、メッキ液を含有するように構成された液体ベースンと、液体ベースンの下の部分に配置された陽極液体容積と、液体ベースンの上の部分に配置された陰極液体容積と、陽極液体容積を陰極液体容積から分けるために配置されたイオン膜と、陽極液体容積の中央に配置されたメッキ電極と、陽極液体容積においてメッキ電極に隣接して配置された非メッキ電極とを含んでいる。 （もっと読む）