【課題】比較的簡単な構成で、めっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高め、めっき膜の埋込み等をより短時間で確実に行うことができるようにする。
【解決手段】めっき槽の内部に該めっき槽内のめっき液に浸漬されるように配置され、ホルダで保持した被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射してめっき槽内にめっき液を供給する複数のめっき液噴射ノズル４０６を有するノズル配管４００を備え、該ノズル配管４００は、縦パイプ４０２と横パイプ４０４とを格子状に組んで構成され、ホルダで保持してめっき槽内にめっき液に浸漬させて配置される被めっき材の被めっき面と平行に横方向及び／または縦方向に移動自在に構成されている。 （もっと読む）

【課題】高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離し、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用する。
【解決手段】電解反応を起すアノードとカソードを含有する硫酸鉄溶液が入った処理槽中に、表面にニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑を浸漬し、２Ｆｅ^３＋＋Ｎｉ→２Ｆｅ^２＋＋Ｎｉ^２＋なる化学反応によりニッケルめっきを剥離すると共に、Ｆｅ^２＋→Ｆｅ^３＋＋ｅ⁻なる電解反応にて、消費されたＦｅ^３＋を再生することにより、連続的にニッケルめっきを剥離し、銅又は銅合金の製造用原料として使用する。硫酸濃度５０〜６００ｇ／ｌ、Ｆｅ濃度１〜５０ｇ／ｌの剥離液を用い、電解再生時のカソード電流が５〜１００Ａ／ｄｍ^２、アノード電流が０．０１〜１０Ａ／ｄｍ^２である時に顕著に効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極用凹部の底部からのめっき膜の成長速度を遅くすることなく、貫通電極用凹部内に銅等の金属を、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく完全に充填することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】表面に貫通電極用凹部１２を有する基板Ｗとアノードとをめっき液中に互いに対峙させて配置し、基板Ｗとアノードとの間に電圧を印加しながら基板Ｗとアノードとの間のめっき液を攪拌して貫通電極用凹部１２内へ金属を充填し、貫通電極用凹部内１２への金属の充填量に相関して、基板とアノードとの間のめっき液の攪拌条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】めっき浴への気体吹き込みによって発生しためっき液飛沫がめっき浴投入前の被めっき基材に付着することを防ぐことによって、めっき処理のムラを改善し、隣接する配線の間隔が数十μｍ以下と極めて高精細であっても配線同士が接合することのない、めっき処理装置を提供する。
【解決手段】長尺帯状の被めっき基材４をめっき処理するめっき槽１、およびめっき浴３にバブリングを行う気体吹き込み手段２，１０，１１を有するめっき処理装置であって、少なくとも複数の案内ロール６ａ〜６ｄおよびベルト５から構成されるめっき液飛沫付着防止手段と、該ベルト５に付着しためっき液飛沫８を除去するめっき液飛沫除去手段１６とを少なくとも有するめっき処理装置。 （もっと読む）

【課題】取扱いが比較的容易な無機酸浴を用いて、効率良くめっき層を形成することが可能なめっき付銅条材の製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金からなる銅条材を連続的に走行させながら、その表面に多層に金属めっき層を形成した後、リフロー処理するめっき付銅条材の製造方法であって、各金属めっき層を、無機酸を主成分とするめっき液からなるめっき浴内に、不溶性アノードと銅条材とを浸漬し、レイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材及びめっき浴内のめっき液を相対移動させながら通電するとともに、電流密度を５〜６０Ａ／ｄｍ^２の範囲内とした電解めっきにより形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、めっき速度を高め、しかもめっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにする。
【解決手段】めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、該めっき槽１８６内のめっき液１８８中に浸漬されて被めっき材Ｗの被めっき面と対向する位置に配置され、被めっき材Ｗの被めっき面と平行に往復運動してめっき液１８８を攪拌する攪拌翼２３４を備えた攪拌機構２３６とを有し、攪拌翼２３４の少なくとも１辺には凹凸２３４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板表面上に高速で硬質クロム層の沈着をするための方法に関する。
【解決手段】本発明に係る方法は、被覆される基板表面が、周囲圧力に対して減圧下でガルバニー電気沈着に適するクロム含有電解質と接触され、クロム層の基板表面上への沈着中に、基板表面と電解質の相対的運動が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の内部のめっき液Ｑに浸漬される位置に鉛直に配置されるアノード２２０と、基板Ｗを保持してアノード２２０と対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽Ｑの外方に配置され、基板ホルダ２６で保持してアノード２２０と対峙した位置に位置させた基板Ｗの周囲に磁界を発生させる磁界発生装置１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】リフロー処理を行う必要がなく、摩擦係数が低く、嵌合部の挿入力の低下と半田付け部の半田濡れ性の向上の両立が可能な端子の材料として使用することができる、複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】錫めっき液に炭素粒子を添加した複合めっき液１１６を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材１２０上に形成する複合めっき材の製造方法において、複合めっき液１１６を攪拌翼１１４の回転により攪拌するか、あるいは、複合めっき液１１６をポンプで圧送して攪拌することにより、複合めっき液１１６の流れの状態を示すレイノルズ数を１８０００以上にした状態で電気めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】(ｉ)爆発の危険性がなく、(ii)安全に取り扱うことができ、(iii)平滑で、低電流密度部分まで着き回り性の良い均一なめっき皮膜が得られ、(iv)高い耐食性のめっき皮膜を得ることができる電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴を提供すること。
【解決手段】(Ａ)アルミニウムハロゲン化物、(Ｂ)Ｎ−アルキルピリジニウムハライド類、Ｎ−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルイミダゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ，Ｎ’−アルキルピラゾリウムハライド類、Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類及びＮ，Ｎ−アルキルピロリジニウムハライド類からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物、(Ｃ)高沸点芳香族炭化水素溶媒を含む電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴であって、(Ａ)アルミニウムハロゲン化物と(Ｂ)化合物とのモル比が１：１〜３：１であり、引火点が５０℃以上である、電気Ａｌ又はＡｌ合金めっき浴。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽１０内のめっき液Ｑに浸漬させて配置されるアノードと、被めっき体Ｗを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダと、格子部３２ｂを有する板状部材からなり、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドル３２を駆動するパドル駆動部４２を制御する制御部４６を有する。 （もっと読む）

【課題】めっきによる金属膜の成膜をビアホール内に選択的に行って、ビアホール内を欠陥なくめっき膜で充填するとともに、ビアホール以外に形成される余分な金属膜を極めて薄くできるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を保持するめっき槽１８６と、めっき槽１８６内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１２と、被めっき材を保持して該被めっき材に通電し、被めっき材をアノードと対向する位置にめっき液に浸漬させて配置するホルダ１６０と、アノードとホルダで保持した被めっき材との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０と、ホルダで保持してめっき液中に浸漬させて配置した被めっき材の被めっき面に面するめっき液中にバブルを供給するバブル供給部２２２と、被めっき材とアノードとの間に電圧を印加するめっき電源２３０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりする方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２６と、被めっき体Wを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダ２４と、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され、該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドルを駆動するパドル駆動部を制御する制御部を有し、制御部は、パドルの移動速度の絶対値の平均が７０〜１００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにパドル駆動部を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバ等の半導体製品では約１５〜２０μｍの金バンプ(Bump)電極形成のためのバンプ・メッキ工程がある。このバンプ・メッキ工程は、所定のメッキ液を用いて電気めっきにより行われるが、量産工程において間歇的にバンプ電極上に突起が発生するという問題がある。
【解決手段】本願発明は金バンプ・メッキ工程の開始前に、被処理ウエハごとに、メッキカップを正立させた状態でメッキ液を循環させながら撹拌して、析出物を効率よく溶解・排出させる工程を追加することによって、金バンプ電極上に突起が異常成長することを防止するものである。 （もっと読む）

【課題】めっき液中に基板を懸垂浸潰してめっき基板を製造するにあたり、基板の面内におけるめっき膜厚の均一性の向上、基板の両面でのめっき膜厚の差の縮小を実現できる技術の開発。
【解決手段】基板１の下端部に沿ってその下側に延在配置される細長部材であり、その下部あるいは全体の断面形状が、下方に凸の山形とされ、この断面山形部分が、前記めっき液中を上昇する気泡流を前記基板の両側に振り分ける気泡振り分け部として機能するめっき電流遮蔽体３０、めっき用治具２０、めっき装置、めっき基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】界面活性剤を含むめっき液の泡沫層中で電気めっきを行う場合、安定しためっき液の泡沫層を確保し、めっき皮膜のピンホールやピットの発生を抑制する電気めっき方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤を含むめっき液の直径０．５ｍｍ未満の泡から構成され、１０秒間における体積減少率が５０％以下であるように調製しためっき液泡沫を陽極及び被めっき部材である陰極とに接触させ、被めっき部材の表面にめっき液泡沫を連続的に供給しながら、陰極及び陽極間に電圧を印加し被めっき部材の表面にめっき皮膜を形成する電気めっき方法。 （もっと読む）