Fターム[4K024CB12]の内容

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【課題】電流密度Dkを変化させて行なうめっき皮膜の製造方法において、従来よりも簡易にめっき皮膜表面の凹凸欠陥を低減できるめっき皮膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電流密度Dkを段階的に増加させながらめっき皮膜を形成する、めっき皮膜の製造方法において、電流密度の増加にあわせてめっき液の攪拌速度Vを増加させる事を特徴とするめっき皮膜の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽302と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード318と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ26と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置306を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル332a,332b,332cを有する。 (もっと読む)


【課題】 電気銅メッキ浴において、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成する。
【解決手段】 (A)可溶性銅塩と、(B)酸又はその塩と、(C)特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成でき、ビアホールとスルホールが混在する基板に本発明の電気銅メッキ浴を適用することで、生産性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤ表面のめっきの成長速度を向上させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液3内を走行するワイヤ4の表面にめっきを施すものであって、めっき液3を収容するめっき液槽5と、該めっき液槽5内に縦向きに配置される柱状体6と、めっき液槽5の内周面51と柱状体6の外周面61の間に形成されるリング状流路Xを縦方向に走行するワイヤ4に対して、リング状流路Xでめっき液3を流動させる流動機構9と、を備えるめっき装置。 (もっと読む)


【課題】めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、基板の被めっき面にめっきを施すためのめっき装置であって、前記めっき装置は、めっき液が保持される複数のめっき槽133と、前記複数のめっき槽のそれぞれに対応して配置され、前記複数のめっき槽内のめっき液を循環させる複数のポンプ112と、前記複数のポンプの吸込側をそれぞれ対応する前記複数のめっき槽に連結する複数の吸込配管202、203、204と、前記複数のポンプの吐出側をそれぞれの前記吸込側に連結される前記めっき槽とは異なる他のめっき槽にそれぞれ連結する複数の吐出配管と、を備え、前記複数のめっき槽と前記複数のポンプは直列に連結される。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】高い電流密度下でも半導体ウエハにめっき焼けやめっき形状の凹凸を呈することなく、めっき面内均一性が得られ生産性を向上できるカップ型めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽の下部からめっき液を噴出する液流入部と、めっき槽内に設置されるアノード2と、めっき槽の上部で半導体ウエハ4と電気的に接続されるカソード3とを備えた、半導体ウエハ4の表面にバンプ電極を形成するカップ型めっき装置であって、前記アノード2を十分な電極面積を有するプロペラ形状とし、回転可能にめっき槽底部のシャフト7に連結したカップ型めっき装置。 (もっと読む)


【課題】めっき液を撹拌し、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布を均一にするめっき装置において、装置を小型化でき、撹拌するための運転費を不要とすることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】ポンプ14が駆動すると、めっき液タンク6内のめっき液3がめっき液供給配管13等を介してノズル構成体15の角筒状のノズル17に供給される。ノズル17の先端の開口部17aは時計方向側に開放されているため、開口部17aからめっき液3が時計方向に向かって流出され、その流出力によりノズル構成体15が反時計方向に回転され、めっき液3が撹拌される。この場合、ノズル構成体15を回転させるためのそれ専用の機構を必要とせず、その分小型化することができ、まためっき液3を撹拌するための運転費を不要とすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、基板2が槽11内の液体Lに浸漬した状態で、供給口111から排出口112へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段18を備える。 (もっと読む)


【課題】めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオン及びキレート剤を含み、pHが6以上9以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度の値が2.4より大きく、4.5以下である。 (もっと読む)


【課題】被めっき部材の表面に形成されるめっき皮膜のピンホールやピットの発生を抑制する電気めっき方法及びめっき部材を提供する。
【解決手段】めっき浴槽20内に、平均粒子径20μm〜300μmの粒子を5体積%〜65体積%の範囲で含むめっき液21を満たし、めっき浴槽内のめっき液中に被めっき部材11及び陽極13を配置し、被めっき部材11及び陽極13を配置しためっき浴槽20内を、めっき液の蒸気圧Pb〜(蒸気圧Pb+15kPa)の範囲の圧力に保持し、圧力を保持しためっき浴槽20内において、陽極13を上流側とし被めっき部材11を下流側としてめっき液21を流動させ、めっき液を流動させつつ、被めっき部材11及び陽極13間に電圧を印加し被めっき部材の表面にめっき膜を形成することを特徴とするめっき部材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置にする。
【解決手段】メッキ液Lと基材粒子20aを貯留可能なメッキ室11dを有するメッキ槽11aと、メッキ室11dにメッキ液Lが貯留された状態でメッキ液Lに浸漬される陽極13aおよび陰極13bと、陽極13aと陰極13bとの間に電位差を与える電源14と、陰極表面に沿ってメッキ液Lと基材粒子20aを流動させる流動発生手段12eと、極性の異なる磁極面15aを複数並べて向きが交互になる複数の磁界15bを形成する磁気回路15とを備え、流動する基材粒子20aが前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されたメッキ装置10とする。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、内部に液体Lが供給されるとともに、供給された前記液体Lに基板2を浸積させる槽11を備える。処理装置1は、第一供給口111Aから第一排出口111Bに向かって液体Lを流すとともに、第二供給口112Aから第二排出口112Bに向かって液体Lを流すと、液体Lが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板2の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板2の一方の面における液体Lの平均流速と、他方の面における液体Lの平均流速とを異ならせる調整手段を有する。 (もっと読む)


【課題】銅張積層板を配線基板として機器内に組み込む際のハンドリング性に優れ、コネクタに接続される銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔の片面に樹脂が積層され、樹脂と反対側の銅箔の表面の少なくとも一部にNi下地めっき層が形成され、Ni下地めっき層上であってコネクタ20を接続する部分にAuめっき層12が形成され、Auめっき層を外側として180度密着曲げを行った場合に、銅箔の導通が遮断されるまでの曲げ回数が3回以上である銅張積層板である。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成の磁場発生手段でも効果的な攪拌によりめっき膜厚を均一化できるとともに低濃度のめっき浴でも高速めっきが可能である電解めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき浴11内にアノード電極20とカソード電極21とを対向して配設し、アノード電極20とカソード電極21との間に電場を与えてめっきを行う電解めっき装置において、カソード電極21の近傍領域に前記電場に対して直交する成分をもつ磁場を形成する磁場発生手段130をカソード電極21の反アノード電極20側に配設するとともに、前記磁場をカソード電極21の面内方向に対して平行に移動させることのできる磁場移動手段132を備えてなる構成とする。 (もっと読む)


【課題】配線用凹部の内部に、内部にボイドを生じさせることなく、めっき金属をより高速で埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に配線用凹部を有する基板を用意し、促進剤、金属イオン及び酸を含む第1前処理液に基板を浸漬させて第1前処理を行い、第1前処理液に含まれる促進剤の効果を阻害する添加剤を含み且つ促進剤を含まない第2前処理液に基板を浸漬させて第2前処理を行い、しかる後、基板の表面に、少なくとも金属イオン、酸及び抑制剤を含み、促進剤を含まないめっき液を使用した電解めっきを行って、配線用凹部内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、内部に液体Lが供給されるとともに、供給された液体Lに基板2を浸積させる槽11と、槽11内部に配置される基板2の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板2を保持する保持部13とを備える。処理装置1は、槽11の供給口111から排出口112に向かって液体Lを流すと、液体Lが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 (もっと読む)


処理される材料(10)、特に、処理される平坦な材料(10)の湿式化学処理のためのデバイス(1)は、処理される材料(10)を処理液(9)で処理するための処理容器(2)と、処理される材料(10)を処理容器(2)を通して輸送するための輸送デバイス(24)と、不活性気体(16)を処理容器(2)に供給するための供給デバイス(11)とを備える。
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【課題】板状ワークを傷をつけたりすることなく安全に搬送でき、かつ均一なめっき品質及びめっき膜厚を達成できる処理槽を提供する。
【解決手段】遮蔽手段は、薄板基板Wの上端部および下端部に、次の4つの遮蔽板108、109、112、113を備えている。規制ローラ手段304は、ほぼ薄板基板Wの上部付近まで達する高さで下部基板遮蔽板108の上面に立設されたローラ立設体120と、外れ防止部材122とで構成されている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ外周面に対して効率良くブラシめっきを施すめっき方法、及び、めっきが施されたワイヤ外周面に対して砥粒を効率良く供給して電着させることにより、電着ワイヤ工具の生産性を向上させる電着ワイヤ工具製造方法を提供する。
【解決手段】 ワイヤをめっき液内で擦過する擦過部材により当該めっき液を流動させながら前記ワイヤ表面にめっきを施す。また、前記ワイヤと前記擦過部材の擦過部分が前記めっき液に覆われるようにする。 (もっと読む)


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