【課題】処理対象物を搬送、給電などを行う複数のロールにめっき液が付着することを効果的に防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】複数のロールにより略水平方向に搬送される処理対象物を受け入れる入口部１２１と、処理対象物の被めっき面へ下方からめっき液を噴出するめっき液供給部と、処理対象物にめっき電流を供給する給電ロール１１３，１１４と、めっき処理された処理対象物を排出する出口部１２２とを設けためっき槽を備えるめっき装置１００において、めっき液供給部は、被めっき面に対して、入り口部側の斜め下方からめっき液を噴出する第一供給ノズル１３２と、出口部側の斜め下方からめっき液を噴出する、第一供給ノズルに対向して設けられた第二供給ノズル１３３とからなり、第一供給ノズル１３２から噴射されためっき液と、第二供給ノズル１３３から噴射されたメッキ液とが、被めっき面で衝突して落下するようにした。 （もっと読む）

【課題】軸体上に形成されためっき皮膜の厚さの均一性に優れる、めっき皮膜を有する軸体の製造方法および軸体上に亜鉛系めっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】軸体８の被めっき部を内包し両端部が鉛直方向に開口する中空部を有する管状の管状部材７、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口の上方に設けられ前記軸体を前記中空部内に保持する支持手段１、前記中空部の鉛直方向下側端部の開口から前記中空部内にめっき液を供給するめっき液噴流手段、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口近傍に設けられ前記めっき液噴流手段により前記中空部内に供給されためっき液を前記管状部材外に排出可能にする排出構造９、および前記排出構造を通じて前記管状部材から排出されためっき液を前記めっき液噴流手段に供給する環送手段を備え、前記支持手段は前記軸体と電気的に接続可能な接点部２を備え、前記管状部材はその中空部に不溶性陽極を備える。 （もっと読む）

【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置１００は、底面にめっき液噴出口１３０が形成されためっき槽１１０と、めっき液噴出口１３０の上部に位置し、スリット１５５が形成された陽極部１５０と、めっき槽１１０の上部に位置する陰極部１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】節状や樹枝状のめっき金属結晶が金属帯の表面に生じ難く、しかも、めっき層と金属帯を高い密着性のもとで電気めっき処理することのできる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解槽２と、電解槽２内で金属帯Ｓを通板させる送り機構３と、電解槽２内で金属帯Ｓの通板方向（Ｘ３方向）もしくはこれと逆の方向（Ｘ４方向）にめっき液を流す流通機構５と、金属帯Ｓを挟む位置に配設された一対の電極１Ａ，１Ｂと、から構成された電気めっき装置１０であって、一対の電極１Ａ，１Ｂはともに、対応する位置でかつ通板方向に凸部１ｂと凹部１ａを交互に備え、双方の電極の凸部１ｂ、１ｂ間で電極間距離が短くなり、双方の凹部１ａ，１ａ間で電極間距離が長くなっており、金属帯Ｓが入ってくる入側の端部において、通板方向長さの最も長い凹部１ａ’、１ａ’が配されている。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電気化学堆積ツール用プラットフォーム上を流れる堆積用液のより大きな流れから堆積用液のより小さな流れを迂回させるシステムを提供する。
【解決手段】より小さな流れは迂回して別のプラットフォーム１５４上にあってもよい投与装置２６２へ向かう。一実施例において投与装置は加圧されたフローラインを含む。 （もっと読む）

【課題】 スポットめっきの課題として、めっき滲みがある。めっき滲みを抑制するには、マスク部の厚みを厚くする、めっき液の流速を低下させるなどの方法があるが、いずれも、めっきヤケの発生、耐食性の低下などの問題があった。これらは、Ａｕめっきの電流密度を下げることで回避可能であるが、生産性が低下するという問題があった。
【解決手段】 部分めっき装置の開口部を、曲線部を含み、曲線部の長さが開口部の全外周部の長さの４割以上となる形状とする。開口部を正方形または長方形から円または楕円に近づけることで、マスク材の厚みを厚くすることなく、生産性を維持し、めっきヤケの不具合がなく、かつめっき滲みが少ない部分めっき方法および部分めっき装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】めっき液を撹拌し、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布を均一にするめっき装置において、装置を小型化でき、撹拌するための運転費を不要とすることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】ポンプ１４が駆動すると、めっき液タンク６内のめっき液３がめっき液供給配管１３等を介してノズル構成体１５の角筒状のノズル１７に供給される。ノズル１７の先端の開口部１７ａは時計方向側に開放されているため、開口部１７ａからめっき液３が時計方向に向かって流出され、その流出力によりノズル構成体１５が反時計方向に回転され、めっき液３が撹拌される。この場合、ノズル構成体１５を回転させるためのそれ専用の機構を必要とせず、その分小型化することができ、まためっき液３を撹拌するための運転費を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板を良好に迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような溶液保持容器１３０に溶液供給機構１４１が基板処理溶液ＴＬを上方から下方に落下させて順次供給する。このように上方から下方に落下する基板処理溶液ＴＬを溶液乱流機構１４２が処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳに圧送する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは基板処理溶液ＴＬが単純に上方から下方へ落下するだけではなく、乱流となって圧送されることになる。 （もっと読む）

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有する高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。 （もっと読む）

【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段１８を備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の基板面内均一性に優れためっき膜を形成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】側壁３０と側壁に囲まれた開口部３１とを有するカップ２０と、ウエハ９０を、カップ２０の開口部に対向させると共に、カップと離間して保持する電極ピン７０およびウエは押さえ８８と、ウエハ９０の外周部に接触する電極ピン７０と、カップ２０内のめっき液６０に接触して配置されるアノード電極５２と、カップ２０にめっき液を供給し、めっき液をウエハに接触させた後、カップとウエハとの間の隙間８２からオーバーフローさせるポンプと、カップの側壁に設けられたスリット３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブル配線板として使用される２層金属化樹脂フィルム基板の生産性を向上させ、同時に寸法安定性やシミ等の変色をなくすことができる金属化樹脂フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属薄膜付樹脂フィルムＦをめっき液４への浸漬を繰り返して搬送させながら、複数の給電ロール６ａ〜６ｄから給電して金属薄膜表面に電気めっきする際に、各給電ロール６ａ〜６ｄとめっき液４の液面の間で、金属薄膜付樹脂フィルムＦのアノード８ａ−１〜２、８ｂ−１〜２、８ｃ−１〜２、８ｄ−１〜２に対向しない表面に、１０℃〜３２℃の温度のめっき液又は水を吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽１と、ウェハー支持部３と、めっき液噴射ノズル土台配管１２と、ウェハー２の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル１３とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル１３から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽１の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル１３から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー２の被処理面に向かって再度噴射される。 （もっと読む）

【課題】電解槽のめっき液の流れを均一にし、スラッジ発生の多い電解液を使用する場合でも、電解槽内のスラッジ堆積を防止し、流速の影響を受けて、めっき品質の低下を生じさせない水平型流体支持めっき装置を提供する。
【解決手段】第１、第２の不溶性陽極１２、１３の間と第３、第４の不溶性陽極１４、１５の間に配置され、めっき液を供給するスリット３７〜４０をそれぞれ有する上静圧パッド１６及び下静圧パッド１７と、第１〜第４の不溶性陽極１２〜１５の入側及び出側に第１〜第４の不溶性陽極１２〜１５とは隙間を有して配置されてストリップ１１を上下から挟持する第１、第２の上下対となる通電ロール２１、２３及びバックアップロール２２、２４とを有する水平型流体支持めっき装置１０において、上静圧パッド１６と下静圧パッド１７に、ストリップ１１と直交しその全幅に渡って直線状のスリット３７〜４０を少なくとも２本隙間を有して平行に配置した。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム材に対し、密着性の高い亜鉛めっき皮膜を形成する。
【解決手段】 アルミニウム材に対し、苛性洗浄によって表層部の深さ１〜１０μｍの部分を除去する前処理を行い、その後、亜鉛めっき液中に浸漬したアルミニウム材を、２５ｍ／ｍｉｎ以上の速度で相対的に移動させながら電気めっきをする。アルミニウム材の一例として、熱交換器用チューブ（２）または熱交換器用ヘッダーパイプ（４）を挙げることができる。 （もっと読む）

【課題】竪型噴流メッキ装置の電極交換を簡単にできるようにし、電極交換に伴う設備停止期間を短縮して生産性の向上を図ることができる、竪型噴流メッキ装置の上部給液装置及び上部排液装置を提供する。
【解決手段】電極２が配置された電極ボックス１内に電解液を供給する給液装置を受液部とノズル部に分割し、受液部を電極ボックスへ連通させて取り付けるとともに、給液配管と接続して水密構造とし、受液部の内部に幅方向の液供給を均一化するノズル部を着脱自在かつ位置決め可能に配置した構造とする。さらに、電解液を排液する排液装置も給液ノズルと同様に、電極ボックス１から電解液を排液する給液装置を受液部５と整流堰部に分割し、受液部５を電極ボックスへ連通させて取り付けるとともに、排液配管１９と接続して水密構造とし、受液部５の内部に整流堰部を着脱自在かつ位置決め可能に配置した構造とする。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）