【課題】 ワイヤ表面のめっきの成長速度を向上させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液３内を走行するワイヤ４の表面にめっきを施すものであって、めっき液３を収容するめっき液槽５と、該めっき液槽５内に縦向きに配置される柱状体６と、めっき液槽５の内周面５１と柱状体６の外周面６１の間に形成されるリング状流路Ｘを縦方向に走行するワイヤ４に対して、リング状流路Ｘでめっき液３を流動させる流動機構９と、を備えるめっき装置。 （もっと読む）

【課題】めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、基板の被めっき面にめっきを施すためのめっき装置であって、前記めっき装置は、めっき液が保持される複数のめっき槽１３３と、前記複数のめっき槽のそれぞれに対応して配置され、前記複数のめっき槽内のめっき液を循環させる複数のポンプ１１２と、前記複数のポンプの吸込側をそれぞれ対応する前記複数のめっき槽に連結する複数の吸込配管２０２、２０３、２０４と、前記複数のポンプの吐出側をそれぞれの前記吸込側に連結される前記めっき槽とは異なる他のめっき槽にそれぞれ連結する複数の吐出配管と、を備え、前記複数のめっき槽と前記複数のポンプは直列に連結される。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電気化学堆積ツール用プラットフォーム上を流れる堆積用液のより大きな流れから堆積用液のより小さな流れを迂回させるシステムを提供する。
【解決手段】より小さな流れは迂回して別のプラットフォーム１５４上にあってもよい投与装置２６２へ向かう。一実施例において投与装置は加圧されたフローラインを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき液を撹拌し、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布を均一にするめっき装置において、装置を小型化でき、撹拌するための運転費を不要とすることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】ポンプ１４が駆動すると、めっき液タンク６内のめっき液３がめっき液供給配管１３等を介してノズル構成体１５の角筒状のノズル１７に供給される。ノズル１７の先端の開口部１７ａは時計方向側に開放されているため、開口部１７ａからめっき液３が時計方向に向かって流出され、その流出力によりノズル構成体１５が反時計方向に回転され、めっき液３が撹拌される。この場合、ノズル構成体１５を回転させるためのそれ専用の機構を必要とせず、その分小型化することができ、まためっき液３を撹拌するための運転費を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段１８を備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の基板面内均一性に優れためっき膜を形成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】側壁３０と側壁に囲まれた開口部３１とを有するカップ２０と、ウエハ９０を、カップ２０の開口部に対向させると共に、カップと離間して保持する電極ピン７０およびウエは押さえ８８と、ウエハ９０の外周部に接触する電極ピン７０と、カップ２０内のめっき液６０に接触して配置されるアノード電極５２と、カップ２０にめっき液を供給し、めっき液をウエハに接触させた後、カップとウエハとの間の隙間８２からオーバーフローさせるポンプと、カップの側壁に設けられたスリット３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された前記液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１を備える。処理装置１は、第一供給口１１１Ａから第一排出口１１１Ｂに向かって液体Ｌを流すとともに、第二供給口１１２Ａから第二排出口１１２Ｂに向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板２の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板２の一方の面における液体Ｌの平均流速と、他方の面における液体Ｌの平均流速とを異ならせる調整手段を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽１と、ウェハー支持部３と、めっき液噴射ノズル土台配管１２と、ウェハー２の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル１３とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル１３から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽１の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル１３から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー２の被処理面に向かって再度噴射される。 （もっと読む）

【課題】高品質で均一な厚さのめっき膜を得ることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽２１の内側で、めっき液３０の流れを発生させる発生手段２６と、めっき液３０の流れ方向を規定する案内手段２８と、めっき液３０の流れの途中に配置されるアノード電極２９と、めっき液３０の流れの途中に配置され、めっき液３０と共に流れてくるめっき対象物１０を一時的に滞留させる滞留手段３１，３２と、を有するめっき装置２０であって、滞留手段３１，３２の少なくとも一部がカソード電極３１ｄ，３２ｄで構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流体を全体として均一に噴射し得る流体噴射装置及び方法を提供する
【解決手段】流体の噴射方向が変更可能な複数の可動ノズル２６が設けられたマニホールド１６を有する噴射ヘッド２２ａ、２２ｂと、マニホールドに流体を供給する流体供給手段３５と、可動ノズルを揺動させるための揺動力を発生する揺動力発生手段４６と、揺動力発生手段により発生された揺動力を可動ノズルに伝達する揺動力伝達手段１８とを有している。 （もっと読む）

【課題】安定的にめっきを行うことができるめっき方法、電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置２は、導電層１２に接続される陰極２０と、基材１の他面と対向するように基材１の下方に配置される陽極２１と、基材１の他面と、陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流す電解めっき液供給部２３とを備える。電解めっき装置２は、電解めっき液供給部２３により、絶縁層１１の他面と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流すとともに、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の電解めっき液Ｌを絶縁層１１の他面よりも下方に排出するように構成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、鋼帯の表面を流れるめっき液の流速を速くできると共に、めっき液の流速を鋼帯の幅方向にわたって略均一にでき、めっきの処理速度を従来よりも上昇できる鋼帯の電気めっき装置を提供する。
【解決手段】上又は下方向にめっき液が流れる竪型めっき用タンク１１と、竪型めっき用タンク１１内のめっき浴１２中に間隔Ｓ１を有して対向配置された電極板１３、１４とを有し、電極板１３、１４間に鋼帯１５を隙間を有して連続的に通過させ、鋼帯１５への電気めっきを行う鋼帯の電気めっき装置１０において、鋼帯１５の幅方向両側にそれぞれ設けられたエッジマスク部材１６、１７の更に外側に、めっき液の流れを妨げる抵抗部材１８、１９を設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に導電性を有する基材粒子に均一な厚みのメッキ層を効率的に形成可能なメッキ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係わるメッキ装置は、表面に導電性を有する基材粒子のメッキ装置であって、前記基材粒子が接触しつつ周回可能な底面とその底面の周縁に沿い立設した周壁面とを備え前記基材粒子を含む粒子群とメッキ液とを収納可能なメッキ室を有するメッキ槽と、前記メッキ室の底面より上方に開口する供給口を有し前記メッキ室の周壁面に沿い旋回するように前記供給口からメッキ液を供給するメッキ液供給管と、前記メッキ室に開口する排出口を有するメッキ液排出管と、前記メッキ室の底面に配置された前記基材粒子に接触する陰極と、前記メッキ室に収納されたメッキ液に浸漬する位置に配置された陽極と、前記陰極および陽極に接続された電源とを有するメッキ装置である。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の処理量を増大させた、ガルバニック・コーティング装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板１の、特に太陽電池１ａの少なくとも１つの表面２，３をガルバニック・コーティングする装置であって、電解コーティング液が満たされたコーティング・タンクを有するコーティング・バスと、基板１をコーティング・バスの中を搬送するための搬送手段と、基板１に光を照射するための少なくとも１つの光源６４を有する光源回路６０、複数のアノードを有する基板１のための整流回路５０とを有する装置において、同期した電流インパルスおよび光インパルスを発生させるための手段を有し、複数の電流インパルスの間のインパルス間隔の間には、基板１への光の照射が中断されている。 （もっと読む）

被処理材料（１０）の湿式化学処理のためのアセンブリ内を輸送される平面的な被処理材料（１０）から処理液（２１）を除去するために、処理液（２１）を保持するための保持面（４、１４）が提供される。保持面（４、１４）は、被処理材料（１０）が保持面（４、１４）を通過する時に保持面（４、１４）と該保持面（４、１４）に向かい合う被処理材料（１０）の表面との間にギャップ（８、１８）が残るように、被処理材料（１０）の輸送路に関して配置構成される。保持面（４、１４）は、例えば、ロール（２、３）の周囲表面のオフセット部分として提供されてもよい。
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【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１が上向きとなるように基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させるホルダ３と、ホルダ３で保持された基板Ｗの周縁部Ｗ２に接触するカソード４と、ホルダ３で保持された基板Ｗの中央部Ｗ３に向けてめっき液Ｌを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル６とを具備することを特徴とする、めっき装置１が提供される。 （もっと読む）

【課題】通電ロールと陽極電極との距離を従来よりも短くし、電気めっきを行う導電性帯状板の電圧損失を抑制することで、電源容量抑制による電源設備コストの削減並びに電気的エネルギーのランニングコストの削減を実現できる横型電気めっき装置を提供する。
【解決手段】導電性帯状板１１を搬送する通電ロール１２及び押圧ロール１３と、導電性帯状板１１表面に隙間を有して配置される陽極電極１４、１５を有し、導電性帯状板１１と陽極電極１４、１５の間にめっき液１６を供給して、導電性帯状板１１に電気めっきを行う横型電気めっき装置１０において、通電ロール１２は、その軸方向両側の通電部２１、２２の外径Ｄが通電ロール１２の他の部分の外径ｄよりも大きく、通電部２１、２２が導電性帯状板１１の表面に当接し、通電部２１、２２の内側で通電ロール１２と導電性帯状板１１の表面とで形成される空間部２３に、隙間を有して陽極電極１４を配置した。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）