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Fターム[4K024CB17]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ装置、操作 (2,405) | 液の供給 (414) | 含液部材を用いるもの (11)

Fターム[4K024CB17]に分類される特許

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【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程a)を含む金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】めっきの均一性、作業性および安全性に優れ、かつ、構造が簡易である金属部材のめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を含浸させる含浸部材1と、含浸部材1を外囲する筺体2と、を有する金属部材のめっき装置10であって、含浸部材1が、めっき処理を施すべき被めっき金属部材を内包する。電気めっき装置として用いる場合には、含浸部材1と筺体2との間に陽極電極4が配置され、かつ、金属部材を支持する支持体5を介して通電することが好ましく、陽極電極4が円筒形であり、かつ、金属部材と陽極電極4との距離が一定であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高品質で均一な膜厚のめっき膜を得ることが可能であると共に、めっき効率を向上させ、省エネを図ることができるめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子本体10を収容する収容部24を持つキャリアプレート22と、キャリアプレート22と共に移動する搬送ベルト30と、キャリアプレート22の移動途中で、収容部24に、めっき液を供給するめっき液含浸ロール40と、収容部24に、めっき液が供給されている状態で、素子本体10におけるめっきすべき予定部分に直接または間接的に接続するアノード電極およびカソード電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド102を、ウェーハ104の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向120でウェーハ全体を進む際に、シード層106上に堆積層108が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス116に含有される電解質110によって促進される電気化学反応を介して形成される。 (もっと読む)


【課題】微小部分に対してめっき処理を行う場合であっても、耐久性に優れ、精度良くかつ効率良く行なうめっき処理を行うめっき装置を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき装置10は、電極12と、電極12の外側に巻かれた吸湿性繊維層の第1の層16aと多数の含浸穴17が表面に設けられた第2の層16bと、めっき液Mを貯液するめっき液貯液部18と、めっき液貯液部18に貯液されためっき液Mが第2の接触面S2〜S4を介して吸収され第1の接触面S1から含浸穴17に供給されるめっき液供給部20とを備える。そして電極上に、ワークの対象箇所を精度良く配置する為のワーク位置決め部によりワークWを精度良く配置した後、ワークWに陰極がかけられ、電極12には陽極がかけられた状態で、駆動部14によって電極12が回転されながら、含浸穴17に含浸されためっき液Mで、ワークWの対象箇所Tにめっきされる。 (もっと読む)


【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ300mmウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Wの該シード層と対向する位置に配置されるアノード52と、電解液62で満たされた基板Wとアノード52との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体46と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部58を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に泡が残る泡かみを防止しつつ、液入れ時間を短縮して、めっき初期に基板の全めっき領域に亘るより均一なめっきを行うことができるようにする。
【解決手段】アノード30を浸漬させためっき液を、弾性を有する保水性材料からなるめっき液保持体40の内部に保持し、めっき液保持体40を基板Wの表面に接触させて該めっき液保持体40で保持しためっき液Qを基板Wの表面に供給して、めっき液Qを基板Wの表面に供給して全めっき領域に行き渡させる液入れを、好ましくは、0.5秒以内に完了させる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハにめっきを施す装置、特に、半導体ウエハの被めっき基板にバンプを形成するためのめっき装置に関し、めっき液が効率良く排出され、逆流を防ぐことによって、めっきの均一性を向上させる半導体ウエハのめっき装置を提供する。
【解決手段】上部にウエハ搭載部を有するめっきカップと、前記ウエハ搭載部の上部に設けたウエハ押さえと、前記ウエハ押さえと対向な位置にあり前記ウエハ押さえ側にノズルが突き出して配置されたノズル板と、めっき液を貯留するめっきタンクと、前記めっきカップと前記めっきタンクとの間に設けためっき液循環手段と、前記ウエハ搭載部と前記ノズル板との間に配置された多孔質吸水材とを具備し、前記めっき液は、多孔質吸水材を通過して排出される構造とした。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ表面の電気メッキにおいて、局所メッキを可能にし、総メッキ電流を低減し、堆積の均一性を改善する方法を提供する。
【解決手段】電気メッキ装置は、ウェーハの表面上方又は下方に配置可能で、陽極として荷電させることが可能なメッキヘッドを含む。メッキヘッドは、ウェーハ及びメッキヘッドが荷電されている時、ウェーハの表面とメッキヘッドとの間での金属メッキを可能にできる。メッキヘッドは、更に、メッキヘッドとウェーハの表面との間に存在する電圧を感知可能な電圧センサ対と、電圧センサ対からデータを受領可能なコントローラとを備える。電圧センサ対から受領されたデータは、メッキヘッドがウェーハの表面上方の位置に置かれた時に、陽極により印加されるべき実質的に一定の電圧を維持するために、コントローラによって使用される。 (もっと読む)


【課題】 作業環境を良好に維持して安全に作業することができ、電流効率を高く保持して安定かつ短時間にメッキ処理を行うことができる部分メッキ装置を提供する。
【解決手段】 部分メッキ装置1において、不溶性陽極11は、壁部に外部と中空部を連通する多数の気孔を有する中空体構造であり、隔膜12により密着して被包されており、さらに隔膜12の外周に密着してメッキ液保持体13が周設されている。これにより、メッキ処理中に陽極11表面で発生した電解ガスは、気孔111から捕集され中空部112を通じて系外に排気されるとともに、隔膜12により陽極酸化等が抑制され、高い電流効率が得られる。 (もっと読む)


【課題】1つのトーチだけで種々の電解表面処理を行えるようにする。
【解決手段】金属を表面処理するための電解液供給部を備える電極装置であって、外部電源からの単極電流供給部(7)(16)に接続されたノズル(2)を備え、他方の極は、被処理金属表面に接続され、前記トーチ内のチャンネルを通し、前記ノズルに供給するよう、前記装置に接続されたタンク(6)(21)に、特定の処理に使用される電解液が収容されている。該電解液が、ユーザーによって制御される計量装置を通過するよう、電解液に送り方向の圧力をかけるようになっている。ユーザーにより噴霧ができるよう、マニュアル操作式ポンプ、または剛性もしくは可撓性タンクを有する別の例もある。タンク(6)(21)は、迅速に電解液を交換し、金属表面で実行すべき作業を変えることができるよう、取り外し自在であることが好ましい。 (もっと読む)


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