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Fターム[4K024CB18]の内容

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Fターム[4K024CB18]に分類される特許

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【課題】軸体上に形成されためっき皮膜の厚さの均一性に優れる、めっき皮膜を有する軸体の製造方法および軸体上に亜鉛系めっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】軸体8の被めっき部を内包し両端部が鉛直方向に開口する中空部を有する管状の管状部材7、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口の上方に設けられ前記軸体を前記中空部内に保持する支持手段1、前記中空部の鉛直方向下側端部の開口から前記中空部内にめっき液を供給するめっき液噴流手段、前記中空部の鉛直方向上側端部の開口近傍に設けられ前記めっき液噴流手段により前記中空部内に供給されためっき液を前記管状部材外に排出可能にする排出構造9、および前記排出構造を通じて前記管状部材から排出されためっき液を前記めっき液噴流手段に供給する環送手段を備え、前記支持手段は前記軸体と電気的に接続可能な接点部2を備え、前記管状部材はその中空部に不溶性陽極を備える。 (もっと読む)


【課題】処理液の流れ方向を自在に切替えることができ、かつ処理液の流れ方向を切替える際に、処理液の全体的な流量の変化や流れの不均一を生じさせることのないようにする。
【解決手段】処理槽20に接続され、該処理槽20内に方向が異なる処理液の流れが形成されるように切替えて使用される複数の入口配管26a,26b及び出口配管28a,28bと、入口配管26a,26b及び出口配管28a.28bを通して処理槽20内に処理液を供給し循環させるポンプ30を備え、入口配管26a、26b及び出口配管28a,2/8bには、切替えて使用される時に、内部を流れる処理液の流量が時間ととも変化するように制御部48で制御される流量制御装置44a,44b、46a,46bがそれぞれ設けられている。 (もっと読む)


【課題】めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、基板の被めっき面にめっきを施すためのめっき装置であって、前記めっき装置は、めっき液が保持される複数のめっき槽133と、前記複数のめっき槽のそれぞれに対応して配置され、前記複数のめっき槽内のめっき液を循環させる複数のポンプ112と、前記複数のポンプの吸込側をそれぞれ対応する前記複数のめっき槽に連結する複数の吸込配管202、203、204と、前記複数のポンプの吐出側をそれぞれの前記吸込側に連結される前記めっき槽とは異なる他のめっき槽にそれぞれ連結する複数の吐出配管と、を備え、前記複数のめっき槽と前記複数のポンプは直列に連結される。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、溶液保持容器130に収容されている基板処理溶液TLに処理対象基板PBが浸漬される。このような状態の処理対象基板PBの基板処理領域TSに溶液供給機構が基板処理溶液TLを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板PBの一面の基板処理領域TSは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液TLにより処理されることになる。 (もっと読む)


【課題】めっき液を撹拌し、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布を均一にするめっき装置において、装置を小型化でき、撹拌するための運転費を不要とすることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】ポンプ14が駆動すると、めっき液タンク6内のめっき液3がめっき液供給配管13等を介してノズル構成体15の角筒状のノズル17に供給される。ノズル17の先端の開口部17aは時計方向側に開放されているため、開口部17aからめっき液3が時計方向に向かって流出され、その流出力によりノズル構成体15が反時計方向に回転され、めっき液3が撹拌される。この場合、ノズル構成体15を回転させるためのそれ専用の機構を必要とせず、その分小型化することができ、まためっき液3を撹拌するための運転費を不要とすることができる。 (もっと読む)


【課題】膜厚の基板面内均一性に優れためっき膜を形成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】側壁30と側壁に囲まれた開口部31とを有するカップ20と、ウエハ90を、カップ20の開口部に対向させると共に、カップと離間して保持する電極ピン70およびウエは押さえ88と、ウエハ90の外周部に接触する電極ピン70と、カップ20内のめっき液60に接触して配置されるアノード電極52と、カップ20にめっき液を供給し、めっき液をウエハに接触させた後、カップとウエハとの間の隙間82からオーバーフローさせるポンプと、カップの側壁に設けられたスリット32とを備える。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、内部に液体Lが供給されるとともに、供給された前記液体Lに基板2を浸積させる槽11を備える。処理装置1は、第一供給口111Aから第一排出口111Bに向かって液体Lを流すとともに、第二供給口112Aから第二排出口112Bに向かって液体Lを流すと、液体Lが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板2の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板2の一方の面における液体Lの平均流速と、他方の面における液体Lの平均流速とを異ならせる調整手段を有する。 (もっと読む)


【課題】めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量(圧力)を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽1と、ウェハー支持部3と、めっき液噴射ノズル土台配管12と、ウェハー2の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル13とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル13の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル13から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽1の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル13から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー2の被処理面に向かって再度噴射される。 (もっと読む)


【課題】竪型噴流メッキ装置の電極交換を簡単にできるようにし、電極交換に伴う設備停止期間を短縮して生産性の向上を図ることができる、竪型噴流メッキ装置の上部給液装置及び上部排液装置を提供する。
【解決手段】電極2が配置された電極ボックス1内に電解液を供給する給液装置を受液部とノズル部に分割し、受液部を電極ボックスへ連通させて取り付けるとともに、給液配管と接続して水密構造とし、受液部の内部に幅方向の液供給を均一化するノズル部を着脱自在かつ位置決め可能に配置した構造とする。さらに、電解液を排液する排液装置も給液ノズルと同様に、電極ボックス1から電解液を排液する給液装置を受液部5と整流堰部に分割し、受液部5を電極ボックスへ連通させて取り付けるとともに、排液配管19と接続して水密構造とし、受液部5の内部に整流堰部を着脱自在かつ位置決め可能に配置した構造とする。 (もっと読む)


【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、内部に液体Lが供給されるとともに、供給された液体Lに基板2を浸積させる槽11と、槽11内部に配置される基板2の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板2を保持する保持部13とを備える。処理装置1は、槽11の供給口111から排出口112に向かって液体Lを流すと、液体Lが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に導電性を有する基材粒子に均一な厚みのメッキ層を効率的に形成可能なメッキ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係わるメッキ装置は、表面に導電性を有する基材粒子のメッキ装置であって、前記基材粒子が接触しつつ周回可能な底面とその底面の周縁に沿い立設した周壁面とを備え前記基材粒子を含む粒子群とメッキ液とを収納可能なメッキ室を有するメッキ槽と、前記メッキ室の底面より上方に開口する供給口を有し前記メッキ室の周壁面に沿い旋回するように前記供給口からメッキ液を供給するメッキ液供給管と、前記メッキ室に開口する排出口を有するメッキ液排出管と、前記メッキ室の底面に配置された前記基材粒子に接触する陰極と、前記メッキ室に収納されたメッキ液に浸漬する位置に配置された陽極と、前記陰極および陽極に接続された電源とを有するメッキ装置である。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第1期間302の間にウェハに対する第1電力を正にパルス化する段階と、第1期間302に続く第2期間304の間にウェハに対する第2電力を負にパルス化する段階と、第2期間304に続く第3期間306の間にウェハに対する第3電力を正にパルス化する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】電解めっき処理法に用いられるアノード電極の乾燥を抑制する技術を提供する。
【解決手段】めっき浴槽に設けられた開口部を覆ってめっき処理対象物を配置する段階、当該めっき浴槽の前記開口部に於ける前記めっき処理対象物の表出部ならびに当該めっき浴槽内に配置されためっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階、前記めっき電極を用いて前記めっき処理対象物にめっき処理を施す段階、前記めっき浴槽内の前記めっき液を排除する段階、前記めっき浴槽の前記開口部を覆ってめっき処理非対象物を配置する段階、前記めっき浴槽内に配置された前記めっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階を備える。 (もっと読む)


【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 (もっと読む)


【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド(PAI)コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン(PTFE)コーティング712が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および/または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 (もっと読む)


【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Wの被めっき面W1が上向きとなるように基板Wを保持しつつ基板Wを回転させるホルダ3と、ホルダ3で保持された基板Wの周縁部W2に接触するカソード4と、ホルダ3で保持された基板Wの中央部W3に向けてめっき液Lを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル6とを具備することを特徴とする、めっき装置1が提供される。 (もっと読む)


本明細書に記載される実施形態は、一般に、電気化学電池またはキャパシタ用の電極構造に関し、特に、寿命がより長く、製造コストがより低く、プロセス性能が改良された、信頼性が高く費用対効果が高い電気化学電池またはキャパシタ用の3D電極ナノ構造を製造するための装置および方法に関する。
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【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具13によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極12の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極12と、この電極を支持する電極支持部20と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック66とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ17によって移動可能に構成されたものである。 (もっと読む)


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