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【課題】 銅管表面に形成される防食層の膜厚を最適化することにより、伝熱管および熱交換器の防食能力の最適化を図る。
【解決手段】 銅管1′の外表面に、スズまたはスズ合金からなり、膜厚dが3μm〜500μmの防食層3を形成して、結露水によって侵食されることがなくなるようにするとともに、防食層3の膜厚dの最適化を図ることができるようにする。 (もっと読む)


【課題】純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したFFC用のめっきCu平角導体を提供することにある。具体的には、発生するウイスカーの最大長を50μm以下とすることにある。
【解決手段】少なくとも端子部が形成されるCu平角導体上には、パラジウムの含有率が3〜25質量%のSnPd合金めっき層、その上に純Snめっき層或いはSn系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが0.5〜2.0μmで且つ純Snめっき層或いはSn系合金めっき層の厚さが0.3〜1.0μmであるめっきCu平角導体とすることによって、解決される。 (もっと読む)


【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程(S102)と、絶縁膜に開口部を形成する工程(S104)と、開口部内に光触媒膜を形成する工程(S110)と、Cuを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程(S112)と、開口部内に電解めっき法によりCuを埋め込む工程(S114)と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い生産性を有しNiめっきの均一性に優れた容器および容器用Niめっき鋼板を提供する。
【解決手段】プレス成型により容器内面となる面に厚さ0.5μm以上、4μm以下のFe−Ni拡散層を有し、さらにその上に厚さ0.25μm以上、4μm以下のNi層を有し、容器外面となる面に付着量0.05 g/m2以上、1.5g/m2未満のNiを有し、そのNiが内部に拡散しており、表層のNi/(Fe+Ni)質量比が0.9以下の鋼板である。またその鋼板をNi層、Fe−Ni拡散を有する面が内面となるようにプレスし、容器外面に厚さ0.5μm以上、5μm以下のNiめっきを施した容器である。これにより、高い生産性を有し、Niめっきの均一性に優れた容器および容器用Niめっき鋼板を提供する。 (もっと読む)


【課題】硫化に対する耐性が強く、かつ、単純な手法で得られる軟質合金めっき皮膜が形成されためっき部材を提供する。
【解決手段】本発明のめっき部材は、基材に銀めっきとインジウムめっきとを施し、熱拡散によってインジウムを銀中に拡散させることによって形成することができる。インジウムの膜中における含有率は、重量%で0.1%以上60%未満が望ましい。硬度の調整のために、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、錫、アンチモン、金、又は、ビスマスから選ばれる1種以上の金属を、膜中の含有率(重量%)で1%以下加えることができる。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンとめっきベースとの密着性を良好にでき、めっきパターンの断面形状を正確に形成できるめっき方法および磁極形成方法を提供する。
【解決手段】めっきベース11上に、分子接着剤であるアルコキシシリルプロピルアミノトリアジンジチオールを溶剤に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を揮発させて分子接着剤層15を形成する工程と、分子接着剤層15を介してめっきベース11上にレジスト30を塗布し、レジスト30を所定のパターンに露光現像してめっきベース11の一部を露出させる工程と、めっきベース11の露出部上に分子接着剤層15を介してめっきする工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】FFCとして用いる錫系めっき銅または銅合金の平角導体に関するもので、熱処理を行ったSn系めっきCu平角導体は、コネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生が、銅配線間等での短絡等が生じることがない程度に抑制されるようにすることにある。
【解決手段】Cu平角導体の端子部が熱処理されることによって、前記Cu平角導体の表面から順次、CuSn金属間化合物相(以下、B相)、CuSn金属間化合物相(以下、A相)および純Sn或いはSn合金層が形成されたSn系めっきCu平角導体であって、前記純Sn或いはSn合金層の最大厚さが1.0μmで、かつ平均厚さが0.3〜1.0μmであると共に、前記B相とA相の生成割合の比がA相/B相として1.5以上であるFFC用のSn系めっきCu平角導体とすることによって、解決される。 (もっと読む)


【課題】基材に変形や組織変化を生じさせず、製造時間が短く、製造コストが安い簡単なプロセスで、高温酸化性および耐食性に優れる被膜を形成するコーティング方法を提供する。
【解決手段】コーティング方法は、Aイオン(Aは、CoまたはNiを示す。)を含む電解液中にMCrAlY粉末(式中、Mは、NiおよびCoから選択される少なくとも1種の元素を示し、AがCoであるときに少なくともNiを含み、AがNiであるときに少なくともCoを含む。)を分散させて得られた分散液中に、合金基材80を浸漬し、回動可能な筒状回転電極と筒状回転電極の表面を被覆する不織布層31とを有する回転電極装置10を用い、合金基材の表面が不織布層で被覆された筒状回転電極を転がしながら電解して、合金基材表面上に複合被膜層を形成する。 (もっと読む)


本発明は、被酸化性金属または被酸化性金属合金または金属酸化物の層を、亜鉛または亜鉛合金で予め被覆された金属ストリップ上に真空中で蒸着すること、被覆された金属ストリップを巻回すること、亜鉛または亜鉛合金層のすべてまたは一部において、被酸化性金属または被酸化性金属合金の拡散によって形成された合金の層を上部に含むコーティングを有するストリップを得るために、巻回された金属ストリップに静的拡散処理を適用することを含む金属ストリップを被覆する方法に関する。本発明は、また、前記方法を実行するための装置に関する。 (もっと読む)


【課題】電気接点部品であるスイッチの操作性を改善し、高温熱処理後における貴金属被覆層の密着性および接触抵抗値が向上する電気接点部品用金属材料を提供する。
【解決手段】導電性基材と貴金属層との間に、少なくとも2層の中間金属層が設けられ、導電性基材は1.5〜4.2質量%のNiと0.3〜1.4質量%のSiを含み、導電性基材の圧延方向に対して、0°、45°、90°の3つの引張強さの関係について、最大値が600MPa以上かつ最大値と最小値との比が85%以上100%以下であり、中間金属層は、前記導電性基材に近い順に、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金で形成される第1中間金属層と、銅または銅合金で形成される第2中間金属層を含み、300℃15分間の大気中における加熱後に導電性基材と貴金属層との密着状態が維持され、400℃15分間の大気中における加熱後の接触抵抗値が10mΩ以下である。 (もっと読む)


【課題】銅を主成分とする部材の被覆表面の組成を工夫してウィスカの発生を防止できるようにすると共に、高信頼度のフレキシブル配線接続用の端子部品等を構成できるようにする。
【解決手段】銅を主成分とする端子母材1と、端子母材1に電解めっきされたAg組成濃度3乃至7wt%、Cu組成濃度0.3乃至0.7wt%及び残Sn組成のSn−Ag−Cu合金のめっき皮膜3とを備え、めっき皮膜3は、所定の熱処理によって当該めっき皮膜3の表面に析出されたAg又は当該Agを主成分とする化合物を有するものである。この構成によって、FPCコネクタ端子10の表面に析出されるAg又はAgを主成分とする化合物が、例えば、当該FPCコネクタ端子10の全面積の2%以上を占有するものである。従って、Ag又は当該Agを主成分とする化合物がバリアとなってウィスカの発生を防止できるようになる。 (もっと読む)


【課題】耐食性、意匠性、低電気抵抗等のNiめっき鋼材の特徴を損なうことなく、めっきピンホールに起因した鉄錆の発生を効果的に抑制した高耐食性めっき鋼材および製造方法の提供する。
【解決手段】Mnめっき、Niめっき、熱拡散処理の組み合わせにより、鋼母材上にFe−Mn拡散層またはFe−Mn−Ni拡散層を有し、表層にNi層を有する高耐食性めっき鋼材、あるいは、鋼母材上にFe−Mn拡散層またはFe−Mn−Ni拡散層を有し、表層にMn−Ni拡散層またはFe−Mn−Ni拡散層を有する高耐食性めっき鋼材などを製造する方法及びめっき鋼材。 (もっと読む)


【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後(150°C、大気中に168時間放置された後)の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 コネクタ、端子、リレ−、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、耐磨耗性に優れたすずめっき条。
【解決手段】 銅合金条の表面に、下地めっき、Snめっきの順で電気めっきを施し、その後リフロー処理を施しためっき条であり、Cu−Sn合金層の平均窒素濃度が0.01〜0.1質量%、Cu−Sn合金層の厚みが0.4〜2.0μm、純Sn厚みが0.5μm以上であり、かつ母材のビッカース硬さ、リフロー後に得られるCu−Sn合金層の厚み(μm)、及びCu−Sn合金層の平均窒素濃度(質量%)が下記の関係にある耐磨耗性に優れる銅合金すずめっき条であり、下地がCuの場合、Sn層厚み0.5〜1.5μmかつCu層厚み0〜0.8μmであり、Niの場合、Sn層厚み0.5〜1.5μmかつNi層厚み0.1〜0.8μmであることが好ましい。
(Cu−Sn合金層厚み)>2.63−0.0080×(母材のビッカース硬さ)−9×(平均窒素濃度) (もっと読む)


【課題】めっき物を優れた生産性と十分な耐食性とをもって低コストに製造可能なめっき物の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき槽22の内部に、隔膜24にて陽極室26とめっき室28とを画成して、陽極室26内に、クエン酸三ナトリウム溶液からなる陽極液36と不溶性陽極30とを収容する一方、めっき室28内に、クエン酸三ナトリウムが添加されたスルファミン酸ニッケル溶液からなるめっき浴38と被めっき物たる金属素材からなる陰極32とを収容する。そして、それら不溶性陽極30と陰極32との間に電流を流して、電気めっきを行うことにより、該陰極32の表面に、ニッケルめっき層を形成するようにした。 (もっと読む)


【課題】クロムコーティング以外のコーティングを利用することは可能ではあるが、クロムコーティングと同じ性能を与えるクロムコーティング以外のコーティングおよびその加工方法を見出す。
【解決手段】基材12およびこの基材に施されたコバルト−燐コーティング14からなる物品10を熱処理する。この熱処理によって、コバルト−燐コーティング14の少なくとも1つの物理特性を変え、延いては、物品の性能特性を変化させる。物品は、例えば、ボアと、少なくとも部分的にこのボア内に可動に配置されたシャフトと、を有するアクチュエータの部品とすることができる。 (もっと読む)


【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力に起因するウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、めっきを厚めに皮膜し、めっき層の厚みがリード部ほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果を重視する必要のある接点部のめっき層は薄くする。めっき液浸漬処理後に高温処理をおこなうが、このときめっき層に供給する熱量は、リード部ははんだ性を確保するのを第一義にし、ウイスカ対策は内部応力の除去が達成できる溶融状態未満の熱処理をおこない、接点部は、溶融しためっき材料の表面張力による形状変化はむしろ利点として作用するので、一旦めっき層を溶融させて内部応力の除去を完璧にできるリフロー処理をおこなう。 (もっと読む)


【課題】外部応力が加わった場合でもウイスカが発生しにくいめっき層を安定して形成することが可能であり、半田付け性に優れる、Pbを含まないSnめっき銅基板を提供する。
【解決手段】本発明のSnめっき銅基板1は、純銅板、銅合金板、又は銅めっきされた金属板のいずれかの金属基板2上に、中間Snめっき層3ILとCuめっき層4とを、この順に積層してなるめっき膜層5を1.5μm以上の層厚で少なくとも1膜層以上備えるとともに、このめっき膜層5上に、0.2〜1.5μmの層厚の最外Snめっき層3OLをめっき膜層5との総厚が3μm以上で備え、少なくとも中間Snめっき層3IL及び最外Snめっき層3OLの粒界3g及び粒内3cのいずれかに、Cuめっき層4及び金属基板2の少なくとも一方に由来するCuを拡散させてなるSn−Cu合金相6を有する。 (もっと読む)


熱画像形成方法によってベース基体上にパターニングされた触媒層を含むパターニングされた基体を提供するステップの後、めっきして金属パターンを提供するステップを含む、高い伝導性の金属パターンの製造方法が開示される。提供される金属パターンは、電磁妨害遮蔽デバイスおよびタッチパッドセンサーを含む電気デバイスに好適である。 (もっと読む)


【課題】電気化学ポテンシャルが異なる複数の金属からなる合金メッキ層を製造することができる合金メッキ層の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る合金メッキ層の形成方法は、母材10上に、複数種類の金属メッキ層20,22,21を積層した金属メッキ積層体23を形成する工程と、金属メッキ積層体23を熱処理して複数種類の金属メッキ層20,22,21それぞれを拡散させることにより、母材10上に位置する合金メッキ層24,26を形成する工程とを具備する。金属メッキ層20,21は例えばコバルト層であり、金属メッキ層22は例えばクロム層である。この場合、合金メッキ層24,26はコバルトとクロムの合金メッキ層である。金属メッキ層21に炭化クロム粒子30が含まれていても良い。 (もっと読む)


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