【課題】Ａｇの使用量を少なく抑えて低コストで製作可能であるとともに、耐熱性及び耐ウィスカー性を両立させることができるＳｎメッキ導電材料及びその製造方法並びにこのＳｎメッキ導電材料を用いた通電部品を提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる基材２の上に、Ｓｎ又はＳｎ合金からなるＳｎメッキ層５が形成されたＳｎメッキ導電材料１であって、基材２とＳｎメッキ層５との積層方向に沿った断面において、Ｓｎメッキ層５の表層部分にＡｇ−Ｓｎ粒子が凝集したＡｇ−Ｓｎ合金層６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150ｇ／Ｌと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール１ｍｇ／Ｌ〜６ｇ／Ｌ及び／又は両性界面活性剤0.1ｍｇ〜1ｇ／Ｌと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、２００〜４００℃で５分以上熱処理することにより、皮膜硬度が５０〜９０Ｈｖ、表面の高低差が１．８μｍ以下のバンプが形成される。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】より容易にかつより完全に針状ウィスカの発生を抑制できる鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を得る。
【解決手段】母材の表面に鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を製造するに際し、母材表面に鉛フリーのめっき層を形成した後、形成しためっき層に冷熱サイクル履歴を与えてノジュール状のウィスカを人為的に発生させる。それにより、めっき層の内部応力は開放されるので、爾後の針状ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】チタンアルミナイドを主成分とする金属間化合物合金の基材表面を腐食から保護する。
【解決手段】本発明による方法は、ａ）金属間化合物合金で形成された基材を調製する操作、ｂ）保護する前記基材表面上に金を堆積する操作、ｃ）保護する前記表面への制限された金の拡散を生じさせるために、前記金被膜を備える前記基材に、制御された条件で焼きなましを施す操作を含む。本発明は、特にガスタービンの部品、例えば、航空機エンジンの部品などに好適である。 （もっと読む）

【課題】クラックのない光沢性に優れたパラジウム−コバルト合金被膜を、高いコバルトの含有量でかつ厚い膜厚に形成することのできる、パラジウム−コバルト合金めっき液、パラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、パラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】パラジウムとして１〜３０ｇ／Ｌの可溶性パラジウム塩と、コバルトとして０．５〜２０ｇ／Ｌの可溶性コバルト塩と、１．０ｍｏｌ／Ｌ以上の無機アンモニウム塩と、１〜２０ｇ／Ｌの不飽和有機カルボン酸又はその塩とを含有し、ｐＨが５．０〜６．５に調整されて成るパラジウム−コバルト合金めっき液、このパラジウム−コバルト合金めっき液を用いてめっきするパラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、このパラジウム−コバルト合金被膜を加熱するパラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温で使用可能な複合導体及びそれを用いた配線用ケーブルを提供する。
【解決手段】配線用ケーブル１は、複合導体２がマイカガラステープ絶縁層３により覆われ、マイカガラステープ絶縁層３がシリカガラス絶縁層４により覆われているものである。
複合導体２は、銅母材にスズが含まれる銅合金材からなる銅合金材単線にニッケルめっきが施されているニッケルめっき銅合金材単線であるか、あるいは、そのニッケルめっき銅合金材単線が複数本撚り合わされたニッケルめっき銅合金材撚り線である。 （もっと読む）

【課題】優れた耐食性及び製缶加工性を有する容器用鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板表面に下地Ｎｉ層が形成され、下地Ｎｉ層上に施されたＳｎめっきの一部と下地Ｎｉ層の一部又は全部とが合金化された島状Ｓｎを含むＳｎめっき層が形成されためっき鋼板と、前記めっき鋼板上に形成され、１種又は２種以上のＺｒ化合物から形成され金属Ｚｒ量で０．１〜９ｍｇ／ｍ^２のＺｒを含有するＺｒ皮膜、１種又は２種以上のリン酸化合物から形成されＰ量で０．１〜８ｍｇ／ｍ^２のＰを含有するリン酸皮膜、及び、Ｃ量で０．０５〜８ｍｇ／ｍ^２のフェノール樹脂を含有するフェノール樹脂皮膜の少なくともいずれか２つの皮膜を含む化成処理皮膜層とを有し、化成処理皮膜層中の任意の粒子の長径をａ、短径をｂとしたとき、（ａ＋ｂ）／２≦２００（ｎｍ）であり、化成処理皮膜層中に金属Ｃｒ量に換算して０．０１〜５ｍｇ／ｍ^２のＣｒ化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】 カドミウムめっき、又はカドミウム−チタン合金めっきと同等以上の耐食性を有し、有害物質であるカドミウムを一切含有しないめっき層が実現され、めっき層を保護する保護層には有害物質である６価のクロムを一切含まない皮膜層が使用でき、高強度鋼に適用する際には、水素脆化の発生が確実に抑えることができるめっきが可能な亜鉛−ニッケル合金めっき液、及び亜鉛−ニッケル合金のめっき方法を提供する。
【解決手段】溶液中に亜鉛イオン、ニッケルイオン、ナトリウムイオン、水酸イオンが含む亜鉛−ニッケル合金めっき液において、水溶性カチオンポリマーが溶液１リットル中１００ｍｇを越えないように維持する。 （もっと読む）

【課題】 半田付け端子の全面に金メッキを施しながら、半田が端子部から接点部へと上がることを防ぐことができる半田付け端子の表面の処理方法を提供する。
【解決手段】 端子部と接点部とを設けて形成され、下地メッキ９の表面に金メッキ８を施した半田付け端子１において、端子部２と接点部３との間の部分において半田付け端子１の表面にレーザーＬを照射し、レーザーＬのエネルギーで半田付け端子１の一部を加熱して、金メッキ８の層に下地メッキ９の金属を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である２μｍ以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。
【解決手段】(1)金属あるいは表層に金属層を有するセラミックの中から選ばれる素材に、または(2)表層に金属層を有するプラスチックの中から選ばれる素材に、少なくとも可溶性銅塩及び可溶性錫塩、有機酸及び／または無機酸及び／またはこれらの可溶性塩、特定の添加剤（光沢剤）から構成されるシアンを含有しない銅−錫合金めっき浴中で、電気めっきを施した後、上記(1)及び(2)で異なる特定の条件でベーキング処理することを特徴とする耐連続衝撃性に優れた、銅−錫合金めっきの製造方法。 （もっと読む）

【課題】純銅と略同等の導電率を有し、純銅よりも優れた耐屈曲性を有する複合導体の製造方法及び撚り線導体並びにこれを用いたケーブルを提供する。
【解決手段】純銅または銅合金からなる心材２の外周に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる被覆層を形成して被覆心材２を形成し、その被覆心材２に所定の条件でバッチ式熱処理を施して上記被覆層をＣｕ相からなる連続相とＡｇ相からなる分散相から構成される分散組織とした後、その熱処理が施された被覆心材２に伸線加工を施して上記被覆心材２の外層部に母相中に金属繊維が分散した繊維分散層３を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】主として車載用・民生用の電気配線に使用されるＰＣＢ端子であって、コネクタへの挿入に際しての挿入力の低減と、基板側への半田付け部の半田濡れ性の向上に優れたＰＣＢ端子及びその製造方法の提供である。
【解決手段】本発明は、嵌合部の摩擦係数が０．２６以下で、半田付け部のエージング（ＰＣＴ：１０５℃、相対湿度１００％）後のゼロクロスタイムが５秒以下であることを特徴とするＰＣＢコネクタ用オス端子及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、従来知られていなかった新たな手法によりウィスカが発生するのを抑制できるようにしためっき部材及びそのようなめっき部材を製造する方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層２を有するめっき部材３において、めっき層における（３２１）面の配向指数を２．５以上４．０以下とする。他の態様では、めっき層における（２２０）面と（３２１）面との配向指数の比（２２０）／（３２１）が０．５以上１．５以下とする。基材１とめっき層２との間に（２２０）の配向面を持つ下地層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスを提供する。
【解決手段】その上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、前記キャビティ内および前記誘電体層上にシード層を付着させるステップと、ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、任意で次に前記構造をアニールするステップと、を含むプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂の表面に、過マンガン酸塩処理などによる樹脂の表面粗化処理および錫を含む触媒付着処理を必要とせず、均一かつ密着性に優れためっき皮膜を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂を、陰イオン性界面活性剤、有機溶媒およびアルカリ成分を含む前処理溶液で処理し、その後、特定ｐＨ値の貴金属イオン含有溶液により処理し、無電解めっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームのアウターリード上に形成したすずメッキ皮膜において、生産性を落とすことなく、また従来のメッキ条件のままで容易に管理することができる簡便な方法でウィスカーの発生を防止する。
【解決手段】 リードフレームなどの被メッキ物にすずメッキ皮膜を膜厚８〜２０μｍで形成し、すずメッキの後処理としてすずメッキ皮膜上に銀を析出させて熱拡散させ、銀含有量が０．４〜３．５ｗｔ％のすず−銀皮膜形成する。銀の析出は処理溶液中に浸漬するだけの簡便な方法で行う。 （もっと読む）

【課題】密着性の高い正電極及び負電極を具備した窒化物系半導体発光素子を得る。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層、ｐ型窒化物系半導体層、金属反射層、メッキ層がこの順序で積層されてなる構造の窒化物系半導体発光素子であって、金属反射層とメッキ層の間にメッキ密着層が形成されており、かつ、該メッキ密着層がメッキ層を構成する金属の主成分と同一の成分を５０質量％以上有する合金層で構成する。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れた屋外銘板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属からなるベースと、ベースの一方の面に拡散により形成された文字領域とを備えたことにより、文字領域が腐食されにくくなるので、耐久性に優れた屋外銘板が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い柱状セラミックスを短時間で効率よく作製することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面に複数のセラミックスの結晶核を形成する初期核形成工程と該基板表面にめっき法を用いて柱状セラミックス結晶を成長させる工程とを有することを特徴とするセラミックス膜の製造方法である。また前記初期核形成工程を大気開放型ＣＶＤ法で行うことが好ましい。さらに前記セラミックス膜が、多孔質膜であることが好ましい。 （もっと読む）