【課題】処理対象物を搬送、給電などを行う複数のロールにめっき液が付着することを効果的に防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】複数のロールにより略水平方向に搬送される処理対象物を受け入れる入口部１２１と、処理対象物の被めっき面へ下方からめっき液を噴出するめっき液供給部と、処理対象物にめっき電流を供給する給電ロール１１３，１１４と、めっき処理された処理対象物を排出する出口部１２２とを設けためっき槽を備えるめっき装置１００において、めっき液供給部は、被めっき面に対して、入り口部側の斜め下方からめっき液を噴出する第一供給ノズル１３２と、出口部側の斜め下方からめっき液を噴出する、第一供給ノズルに対向して設けられた第二供給ノズル１３３とからなり、第一供給ノズル１３２から噴射されためっき液と、第二供給ノズル１３３から噴射されたメッキ液とが、被めっき面で衝突して落下するようにした。 （もっと読む）

【課題】簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程ａ）を含む金属膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】所定の被処理面に対して高品質な表面処理を実施することが可能な表面処理装置および表面処理システム、表面処理方法、これによって処理された帯状薄体を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、帯状薄体Ｓにおける被処理面に沿って表面処理液Ｘを流下させて表面処理を行う装置であって、帯状薄体Ｓに対して所定の微小な隙間ｄを介して近接配置された壁部１２ｂと、この隙間ｄ内において流下する表面処理液Ｘを供給する供給部１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【課題】めっき時の基体の反りを抑制し基体の汚れを有効に除去するめっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置は、めっき層を形成すべき基体を保持する保持板１２と、前記基体１０にめっき液２２を供給するめっき液供給部５０と、前記基体１０のめっきを行う第１の面３６に対向する第２の面３８を、前記めっき液２２よりも高い温度に加熱する加熱手段１８とを具備し、前記基体の表面にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板Ｗの表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、ハウジング９４の内部にアノード９８を収納し開口端部に多孔質体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成した電極ヘッド２８と、基板Ｗと多孔質体１１０との間にめっき液を満たしたまま、電極ヘッド２８を第１めっき位置から該第１めっき位置よりも基板Ｗと多孔質体１１０との距離が離れた第２めっき位置に移動させて停止させる駆動機構１３６と、基板Ｗの外周部に対向する位置に該基板Ｗと離間して配置され、基板Ｗと多孔質体１１０との間に満たしためっき液に浸漬される補助カソード部１２４を有する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィルムの搬送速度を上げても、フィルムの汚れを低減させることができるフィルム支持装置及びめっき被膜付きフィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６０Ａと洗浄槽７０Ａとの間に感光ウエブ１８を空中搬送させる支持装置２００Ａが配置されている。支持装置２００Ａには、感光ウエブ１８の導電面１８Ａに接触する導電面支持ローラ２０２、２０４と、これらの間に感光ウエブ１８の裏面１８Ｂに接触する裏面支持ローラ２０６とが設けられている。導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６には、それぞれ洗浄装置２１０、２１２、２１４が配設されており、導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６の下部が洗浄液２１７に浸漬される洗浄液受け槽２１８、２２０、２２２と、洗浄液２１７の水面を一定に保つオーバーフロー堰２２６、２２８、２３０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生を抑制することができるめっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一端に開口１０を有するめっき槽２と、めっき槽２の開口１０側に設けられ、被処理物Ｗを保持する保持手段４と、保持手段４と対向してめっき槽２内に設けられたアノード電極３と、めっき槽２内を、めっき液が貯められるとともに保持手段４により被処理物Ｗが保持される第１の領域１２ａと、第１の領域１２ａの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第２の領域１２ｂと、に分離する分離体１２と、第２の領域１２ｂに貯められた液体と、前記分離体１２と、を介して第１の領域１２ａ内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段９と、を備えたことを特徴とするめっき装置，該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ビア導通めっき作業時にバイポーラ現象の発生を防ぐことができ、信頼性の高い健全なビア導通めっきを施すことができるＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルムの両面に配線層を形成し、一方の配線層から他方の配線層に向けてビア穴を形成したフィルムテープ２の他方の配線層の表面にマスキングテープ６を施し、この状態でめっき槽３を通し、一方の配線層とビア穴内部とにビア導通めっきを施すＴＡＢテープの製造方法において、一方の配線層にめっき側給電ロール９を接触させて通電するとともに、マスキングテープ６を施す前の他方の配線層に非めっき側給電ロール１０を接触させて通電しつつ、フィルムテープ２をめっき槽３に通してビア導通めっきを施す方法である。 （もっと読む）

本発明は、帯状基材（２）を液体で処理する装置であって、少なくとも一つの巻回について巻回システム（１１）周りで螺旋経路で帯状基材（２）を案内する巻回システム（１１）を具備する搬送システムを有し、第一回転軸線回りで回転可能で帯状基材（２）の少なくとも一回の巻回を第一の偏向角度に亘って第一プーリ手段（１２）の周囲の一部周りで案内する第一プーリ手段（１２）と、帯状基材（２）の少なくとも一回の巻回を第二の偏向角度に亘って第二プーリ手段（１３）の周囲の一部周りで案内する第二プーリ手段（１３）とを有し、第二プーリ手段（１３）が各巻回ごとに第二回転軸線周りで回転可能な第二プーリ（１５）を具備する、装置に関する。この装置は、液体の槽（３０）を更に具備し、帯状基材（２）は少なくとも一回の巻回の長さの少なくとも一部に亘って槽内の液体を通って延びる。各第二プーリ（１５）の第二回転軸線は第一回転軸線に対して角度αをなす。
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【課題】磁石とめっき液との接触を防止するとともに、磁石を被めっき物の近傍に配置することができるめっき用治具を提供する。
【解決手段】本発明のめっき用治具２Ａは、開口部１０Ｇを有する第１の絶縁板１０と、被めっき物Ｐが開口部１０Ｇから外部に臨むように該被めっき物Ｐを第１の絶縁板１０との間で挟持する第２の絶縁板２０と、開口部１０Ｇの周縁に位置して第１の絶縁板１０と被めっき物Ｐとの間に介在して設置された内側シール３０と、被めっき物Ｐの外側に位置して第１の絶縁板１０と第２の絶縁板２０との間に介在して設置された外側シール４０と、内側シール３０と外側シール４０とによってシールされた空間内において被めっき物Ｐに電気的に接続する伝導体５０と、内側シール３０と外側シール４０とによってシールされた空間内に配置され被めっき物Ｐを挟んで対向するＮ極とＳ極とを有する磁場形成体６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部と、基板保持部で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード接点８８を備えたカソード部３８と、基板保持部で保持した基板Ｗの表面に対向するように配置され、メッシュ状または全面に穴の開いた複数の不溶解アノード板１１２ａ，１１２ｂを所定間隔離間させて積層したアノード９８を有し、基板保持部で保持した基板Ｗとアノード９８との間にめっき液を満たして基板Ｗの表面にめっきを行う。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】シード層が薄膜化され、シード層のシート抵抗値が１０Ω／□以上になったり、電気抵抗が極端に大きなバリア層の表面に直接めっきを行ったりする場合であっても、基板への給電部であるカソード接点やその周辺部品を発熱から守ることができるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダ３６と、基板ホルダ３６で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード接点４４を備え該基板ホルダ３６と一体に回転するカソード部３８と、基板Ｗの表面に対向するように配置されたアノード６６と、カソード接点４４を冷却する冷却機構５８を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に泡が残る泡かみを防止しつつ、液入れ時間を短縮して、めっき初期に基板の全めっき領域に亘るより均一なめっきを行うことができるようにする。
【解決手段】アノード３０を浸漬させためっき液を、弾性を有する保水性材料からなるめっき液保持体４０の内部に保持し、めっき液保持体４０を基板Ｗの表面に接触させて該めっき液保持体４０で保持しためっき液Ｑを基板Ｗの表面に供給して、めっき液Ｑを基板Ｗの表面に供給して全めっき領域に行き渡させる液入れを、好ましくは、０．５秒以内に完了させる。 （もっと読む）

【課題】カップ内で半導体ウェーハに金属皮膜（めっき）を形成後、ウェーハに付着しためっき液を迅速かつ確実にカップ内に戻すことにより効率的に処理しうる自動金属皮膜形成装置及びウェーハへの金属皮膜の形成方法を提供。
【解決手段】ローダー・アンローダー部と、ウェーハアライナー部と、スカラロボットと、めっき処理カップ部と、リンサードライヤー部と、めっき液を供給・循環するポンプとを具備し、これら一連の動作をスカラロボットがウェーハを把持し各部へ搬送しながら処理を行う自動金属皮膜形成装置であって、前記めっき処理カップ部には、めっき処理終了後に、めっき液面から持ち上げられ、可動手段によってカップの上で傾斜させられたウェーハに向かって、洗浄用媒体を噴射して、ウェーハに付着している液をカップ内に戻すための噴射ノズルが設けられていることを特徴とする自動金属皮膜形成装置によって提供。 （もっと読む）

【課題】より均一性に優れた膜厚分布および組成分布を有するめっき膜を繰り返し安定して形成可能なめっき装置に搭載される電極組立体を提供する。
【解決手段】カソード電極組立体１Ａは、被めっき物４と電気的に接続された主電極の近傍に配置されると共に、めっき処理の進行に伴う表面積の拡大を防止し得る構造を有する補助電極を備えている。すなわち、電極板１２の内周縁１２Ｔ１を覆うように立設する絶縁壁１３を設けると共に、電極板１２の外周縁１２Ｔ２を取り囲むように立設する凸部１１Ｔを設けるようにしている。これにより、電極板１２およびめっき膜Ｍ１２が補助電極として良好な機能を発揮し、経時変化せずに安定した電界分布を被めっき物４の周辺に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）