【課題】被処理物ｂ１に対して部分メッキを、被覆の必要なく連続的に行うこと。
【解決手段】
頭部ｂ１０と下部ｂ０１の間に括れ部ｂ０３を有し、下部ｂ０１側に重心位置を有する被処理物ｂ１対して、頭部ｂ１０を除いた範囲に電気メッキを施す。一対のレール３は、頭部ｂ１０よりも狭く、且つ括れ部ｂ０３よりも広い間隔の隙間を持ち、電極２０が配されている。メッキ槽５は、レール３の下側に位置し、極板２５がメッキ液中に配置されている。被処理物ｂ１の括れ部ｂ０３をレール３の間の隙間に位置させて、ロッド１８をレール3の上から隙間を通って被処理物ｂ１の重心よりも下の位置に当接させる。ロッド１８をレール３に沿って移動させて、レール３よりも下に位置する被処理物ｂ１にメッキを施す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】特にシール部材の交換等のメンテナンス性を改善できるようにした基板ホルダを提供する。
【解決手段】基板Ｗの外周部を挟持して基板Ｗを着脱自在に保持する固定保持部材５４及び可動保持部材５８と、可動保持部材５８に取付けられ、可動保持部材５８と固定保持部材５４で基板Ｗを保持した時に、可動保持部材５８と基板Ｗの外周部との間、及び可動保持部材５８と固定保持部材５４との間をそれぞれシールする内側シール部材６６及び外側シール部材６８を有し、内側シール部材６６及び外側シール部材６８は、シールホルダ６２と該シールホルダ６２に取付けられる固定リング７０との間に挟持されて可動保持部材６８に取付けられている。 （もっと読む）

【課題】安定的に貫通孔内にめっきを行うことができる電解めっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置は、陽極２１と、導電層１２に接続される陰極（図示略）と、基材１の絶縁層１１の他面を、電解めっき液Ｌを挟んで陽極２１と対向させ、貫通孔１１１から露出する導電層１２の一部に電解めっき液Ｌを接触させながら、陽極２１上および電解めっき液Ｌ上で基材１を搬送する搬送部２０とを備える。搬送部２０は、少なくとも基材１の導電層１２の周縁部の一部が上方側に反るように、前記基材１を保持しながら基材１を搬送するように構成されている （もっと読む）

【課題】電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。
【解決手段】金イオン源と、コバルト塩またはニッケル塩を含む金属イオン源と、下記式で示されるメルカプトテトラゾールまたはその塩を含む組成物。


（式中、Ｒ１は、水素、Ｃ１−Ｃ２０）炭化水素基、（Ｃ８−Ｃ２０）アルアルキル、フェニル、ナフチル、アミンまたはカルボキシル基；Ｘは水素、（Ｃ１−Ｃ２）アルキル、またはアルカリ金属、カルシウム、アンモニウムまたは第四級アミンのような好適な対イオンである） （もっと読む）

【課題】金型表面に生じた凹部からなる欠陥を、十分に高い強度で補修することができる金型の処理方法を提供する。
【解決手段】金属金型の表面に存在する凹部の上に、金属イオンを含む液体を置く工程と、該液体に接するように電極を設置し、金属金型と電極との間に電流を流すことにより、凹部の内部に金属を析出させる工程と、を備える金型の処理方法である。金属金型は、その表面がクロムめっき層で構成されたものであってもよい。また、金属イオンは、クロムイオンを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電解めっき処理法に用いられるアノード電極の乾燥を抑制する技術を提供する。
【解決手段】めっき浴槽に設けられた開口部を覆ってめっき処理対象物を配置する段階、当該めっき浴槽の前記開口部に於ける前記めっき処理対象物の表出部ならびに当該めっき浴槽内に配置されためっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階、前記めっき電極を用いて前記めっき処理対象物にめっき処理を施す段階、前記めっき浴槽内の前記めっき液を排除する段階、前記めっき浴槽の前記開口部を覆ってめっき処理非対象物を配置する段階、前記めっき浴槽内に配置された前記めっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階を備える。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】微小部分に対してめっき処理を行う場合であっても、耐久性に優れ、精度良くかつ効率良く行なうめっき処理を行うめっき装置を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき装置１０は、電極１２と、電極１２の外側に巻かれた吸湿性繊維層の第１の層１６ａと多数の含浸穴１７が表面に設けられた第２の層１６ｂと、めっき液Ｍを貯液するめっき液貯液部１８と、めっき液貯液部１８に貯液されためっき液Ｍが第２の接触面Ｓ２〜Ｓ４を介して吸収され第１の接触面Ｓ１から含浸穴１７に供給されるめっき液供給部２０とを備える。そして電極上に、ワークの対象箇所を精度良く配置する為のワーク位置決め部によりワークＷを精度良く配置した後、ワークＷに陰極がかけられ、電極１２には陽極がかけられた状態で、駆動部１４によって電極１２が回転されながら、含浸穴１７に含浸されためっき液Ｍで、ワークＷの対象箇所Ｔにめっきされる。 （もっと読む）

【課題】 先端に整列したナノ構造を提供する。
【解決手段】 先端に整列したカーボンナノチューブを製造する技術が提供される。一実施形態において、先端に整列したカーボンナノチューブを製造する方法は、ナノ構造を先端に形成し、先端を流れる流体を用いて、ナノ構造を先端に整列することを含む。 （もっと読む）

【課題】金属条の条ホールを円筒状ドラムのピンに確実に係合させることで円筒状ドラムからの金属条の外れを防止すると共に、金属条に設けられている条ホールにかじり（変形）を生じさせることなく、金属条の所望の領域に部分めっきを施すことのできる部分めっき方法及び部分めっき装置を提供する。
【解決手段】一定のピッチでホールが形成された長尺金属条を、一定のピッチで外周部に突起部を有する円筒状ドラム１０に巻回させ、長尺金属条のホールを円筒状ドラムの突起部に係合し、円筒状ドラムに設けられた開口部を介して長尺金属条にめっき液を供給し通電して、長尺金属条の一部をめっきする部分めっき方法であって、円筒状ドラムの外周部上の定点の移動速度である周速度を増減させて、円筒状ドラムの回転速度を長尺金属条の移動速度と独立して制御する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ／ナノ構造に好適なエッチング及びめっき方法の提供。
【解決手段】本発明は、電気化学的パターン複製方法、ＥＣＰＲ及びマイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造のための伝導電極の構築に関する。伝導電極、マスター電極（８）により画定されるエッチング又はめっきパターンは、電気伝導性の材料、基材（９）上に複製される。マスター電極（８）は基材（９）と密接して置かれ、エッチング／めっきパターンが、密接エッチング／めっきプロセスを使用して直接的に基材（９）上に転写される。
密接エッチング／めっきプロセスは、マスター電極（８）と基材（９）の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング／めっきセル（１２，１４）中で実施される。 （もっと読む）

【課題】被処理面でのシールの不完全に起因する処理液の漏洩を確実に防止できること。
【解決手段】シリンダブロックの被処理面であるシリンダ内周面に処理液を導き、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するめっき処理方法において、シール部材がシリンダ内周面に接触して当該シリンダ内周面をシールするシール工程（Ｓ３〜Ｓ６）と、シリンダ内周面へ送液ポンプの駆動により処理液を導く送液工程（Ｓ７、Ｓ８）と、シリンダ内周面を含む空間に処理液が満たされた状態で、電極及びシリンダブロックへ所定の電荷を印加して、めっき前処理またはめっき処理を実施する処理工程（Ｓ９〜Ｓ１１）とを順次実施し、シール部材がシリンダ内周面に接触して実施されるシール工程によるシールを確認した後に、送液ポンプを駆動して送液工程を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】必要とする部分だけにめっきを行うことを簡便に且つ高速に行う。
【解決手段】被めっき物１におけるめっきを施したい箇所１１に電極４を近接させて配置するとともに、上記電極４と該電極４に近接しているめっきを施したい箇所１１とにめっき液を接触させ、この状態で電気めっきを行う。電極の近傍に位置しているとともにめっき液が接触する上記めっきを施したい箇所にのみ、めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】必要とする部分だけにめっきを行うことを簡便に且つ高速に行う。
【解決手段】回転駆動される回転板３の一部をめっき液４０に接触させて該回転板３の周縁部にめっき液を付着させ、被めっき物１におけるめっきを施したい箇所１１の近傍を上記回転板３の周縁部が通過する際に回転板３の周縁に付着しためっき液４０を被めっき物１におけるめっきを施したい箇所１１に接触させることで電気めっきを行う。回転板によってめっきを施したい箇所にのみ、めっき液を接触させてめっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】連続搬送される帯状被処理物の必要部分のみにめっき液を噴出することができる電極構造体及びそれを組み込んで高い位置精度で部分めっき処理を確実かつ安定して行える連続部分めっき装置を提供。
【解決手段】一方の分割部材と他方の分割部材が上下に密着して組み合わされ、内部空間で給電されためっき液を電極ノズル孔から放射状に噴出する二つ割型の円筒状電極構造体であって、前記分割部材同士によって形成される外周部に電極ノズル孔が一列に配設され、かつ該電極ノズル孔の内面に白金系金属被膜が施されていることを特徴とする電極構造体；被処理物を搬送する回転体と、前記の電極構造体と、めっき液を電極構造体の内部に供給するめっき液供給管と、電極構造体の電極ノズルに給電する給電装置とを具備し、帯状の被処理物を連続搬送しつつ電極ノズルから、めっき液を噴射して被処理物のめっき必要部分に連続してめっき処理を施すように構成した連続部分めっき装置によって提供。 （もっと読む）

【課題】 基板の局所に所望の大きさの液体を形成させ、高精度なエッチング、メッキやコーティング等を、微小な局所においても高精度に行いうる局所表面処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロプローブ１１にメッキ液やエッチング液等の液体２１を付着させて、基板１２の所定の局所に付着させた後、マイクロプローブ１１と基板１２に電流を流し、基板１２界面での電気化学的反応を利用して、液体２１の接触角を変化させて接触面積を所望の大きさに制御する。所望の大きさに制御した液体２１を用いてメッキ、エッチングやコーティング等の局所表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス用放熱部材などの効率的な表面局部電気メッキ法。
【解決手段】多数の被メッキ処理体１８を治具１２により一定の位置関係を保って固定支持し、該治具によりメッキ槽１９の両側壁に跨がせてセットすることにより、被メッキ処理体のメッキ処理する区域のみを該メッキ槽内のメッキ浴中に浸漬して、メッキ前処理、メッキの一連の湿式処理を行なうことにより、メッキを必要としない箇所に対する無駄な処理を行なうことなく、メッキ液などの消費を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、硬質金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）