【課題】本発明は、めっき膜が形成された半導体基板の吸着不良及び搬送ミスを抑制可能であると共に、コンタクトシール部材の交換頻度を少なくすることの可能な半導体装置の製造方法、及びめっき装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１の表面１１ａ（主面）に形成されためっき用レジスト膜２５の表面のうち、外周部分と接触し、該めっき用レジスト２５の表面側にめっき液３２を保持するコンタクトシール部材３５を用いて、めっき膜４７を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、コンタクトシール部材３５のうち、めっき用レジスト膜２５と接触する第１の部分４１の材料として、コンタクトシール部材３５を洗浄する薬液及びめっき液３２に対して耐性を有した材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできるめっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液に、更にホルマリンをその３６質量％水溶液として０.５〜２ｍｌ／Ｌまたはカテコールをその１１質量％水溶液として０.５〜５ｍｌ／Ｌ添加したことを特徴とする被めっき物上にレジストで形作られた配線回路部分への銅充填用酸性電解銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の領域１４、１５に所定の膜厚のめっき膜５、６を形成する電解めっき方法である。基板１上の複数の領域１４、１５に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも１つに、オーミック特性を有する抵抗体４を配し、複数の領域１４、１５に同時に電解めっきによりめっき膜５、６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２上全体に成膜されたＩＴＯ３膜と、電極形状に形成された金属めっき膜５と、を有する電極形成基板１であって、ＩＴＯ膜３上には、パターニングされたストライクめっき膜４を備え、ストライクめっき膜４を介して、ＩＴＯ膜３と金属めっき膜５とは、密着し、ストライクめっき膜４上にのみ金属めっき膜５を形成し、金属めっき膜５は、電解めっきを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】３次元の樹脂成形品上に金属めっきを施すため、樹脂成形品の取り扱いのための経費と、通常は多数で異なる金型とを大幅に削減し、及び、部品の種類ごとの搭載経費を低減する方法を提供する。
【解決手段】樹脂成形品３が、結合部品２によってフレキシブルなキャリア１に結合される。このキャリア１は、同時に搬送テープとして使用される。多数の樹脂成形品３を一時的に結合させるため、キャリア１が、それぞれの樹脂成形品３の両面に結合している。この場合、電気伝導性の結合部分が生成される。この結合部分は、結合部品２による電気めっき８用の通電に使用される。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材２の表面２ａに塗布されたレジスト１１を、透光性を有したマスクフィルム１２越しに露光することでヘアラインＨＬ状に除去し、レジスト１１を除去して露出したステンレス基材２の表面２ａにエッチングしてヘアライン溝３を形成する溝形成工程Ａと、ステンレス基材２の表面２ａにニッケルめっき層４を形成するニッケルめっき工程Ｂと、ニッケルめっき層４の表面４ａに銅めっき層５を形成する銅めっき工程Ｃと、銅めっき層５の表面５ａに硫化燻しを施して硫化膜６を形成する燻し工程Ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程において、めっき膜の膜厚均一性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、を有する半導体ウエハーの、前記第１の領域及び前記第２の領域に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の上にレジスト層を形成する工程と、前記第２の領域の前記第１の導電層の第１の部分の上の第１レジスト層を残し、前記第２の領域の前記第１の導電層の第２の部分の上の第２レジスト層を除去するパターニング工程と、電極と、前記電極の電気的接続部に連続し、前記電極に電流を供給する配線と、を有する治具を、前記電気的接続部が前記第１レジスト層と接するように配置する工程と、前記電極に前記電流を供給して、電解めっきにより前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面に多数の突起を有する突起版胴を容易かつ簡易に製造する。
【解決手段】突起版胴の製造方法は、表面に銅層２を有するブランク版胴３５Ａを準備する工程と、ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２全域に感光材３を塗布する工程と、感光材３を露光しかつ現像して突起３５ａに対応する部分にレジスト４を形成する工程とを備えている。ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２に対して第１のエッチングを施して銅層２に突起３５ａを形成し、その後突起３５ａ上からレジスト４を除去する。突起３５ａに対して再度第２のエッチングを施して、突起３５ａの先端部３５ｂの垂直断面形状を湾曲させる。その後銅層全域にクロムメッキを施してクロムメッキ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成してなるようにした。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｎ合金バンプの組成コントロールが容易なＳｎ合金バンプの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｎと他の一種または二種以上の金属との合金で形成されたＳｎ合金バンプの製造方法であって、基板１の上に形成されているレジスト開口部２ａ内の電極パッド３上にＳｎ層４ａを電解めっきにより形成する工程と、Ｓｎ層４ａ上にＳｎと合金層４ｂを電解めっきにより積層する工程と、レジスト２を除去した後にＳｎ層４ａと積層された合金層４ｂとを溶融してＳｎ合金バンプ５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板３の上面に被着された半導体素子接続パッド１０と、半導体素子接続パッド１０上に形成された導体柱１１と、絶縁基板３の上面に導体柱１１よりも低い厚みで被着されており、半導体素子接続パッド１０の外周部を覆うとともに、導体柱１１の側面を露出させる開口部６ａを有するソルダーレジスト層６とを備える配線基板５０である。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に銅配線パタ―ンを強い密着力で形成する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、ＵＶオゾン処理によりＯＨ基を形成する工程と、前記ＯＨ基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱や経時による回路配線の軟化現象を抑え、耐久性を高めるとともに、脆性を改善し、クラックの発生を抑えた配線回路基板を提供する。
【解決手段】基板の絶縁層１上に、金属皮膜からなる回路配線２を備えた配線回路基板であって、上記回路配線２が、三層以上の銅系金属皮膜の積層体からなり、その最下層２ａおよび最上層２ｃを構成する銅系金属皮膜の常温での抗張力が１００〜４００ＭＰａであり、最下層２ａと最上層２ｃとの間に介在する層（中間層２ｂ）を構成する銅系金属皮膜内の常温での抗張力が７００〜１５００ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】膜厚の基板面内均一性に優れためっき膜を形成できるめっき装置を提供する。
【解決手段】側壁３０と側壁に囲まれた開口部３１とを有するカップ２０と、ウエハ９０を、カップ２０の開口部に対向させると共に、カップと離間して保持する電極ピン７０およびウエは押さえ８８と、ウエハ９０の外周部に接触する電極ピン７０と、カップ２０内のめっき液６０に接触して配置されるアノード電極５２と、カップ２０にめっき液を供給し、めっき液をウエハに接触させた後、カップとウエハとの間の隙間８２からオーバーフローさせるポンプと、カップの側壁に設けられたスリット３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に優れためっき膜を被めっき基板に形成できるめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき基板９０の外周部のカソード電極７０が接触する箇所と、被めっき基板のめっき面９２の製品領域１３０との間にダミーめっき領域１４０を配置した被めっき基板のカソード電極が接触する箇所にカソード電極を接触させ、被めっき基板のめっき面にめっき液を供給し、カソード電極とアノード電極間に前記めっき液を介して電流を流してめっき面にめっきを行う工程を備える。 （もっと読む）

【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板１３上に有機膜１２を形成し、該有機膜１２上に、特定一般式（１）で表されるブロック共重合体（１）を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜１１を形成する。次に、有機膜１２および両親媒性ブロック共重合体膜１１が形成された導電性基板１３に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜１１内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜１４とする。その後、導電性基板１２に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜１４の親水相１５の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体１６が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜１４のみを除去する工程を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板上に光架橋性樹脂層を形成し、パターンの露光工程、現像工程を経て、めっきレジスト層を形成した後にめっき工程を行う金属パターンの作製方法において、膜厚が薄く、均一な光架橋性樹脂層を用いて、微細なめっきレジスト層を形成する方法を提供する。
【解決手段】めっき法による金属パターンの作製方法において、（ａ）基板２上に光架橋性樹脂層３を形成する工程、（ｂ）光架橋性樹脂層３を薄膜化する工程、（ｃ）パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）めっき工程をこの順に含む金属パターンの作製方法。 （もっと読む）