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Fターム[4K024FA08]の内容

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Fターム[4K024FA08]に分類される特許

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【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式(1)で表わされる構造単位及び下記一般式(2)で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、R1は水素原子又はメチル基、R2は単結合又は2価の連結基、R3は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、R4は水素原子又はメチル基、R5は極性基を示す。〕 (もっと読む)


【課題】シード層を必要とせず、簡素な工法で製造でき、高導電性、鏡面導体接着及び高信頼な導体接着強度のフレキシブル配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板であって、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造される。 (もっと読む)


【課題】2種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜330が形成された半導体ウェハ200表面
を第1のめっき液を用いてめっき処理する第1のめっき処理槽と、半導体ウェハ200表
面を第2のめっき液を用いてめっき処理する第2のめっき処理槽と、を備える。第1のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁
膜330との接触幅がwの第1のシール320が設けられ、第2のめっき処理槽には半
導体ウェハ200の表面と重なる部分の長さがdであり、かつ絶縁膜330との接触幅
がwの第2のシール340が設けられ、第1のシール320と第2のシール340の間
には、d<d−wの関係が成り立っている。 (もっと読む)


【課題】表面に多数の突起を有する突起版胴を容易かつ簡易に製造する。
【解決手段】突起版胴の製造方法は、表面に銅層2を有するブランク版胴35Aを準備する工程と、ブランク版胴35Aの表面の銅層2全域に感光材3を塗布する工程と、感光材3を露光しかつ現像して突起35aに対応する部分にレジスト4を形成する工程とを備えている。ブランク版胴35Aの表面の銅層2に対して第1のエッチングを施して銅層2に突起35aを形成し、その後突起35a上からレジスト4を除去する。突起35aに対して再度第2のエッチングを施して、突起35aの先端部35bの垂直断面形状を湾曲させる。その後銅層全域にクロムメッキを施してクロムメッキ層5を形成する。 (もっと読む)


【課題】サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にDLC被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたDLC被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にDLCパターンを形成してなるようにした。 (もっと読む)


【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板13上に有機膜12を形成し、該有機膜12上に、特定一般式(1)で表されるブロック共重合体(1)を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜11を形成する。次に、有機膜12および両親媒性ブロック共重合体膜11が形成された導電性基板13に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜11内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜14とする。その後、導電性基板12に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜14の親水相15の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体16が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜14のみを除去する工程を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】CMPの処理時間を短縮する。
【解決手段】基板製造方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に第1のマスクを形成する工程と、第1のマスクを介して絶縁層をエッチングすることにより絶縁層に溝を形成する工程と、第1のマスクを除去する工程と、絶縁層上及び溝の表面に第1の金属層を形成する工程と、溝の内部及び上方に第2のマスクを形成する工程と、第1の金属層上及び第2のマスクの表面に第2の金属層を形成する工程と、第2のマスク及び第2のマスクの表面に形成された第2の金属層を除去する工程と、溝の上方が開口された第3のマスクを第2の金属層上に形成する工程と、溝の内部及び上方に第3の金属層を電界めっきにより形成する工程と、第3のマスクを除去する工程と、第3の金属層を化学機械研磨により平坦化する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、簡便に、金属加工品、微細部品を製造するための金属膜(金型)のパターンおよびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】シード膜2が成膜された基板3上に塗布された硬化性樹脂組成物4と、所定パターンを有するモールド5とを相対移動させて、硬化性樹脂組成物4に所定パターンを転写した状態で、硬化性樹脂組成物4を硬化させることで転写されたパターン形状を有する硬化樹脂4´を得る。硬化樹脂4´よりモールド5を取り外し、金属膜を形成する領域の残渣の硬化樹脂4´´を除去後、電鋳処理を経て金属膜11を形成し、その後不要となった硬化樹脂4´を除去する工程を経て形成される。この際、プラスチックモールドと特定の重量平均分子量以下である重合性化合物を配合した可視光硬化性樹脂を使用することにより、より簡便な金属膜のパターンの製造プロセスが提供される。 (もっと読む)


【課題】研削加工によるだれの発生及び耐久性の低下を抑制することができる微小構造体、ドナー基板、及び微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微小構造体10は、第1の硬度を有する第1の導電膜からなるNi膜パターン2A〜2Eと、第1の硬度よりも低い第2の硬度を有する第2の導電膜からなるAu薄膜パターン6aとを交互に積層してなるとともに、第2の硬度よりも低くない第3の導電膜からなるNi薄膜パターン4aをAu薄膜パターン6aの外側に配置してなる。 (もっと読む)


【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面(横断面)の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸又はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ4級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が23〜55g/Lであり、硫酸濃度が50〜250g/Lである。 (もっと読む)


【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第1の領域20と、第1の領域20の周縁を囲む第2の領域30と、を有した半導体ウエハー1を用意する工程と、第2の領域30に樹脂突起40を形成する工程と、第1の領域20及び第2の領域30に第1の導電層50を形成する工程であって、第1の導電層50は樹脂突起40の上に位置する第1の部分51を有するように、第1の導電層50を形成する工程と、第1の導電層50の上にレジスト層60を形成する工程と、少なくとも第1の導電層50の第1の部分51の上に位置するレジスト層60を除去する工程と、第1の導電層50の第1の部分51に給電して、電解メッキにより第1の導電層50の上に第2の導電層90を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】金属凸部を有するポリマー材料の製造方法を提供する
【解決手段】ポリマー基板上に1個又は2個以上の金属凸部を有するポリマー材料の製造方法であって、下記工程(1)〜(5):
(1)ポリマー基板上の紫外線硬化型組成物により形成されたアクリル樹脂層表面をプラズマ処理する工程、
(2)プラズマ処理を行った該アクリル樹脂層表面に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程、
(3)リソグラフィ処理により、1個又は2個以上の開口部を金属皮膜上に有するめっき用レジスト皮膜を形成する工程、
(4)電解めっき処理により、めっき用レジスト皮膜の開口部の金属皮膜上に金属を析出させる工程、及び
(5)めっき用レジスト皮膜を除去する工程
を含むポリマー材料の製造方法 (もっと読む)


【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 (もっと読む)


【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜2を有する基板1表面に式(I)に示す感紫外線化合物3を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子4により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。
(もっと読む)


【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽414a,414b,414cを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源416から通電してめっきを行う。 (もっと読む)


【課題】微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置に高精度にメッキ膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】連続して送り出されるフープ状の導電性基材の表面に自己組織化膜を形成する自己組織化膜形成工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜の所望の部分を除去する膜除去工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成するする電気メッキ工程とを備えるフープ部材への部分メッキ膜の形成方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器151内に電着液152を収容し、電着液152の中で、白金からなる対向電極153に基板101の金属パターン104形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源154により、対向電極153に正電圧を印加し、シード層102に負電圧を印加する。ここで、金属パターン105に必要な配線を接続することで、シード層102に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン104および金属パターン105の露出している面(上面)に、電着液152中の電着成分が付着(析出)し、電着絶縁膜106が形成される。 (もっと読む)


【課題】通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレス軽減するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明によるめっき装置は、半導体基板31上の下地電極層に密着可能な開口部220を有するカバー22と、下地電極層上の絶縁膜33を溶解する溶剤をカバー22によって覆われた領域に供給し、カバー22によって覆われた下地電極32上の絶縁膜33を除去する溶剤供給部40と、絶縁膜33が除去されることで露出した下地電極32に、開口部220を介して当接する通電電極21とを具備する。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板101上にシード層102を形成する段階と、上記シード層102上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層103を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層102上にメッキ層104を形成する段階と、上記パターン層103に熱を加えて上記パターン層103を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 (もっと読む)


【課題】マスク構造体のめっき用マスクを形成するとき、基板表面に垂直な平面に対して、構造部スタックの側壁の角度を最適化する。
【解決手段】デジタル・リソグラフィ・プロセスは、少なくとも2層の印刷パターン形成マスク構造部を設けるように構成され、1つの層を別の層の上に直接印刷して構造部スタックを形成し、その際、1つの構造部を下層の構造部から位置をずらして構造部スタックの側壁の平面を選択的に整列させる。 (もっと読む)


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