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Fターム[4K024GA16]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | 性質、目的 (2,187) | その他の性質、目的 (1,135)

Fターム[4K024GA16]に分類される特許

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【解決手段】(A)トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤から選ばれる1種又は2種以上の吸着防止剤、及び(B)塩化物イオンを必須成分とする水溶液であることを特徴とする電気めっき用前処理剤。
【効果】本発明によれば、下地銅とレジストとの密着性を阻害せず、また、下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない電気めっき用前処理剤を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート112の表面112aには、ウェハWの貫通孔に対応する位置に開口部115が複数形成されている。電極形成用テンプレート112は、開口部115に連通する膜形成用液の流通路116を備えている。この電極形成用テンプレート112とウェハWを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口117から流通路116を介して開口部115からウェハWの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハWの貫通孔に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】多孔質金属箔に由来する優れた特性に加えて、両面間で特性差が低減された有用性の高い複合金属箔を連続生産にも適した高い生産性で安価に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質金属箔10は、金属繊維11で構成される二次元網目構造からなる。この多孔質金属箔10は、光沢度が高めの第一面と、第一面と反対側に位置する光沢度が低めの第二面とを有する。JIS Z 8741(1997)に準拠して60度の入射角および反射角で測定される、第一面の光沢度Gの第二面の光沢度Gに対する比G/Gは1〜15である。 (もっと読む)


【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、内部に液体Lが供給されるとともに、供給された液体Lに基板2を浸積させる槽11と、槽11内部に配置される基板2の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板2を保持する保持部13とを備える。処理装置1は、槽11の供給口111から排出口112に向かって液体Lを流すと、液体Lが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる粗化処理銅箔を提供する。
【解決手段】母材銅箔(未処理銅箔)の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05〜0.3μm増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が0.3〜0.8μm、高さが0.4〜1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2〜3.5で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている表面粗化処理銅箔である。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層6を貫通した貫通穴7を有する基板中間体4と、前記貫通穴7に対応した位置に開口部を有する2枚の導電性マスク5とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴7に合わせて前記基板中間体4の表裏両面の全域を前記各導電性マスク5で覆い、前記基板中間体4の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク5を密着させて被めっき処理体2を形成し、該被めっき処理体2をめっき液3に浸漬し、前記貫通穴7の内面を含んだ前記被めっき処理体2の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体4から前記導電性マスク5を除去する。 (もっと読む)


【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第1の金属層は銅を含む第2の金属層の第1の表面上に設置され、タングステンを含む第3の金属層は第2の金属層の第1の表面とは反対側の第2の表面上に設置されており、第1の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第2の金属層の第1の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第3の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第2の金属層の第2の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径3μm以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を400℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】点光源のX線源を用いても、X線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1のメッキ層の上に、応力を発生する第2のメッキ層を形成し、前記第2のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】炭素共析型電気Crめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質DLC膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないDLC膜被覆部材とそれの製造方法を提供する。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜と、その被熱処理炭素共析型電気クロムめっき膜表面に被覆形成されたDLC膜とからなるDLC膜被覆部材およびその部材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】X線吸収を大きくすることが可能な高アスペクトな金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】柱状の金メッキ物からなるマイクロ構造体の製造方法であって、基板上に、導電性を有するシード電極と、前記シード電極の一部が露出するようにシリコンからなる格子とが設けられたモールド基板を用意する工程と、前記シリコンからなる格子の頂上部から深さ方向に対して0度より大きな入射角にて絶縁物を斜方蒸着する工程と、前記絶縁物が斜方蒸着されたモールド基板に金メッキを行い、前記シリコンからなる格子の間隙に柱状の金メッキ物を形成する工程を有するマイクロ構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】安定的に所望のめっき膜を形成することができるめっき方法、電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置2は、導電層12に接続される陰極20と、基材1の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極21と、陽極21の上方で、基材1の前記絶縁層11の他面を前記陽極21と対向させながら、基材1を搬送する搬送手段と、基材1の絶縁層11の他面と、各陽極21との間に電解めっきを流す電解めっき液供給部23とを備える。当該電解めっき装置2は、電解めっき液供給部23により、絶縁層11の他面と陽極21との間に電解めっき液Lを流すとともに、絶縁層11の他面と、陽極21との間の前記電解めっき液Lを前記絶縁層11の他面よりも下方に排出するように構成される。また、電解めっき装置2は、各陽極21と、陰極20との間に流れる電流量を制御する制御部を備える。 (もっと読む)


【課題】
π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層が形成された電気絶縁性材料表面に、適度な厚みを有する密着性の強い金属膜が形成された電気絶縁体とその製造方法。
【課題解決手段】
電気絶縁性材料表面に近いほうから順に、i)π共役結合を持つ有機化合物がドープされたバインダー層、ii)Ni又はNi合金層、iii)Ni又はNi合金より電気伝導度の高い1層以上の金属層からなる層が累積形成された当該金属多層積層電気絶縁体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】
複数のフィラメントからなる繊維束を連続的にメッキ処理をし、各フィラメントが均一にメッキ金属により被覆されうるメッキ処理方法とメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】
メッキ処理槽に設けられた通過口より該繊維束を導入し、該メッキ処理槽内のメッキ液を該通過口よりオーバーフローさせた状態で該繊維束をメッキ液に浸漬し、更に該メッキ処理槽内における該繊維束の通過経路が概ねメッキ液面と平行な面内にあり、該繊維束にかかる張力を常に一定としてメッキ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】安定的にめっきを行うことができるめっき方法、電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置2は、導電層12に接続される陰極20と、基材1の他面と対向するように基材1の下方に配置される陽極21と、基材1の他面と、陽極21との間に電解めっき液Lを流す電解めっき液供給部23とを備える。電解めっき装置2は、電解めっき液供給部23により、絶縁層11の他面と陽極21との間に電解めっき液Lを流すとともに、絶縁層11の他面と、陽極21との間の電解めっき液Lを絶縁層11の他面よりも下方に排出するように構成される。 (もっと読む)


【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の金属層と、第2の金属層と、第3の金属層と、を備え、第1の金属層は第2の金属層の一方の表面上に設置され、第3の金属層は第2の金属層の他方の表面上に設置されており、第1の金属層は、タングステンを含み、第2の金属層は、銅を含み、第3の金属層は、タングステンを含む金属積層構造体を製造する方法であって、第2の金属層の一方の表面上に第1の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、第2の金属層の他方の表面上に第3の金属層を溶融塩浴めっきにより形成する工程と、を含み、溶融塩浴めっきに用いられる溶融塩浴は、フッ化カリウムと、酸化ホウ素と、酸化タングステンとを含む混合物を溶融して作製されたものである、金属積層構造体の製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、化学的および/または電気化学的な処理、特に導電性の層の無電解めっきするための装置(8)内においてプレート状の基板(10)を搬送するための装置であって、該装置(8)が、回転する少なくとも1つの搬送エレメント(14)を有していて、該搬送エレメント(14)が、少なくとも部分的に鉱物ガラスから成っていて、搬送エレメント(14)の搬送部分(20)が、プレート状の基板(10)のための回転対称的な少なくとも1つの載置エレメント(34;44)により形成されていて、載置エレメント(34;44)が、搬送エレメント(14)上に被せ嵌められているか、または収縮嵌めされていることを特徴とする、化学的および/または電気化学的な処理のための装置に関する。
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【課題】ポリイミドなどの絶縁樹脂との密着性、耐熱密着性、耐薬品性、ソフトエッチング性を満足し、工業的に優れた表面処理銅箔を提供する。更に、絶縁樹脂と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、レーザー加工によるビア形成後にも良好なソフトエッチング性を有する表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】母材銅箔に対して、表面粗さRzが1.1μm以下となる粗化処理が施され、該粗化処理表面にNi−Zn合金層が施され、前記粗化処理は、粗化処理面における幅が0.3〜0.8μm、高さが0.6〜1.8μmで、アスペクト比が1.2〜3.5で、先端が尖った凸部形状となる粗化処理で、前記母材銅箔の表面粗さRzが0.05〜0.3μm増加する範囲で施され、前記Ni−Zn合金層は、Zn含有率(wt%)が6〜30%、Zn付着量が0.08mg/dm以上である表面処理銅箔である。 (もっと読む)


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