【課題】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔の薄銅層の結晶状態を定量的に評価可能とし、エッチング性が良好で微細回路の加工に適すると共に、ハンドリング時の耐傷性を改善した支持体付極薄銅箔を提供する。
【解決手段】支持体上に薄銅層が剥離可能に形成されている支持体付極薄銅箔であって、薄銅層の２３０℃１時間加熱処理後のビッカース硬度が１８０〜２４０Ｈｖである支持体付極薄銅箔を、薄銅層の形成に平均分子量が５０００以下のゼラチンを１５〜３５ｐｐｍ含有する硫酸銅めっき浴を用いることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】電気的接続部位等に設けられるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被膜を形成する際に好適に用いることができ、被膜特性の向上及びコスト削減を図ることのできる電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品を提供する。
【解決手段】被めっき物１００の表面に、電解めっきにより電解パラジウム−リン合金めっき被膜１２を形成する際に用いる電解パラジウム−リン合金めっき液であって、パラジウム化合物と、次亜リン酸ナトリウム又は亜リン酸と、エチレンジアミン又はジエチレントリアミンとを含むことを特徴とする電解パラジウム−リン合金めっき液、該めっき液によるめっき被膜及びめっき製品。 （もっと読む）

【課題】電子製品の例えば端子或いはコネクタの形状とされる所定形状に打ち抜かれた長尺の金属条におけるスポットめっきにおいて、密着性能を保持したまま、めっき液が滞留せず、「めっき抜け」及び「にじみ」の問題を解決し、安定した高品質のスポットめっきを可能とするスポットめっき装置及びスポットめっき装置用バックアップ部材を提供する。
【解決手段】金属条３の少なくとも被めっき部３０を支持体ドラム１０の外周部に押圧して密着させるために、支持体ドラム１０に巻回された金属条３の外周部の少なくとも一部に巻回され、金属条３と共に支持体ドラム１０の回転方向に移動するバックアップ部材は、多孔質の且つ軟質性の材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を有するとともに、はんだ濡れ性が劣化しない電極を有する電子部品を得る。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金層がそれぞれ形成されている。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂと第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとの界面には、Ｎｉ₃Ｓｎ₄からなる金属間化合物層２６ａ、２６ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜としてＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】放電加工のとき、電極線の欠片および微塵の発生が少なく、向上された面粗度と加工速度を有する放電加工用電極線とその製造方法を提供する。
【解決手段】放電加工用電極線は、銅を含む第１金属からなる芯線と、前記芯線の外面にメッキされる第２金属が前記芯線との相互拡散によって前記芯線と第２金属の境界部に形成される第１合金層と、前記第１金属が前記第２金属の方向に拡散されて前記第１合金層の外郭に形成される第２合金層を含み、特に、前記芯線、第１合金層、第２合金層を有する放電加工用電極線の表面に第２合金層のクラックを通じて下の芯線材が溶岩湧出形状に迫り上がって多数の細片粒を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも５〜９°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり１００〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、前記配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 （もっと読む）

【課題】酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有するアルミニウム材を提供する。
【解決手段】マグネシウム含有量が１重量％以上８重量％以下、ケイ素含有量が０．０００１重量％以上０．０２重量％以下、鉄含有量が０．０００１重量％以上０．０３重量％以下であり、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、鉄以外の元素の含有量が、それぞれ０．００５重量％以下であり、かつ、アルミニウム、マグネシウム以外の元素の含有量の合計が、０．１重量％以下であるアルミニウム合金を表面処理してなるアルミニウム材。該アルミニウム材は、酸、アルカリなどの腐食性条件下においても優れた耐食性を有すため、建築材料、自動車材料、電池、キャパシタなどの蓄電デバイス材料、燃料電池用セパレータや筐体などとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】高価な材料を含まず、且つ製造が労働集約的でないスリップリングの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップリング部品（１０６）の製造方法、スリップリング部品及びスリップリング組立体を開示する。スリップリング部品の製造方法は、第１ショット（４０４）を形成する工程と、第２ショット（４０２）を形成する工程と、第１ショット（４０４）及び第２ショット（４０２）を浸漬する工程とを具備する。浸漬工程においては、第２ショット（４０２）の露出面に導電めっきを付ける。 （もっと読む）

【課題】鋼板上の残留液を効果的に除去することによって、色調ムラを抑制すると共に高いＬ値（明度）を維持することのできる電気めっき鋼板を製造する製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】電気めっき槽の下流側に配置されたコンダクタロール２１を通過した後のストリップ４１の面に洗浄水を噴射することなく、該ストリップ４１の面に残留するめっき液に接触することによって、該ストリップ４１の面に残留するめっき液を除去する残留液除去手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体とりわけ三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウムをめっきするに際し、電流値を高くして効率よくアルミニウムめっき膜を形成してアルミニウム多孔体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面が導電化された樹脂成形体１にアルミニウム３を溶融塩浴中で電気めっきするアルミニウム多孔体の製造方法であって、陽極がアルミニウムエキスパンドメタルからなり、該陽極の表面積が樹脂成形体の表面積の１．３倍以上であることを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金条表面のリフローＳｎめっき層にＣｕ−Ｓｎ合金層を部分的に露出させることで、Ｓｎ粉の発生を抑制することができるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金条２の表面にリフロー処理を施したＳｎめっき層６を有するＳｎめっき材１０であって、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層４ａの面積率が０．５〜４％であり、最表面から見て、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の個数が０．０３３ｍｍ^２当たり１００〜９００個である。 （もっと読む）

【課題】高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材、及びこの銅合金材にＳｎめっきを形成した場合に、めっきの耐熱剥離性が優れためっき付き電気電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】本願第１発明の電気電子部品用銅合金材は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＡｌを適量含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。また、本願第２発明の電気電子部品用銅合金材は、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｉを適量含有し、Ｏ及びＨの含有量を規制し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。その上で、本願第２発明の電気電子部品用銅合金材は、平均結晶粒径を規定値以下とした金属組織を有し、化合物の粒径及び個数密度を規定値以下とする。これにより、高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材が得られる。 （もっと読む）

【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、特に絶縁性に優れ、かつ工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０.０００１〜０.１５％、Ｓｉ：０.００１〜１.２％、Ｍｎ：０.００１〜２.０％、Ｐ：０.００１〜０.０５％、Ｓ：０.０００５〜０.０３％、Ｎｉ：０〜２.０％，Ｃｕ：０〜１.０％、Ｃｒ：１１.０〜３２.０％、Ｍｏ：０〜３.０％、Ａｌ：１.０〜６.０％、Ｎｂ：０〜１.０％、Ｔｉ：０〜１.０％、Ｎ：０〜０.０２５％、Ｂ：０〜０.０１％，Ｖ：０〜０.５％、Ｗ：０〜０.３％、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、ＲＥＭ（希土類元素）の合計：０〜０.１％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Ａｌ酸化物層を介して、厚さ１.０μｍ以上のＮｉＯとＮｉＦｅ₂Ｏ₄の混合層が形成されているステンレス鋼材。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 板厚１ｍｍ以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン（連続送り方式）で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 （もっと読む）

【課題】銅箔と低融点半田である錫−ビスマス半田との半田濡れ性が改善され、錫−ビスマス半田により太陽電池セルと銅箔とをフラックスを使用せずに半田付けでき、しかも銅箔表面が酸化変色しない表面処理銅箔を提供することを課題とする。
【解決手段】銅箔表面に付着量が０．０１０〜０．０３０ｍｇ／ｄｍ^２のＩｎ層を形成してなる表面処理銅箔である。
また、前記Ｉｎ層の上に半田層が設けられている表面処理銅箔である。 （もっと読む）