【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶構造相を含有し、Ｘ線光電子分光分析において、炭素と珪素の結合に帰属する結合エネルギー２８３〜２８５ｅＶのピークと、炭素と炭素の結合に帰属する２８２〜２８４ｅＶのピークが存在する摺動特性に優れた被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶の結晶構造相を含む耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材である。
そして、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材の製造方法であって、０を超え２５体積％以下のＣ相を含んだＳｉＣ複合ターゲットを用い、該ＳｉＣ複合ターゲットに印加する平均電力を２ｋＷ以上でスパッタし、原子比でＳｉよりもＣが多く、六方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜を被覆する耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを用いて電池部材を成膜する際に、正負極が短絡することがなく、さらに、未成膜部分が生じることがない薄型電池の製造方法を提供する。
【解決手段】１つの電極を備えた積層体の表面を、所定形状の開口部を有するマスクでマスキングした後、スパッタリングにより、開口部内に電池部材を成膜して、前記積層体に積層する薄型電池の製造方法であって、マスクは、絶縁材料により形成された絶縁体部と、絶縁体部の上面側に設けられた第１の導体部と、成膜された電池部材が接する開口部の壁面部に設けられた第２の導体部と、を備えており、第１の導体部および第２の導体部が、接地されている薄型電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩耗性及び耐溶着性を兼ね備えた切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＭｏ_1-a-b-cの窒化物又は炭窒化物から成る第１被膜層２２と、Ｔｉ_dＣｒ_eＡｌ_1-d-eの窒化物又は炭窒化物から成る第２被膜層２４とが、交互に２層以上積層した多層膜であり、原子比ａは０．２以上０．７以下の範囲内、ｂは０．０１以上０．２以下の範囲内、ｃは０．０１以上０．２以下の範囲内、１−ａ−ｂ−ｃは０．１以上、ｄは０．１以上０．７以下の範囲内、ｅは０．０１以上０．２以下の範囲内であり、且つ、第１被膜層２２の膜厚Ｄ１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、第２被膜層２４の膜厚Ｄ２は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、総膜厚Ｄは０．２μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲内であることから、耐摩耗性と耐溶着性を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＮｂ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｎｂ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜２０ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径４０〜８０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径１５０〜８００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＣｒ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｃｒ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜１５ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径３０〜７０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径１００〜６００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】輻射率の向上と放出ガスの抑制を共に達成することが可能な真空部品及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 本発明の真空部品は、基材１と、輻射層２とを具備する。基材１は、ブラスト処理が施された後にエッチング処理が施された金属表面１ａを有する。輻射層２は、金属表面１ａ上に積層され、ＡｌＴｉＮからなる。
この構成によれば、基材１の金属表面１ａは、ブラスト処理により生じるブラスト粒子Ｂの嵌入や表面の複雑化が、エッチング処理によって緩和された状態となっている。これにより、ブラスト粒子Ｂの嵌入や複雑化に起因する放出ガスが抑制される。また、ブラスト処理及びエッチング処理による金属表面１ａの粗面化により、平滑な金属表面に輻射層を積層した場合に比べて輻射率が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】
２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
超電導体物品は、基板と、前記基板上に配置され、かつ単軸結晶テクスチャを有する第１のバッファ膜であって、前記単軸結晶テクスチャは、前記第１のバッファ膜の面内に延びる第１の結晶方向に沿ったテクスチャであり、前記第１のバッファ膜の面外に延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さないことを特徴とする前記第１のバッファ膜と、 前記第１のバッファ膜上に配置されていて、２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜であって、前記２軸方向の一方の結晶方向は前記第１の結晶方向に沿って配向される前記第２のバッファ膜と、前記第２のバッファ膜上に配置されている超電導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な薄膜を効率よく成膜可能なスパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】反応室２１内に、成膜対象となる基板１０と、基板１０に対向して配置されたカソード電極となるターゲット２３と、基板１０とターゲット２３との間に配置されたアノード電極２４とを備えたスパッタリング成膜装置において、アノード電極２４が、櫛歯状をなし、該櫛歯状の隙間部分が成膜面に対して投影されるように配置されているスパッタリング成膜装置を備えた太陽電池製造装置。 （もっと読む）

【課題】アルミ製缶における耐焼付き性に優れた工具が実現でき、かつ容易に除膜および再コーティングが可能となり、再利用できるアルミ製缶用工具とその製造法を提供する。
【解決手段】基材の成分組成を規制し、かつ、ミクロ組織中のＭ₇Ｃ₃系炭化物の大きさが５〜２０μｍ、面積率５〜１５％なる工具鋼、またはこの工具鋼に、さらにＳ：０．０６０％以下を含有した工具鋼を基材とし、該基材の表面に窒化層を形成し、前記窒化層の上にＴｉ、Ｚｒ、Ｈ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＡｌおよびＣｒの少なくとも１種以上の元素で構成する窒化物、炭化物または炭窒化物の単体または混合物からなる硬質皮膜を被覆し、さらに前記硬質被膜上にＡｌ−Ｃｒ系窒化物による被膜を被覆してなることを特徴とする耐焼付き性に優れたアルミ製缶用工具およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 切刃における被覆層のチッピングや剥離を抑制できるとともに耐溶着性を向上した切削工具を提供する。
【解決手段】 基体６の表面が硬質炭素膜７で被覆されてなり、硬質炭素膜７の表面には、直径１μｍ以上で、ラマン分光分析によって得られる高周波バンド（Ｇバンド）と低周波バンド（Ｄバンド）のピーク面積比Ｄ／Ｇが前記硬質炭素膜の素地７ａにおけるピーク面積比Ｄ／Ｇよりも大きい粗大粒子７ｂが存在する切断装置１等に用いられる表面被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】基板上に中間層の１層としてＣｒ_２Ｏ_３膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に中間層２０を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてＣｒ_２Ｏ_３膜２２を形成するＣｒ_２Ｏ_３膜形成工程と、その他の層（例えばベッド層２４、２軸配向層２６、キャップ層２８等）を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に硬質皮膜４を備えた硬質皮膜形成部材１０（１０ａ）であって、硬質皮膜４は、組成がＴｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＹ_ｅ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗ）（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｕ、ｖ、ｗは所定量の原子比）を満足するＡ層２と、組成がＴｉ_ｆＣｒ_ｇＡｌ_ｈ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）（ただし、ｆ、ｇ、ｈ、ｘ、ｙ、ｚは所定量の原子比）を満足するＢ層３とを備え、厚さが０．５μｍ以下の中間層５を介してまたは中間層５を介さずにＢ層３の上にＡ層２が積層され、Ａ層２の厚さが０．５〜５．０μｍであり、Ｂ層３の厚さが０．０５〜３．０μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＳｉＮよりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の硬質皮膜は、（Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}，Ａｌ_ａ，Ｃｒ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ）（Ｃ_１−ｅＮｅ）からなる硬質皮膜であって、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂのそれぞれの原子比ａ，ｂ，ｃ，ｄが、０．５≦ａ≦０．８、０．０６≦ｂ≦０．３、０＜ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．１、０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１を満たすようにし、かつＮの原子比ｅが０．５≦ｅ≦１を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に硬質皮膜４を備えた硬質皮膜形成部材１０であって、硬質皮膜４は、組成がＴｉ_ａＣｒ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＹ_ｅ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗ）（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｕ、ｖ、ｗは所定量の原子比）を満足するＡ層２と、組成がＴｉ_ｆＣｒ_ｇＡｌ_ｈ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）（ただし、ｆ、ｇ、ｈ、ｘ、ｙ、ｚは所定量の原子比）を満足するＢ層３とを備え、Ａ層２とＢ層３が交互に積層され、前記Ａ層と前記Ｂ層の１組の積層構造を１単位としたときに、この１単位の厚さが、１０〜５０ｎｍであり、かつ硬質皮膜４の膜厚が１〜５μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）