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Fターム[4K029AA04]の内容

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 (1)
Si (1,129)
Al2O3 (296)
SiO2、シリカ (228)
ガラス (2,160)

Fターム[4K029AA04]に分類される特許

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【課題】基材表面が金属単原子層で被覆された金属単原子層被覆材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】親和力、融点及び蒸発温度に関して所定の関係を満たす第1の基材及び被覆金属を、金属単原子層が形成されるように密閉容器内に封入する封入工程と、密閉容器を、各被覆金属の真空での蒸発温度の最大値TMb以上、各第1の基材と各被覆金属とが反応する温度の最小値及び密閉容器の耐熱温度の内のいずれか低い方の温度以下で加熱した後、冷却し、第1の基材の表面を被覆金属からなる金属単原子層で被覆する被覆工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】4μm以上に厚膜化した2層以上の硬質皮膜における圧縮応力を低減し、密着強度を確保し耐摩耗性に優れた硬質皮膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金基材側の硬質皮膜層1および表面側の硬質皮膜層2を有し、硬質皮膜層1の組成は(AlCr1−a1−x(元素の含有量は原子比であり、0.5≦a<0.7、および0.48≦x≦0.52である。)で表され、X線回折における(111)面のピーク強度Ir、(200)面のピーク強度Isとしたとき、0.3≦Is/Ir<1であり、硬質皮膜層2の組成は、(Ti1−bSi1−y(元素の含有量は原子比であり、0.01≦b≦0.15、および0.48≦y≦0.52である。)で表され、X線回折における(111)面のピーク強度Iu、(200)面のピーク強度Ivとしたとき、0.3≦Iv/Iu<1であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。 (もっと読む)


【課題】硬質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、0.5〜5μmの平均層厚を有するZr硼化物層を被覆してなる切削工具であって、上記Zr硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、5〜30nmの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径50〜100nmの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径200〜1000nmの三次結晶粒とから構成されている。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造を有するCu配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにCu配線内のCuの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。
【解決手段】ダマシン配線を有する半導体装置において、第2層間絶縁膜6に形成した配線溝G2およびビアホールV2のそれぞれの内壁にバリア膜としてTaN膜7およびCuと濡れ性の良いTiからなるTi膜8とを順に形成することにより、Ti膜8上に均一にCuシード膜9aを形成することを可能とする。これにより、Cuシード膜9aを電極として電界メッキ法によりCu膜9を形成した際に、配線溝G2およびビアホールV2内に空隙が形成されることを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金、Co基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、1〜50nmの層厚の薄層Aと1〜50nmの層厚の薄層Bとが交互に積層された100〜500nmの層厚の複層領域と、100〜500nmの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Aは、TiN層、薄層Bは、[Al1−X−YTiSi]N(Xは原子比で0.15〜0.94、Yは原子比で0.01〜0.15)層であって、単一層は、前記薄層Aと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Bと同一組成・成分で0.3〜1μmの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金、Co基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、1〜50nmの層厚の薄層Aと1〜50nmの層厚の薄層Bとが交互に積層された100〜500nmの層厚の複層領域と、100〜500nmの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Aは、[Al1−XTi]N(Xは原子比で0.30〜0.80)層、薄層Bは、[Al1−Y−ZTiSi]N(Yは原子比で0.15〜0.94、Zは原子比で0.01〜0.15)層であって、単一層は、前記薄層Aと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Bと同一組成・成分で0.3〜1μmの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金、Co基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、1〜50nmの層厚の薄層Aと1〜50nmの層厚の薄層Bとが交互に積層された100〜500nmの層厚の複層領域と、100〜500nmの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Aは、[Al1−xTi]N(xは原子比で0.30〜0.80)層、薄層Bは、[Ti1−ySi]N(yは原子比で0.01〜0.30)層であって、単一層は、前記薄層Aと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Bと同一組成・成分で0.3〜1μmの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、0.090≦b≦0.25を満たし、Bサイト中のNb比率が、0.13≦a×(1−b)を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Pb1+δ(ZrTi1−a(MgNb1−b ・・・(P)
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。) (もっと読む)


【課題】被削材の高硬度化などの厳しい切削加工条件において長寿命を実現できる被覆部材の提供を目的とする。
【解決手段】基材と基材の表面に被覆された被膜とからなり、被膜の少なくとも1層はPVD法により被覆された(MAD)XR(但し、MはCr,Al,Ti,Hf,V,Zr,Ta,Mo,W,Y,Nbの中から選ばれた2種以上の金属元素を表し、LはMn,Cu,Ni,Co,B,Si,Sの中から選ばれた少なくとも1種の添加元素を表し、XはC,N,Oの中から選ばれた少なくとも1種の非金属元素を表し、AはMとLの合計に対するMの原子比を表し、DはMとLの合計に対するLの原子比を表し、RはMとLの合計に対するXの原子比を表し、0.90≦A≦0.99、0.01≦D≦0.10、A+D=1、0.95≦R≦1.10を満足する。)で表される硬質膜であり、硬質膜はX線回折における最高ピーク強度を(220)面に示す被覆部材。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金、Co基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、1〜50nmの層厚の薄層Aと1〜50nmの層厚の薄層Bとが交互に積層された100〜500nmの層厚の複層領域と、100〜500nmの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Aは、Tiの窒化物層、薄層Bは、[Ti1−XSi]N(Xは原子比で0.01〜0.30)層であって、単一層は、前記薄層Aと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Bと同一組成・成分で0.3〜1μmの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金、Co基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、1〜50nmの層厚の薄層Aと1〜50nmの層厚の薄層Bとが交互に積層された100〜500nmの層厚の複層領域と、100〜500nmの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Aは、[Al1−XCr]N(Xは原子比で0.30〜0.80)層、薄層Bは、[Al1−Y−ZTiSi]N(Yは原子比で0.15〜0.94、Zは原子比で0.01〜0.15)層であって、単一層は、前記薄層Aと同一種の層で構成するとともに、硬質被覆層の表面近傍に前記薄層Bと同一組成・成分で0.3〜1μmの層厚の単一層からなる中間層を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体RE2CuO4(REは希土類元素)の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物RE2CuO4と、面内および面間の少なくとも1つの格子定数が±1%の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板101の上に、希土類元素REと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜102を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素REおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜102における希土類元素REおよび銅の組成比を、化学式RE2CuO4の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】プレス成形において、曇りのない光学素子を得ることができ、歩留まりの向上、生産性の向上に寄与する光学素子の成形方法を提供する。
【解決手段】光学素子の成形面とされた一対の上型2及び下型3の成形面に、耐熱性及び易酸化性を有する保護膜6が形成された光学素子用成形型に、ビスマス系のガラス素材を収容し、光学素子用成形型を加熱してガラス素材を軟化させる加熱工程と、軟化したガラス素材を、プレス手段を用いて光学素子用成形型により加圧して光学素子形状を付与するプレス工程と、プレス工程後、光学素子用成形型を冷却し、光学素子形状を付与したガラス素材を固化させる冷却工程と、を有する光学素子の成形方法。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するMBE法又はMOCVD法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ga、B、Al、In、Tl、F、Cl、Br、及びIから成る群から選ばれる1種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 (もっと読む)


【課題】低炭素鋼、軟鋼等の軟質被削材の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた密着性と潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、下部層に(Al,Cr)N層または(Al,Cr,M)N層を形成し、上部層に立方晶構造のNbNと六方晶構造のNbNの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてX線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のNbNの(200)面からの回折ピーク強度をIc、また、六方晶構造のNbNの(103)面と(110)面からの回折ピーク強度をIhとした場合、0.1≦Ih/Ic≦0.7を満足する回折ピーク強度比を有する層を形成した表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】低炭素鋼、軟鋼等の軟質被削材の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた密着性と潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、薄層A:(AlTi)N層または(AlTiM)N層と薄層B:立方晶構造のNbNと六方晶構造のNbNの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてX線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のNbNの(200)面からの回折ピーク強度をIc、また、六方晶構造のNbNの(103)面と(110)面からの回折ピーク強度をIhとした場合、0.1≦Ih/Ic≦0.7を満足する回折ピーク強度比を有する層との交互積層構造からなる層を形成した表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】低炭素鋼、軟鋼等の軟質被削材の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた密着性と潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、下部層に(AlTi)N層または(AlTiM)N層を形成し、上部層に立方晶構造のNbNと六方晶構造のNbNの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてX線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のNbNの(200)面からの回折ピーク強度をIc、また、六方晶構造のNbNの(103)面と(110)面からの回折ピーク強度をIhとした場合、0.1≦Ih/Ic≦0.7を満足する回折ピーク強度比を有する層を形成した表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】第1および第2のメタルマスクを含むメタルマスクセットを用いて基板に所定の配線パターンを成膜する際、配線パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】例えば、半導体基板102に所定の配線パターンを成膜する際に用いられる複数のメタルマスクを含むメタルマスクセット100において、配線パターンの一部領域に対応した形状の開口部340を有する第1のメタルマスク110(チップ用マスク320)と、配線パターンの他の一部領域に対応した形状の開口部350を有し、さらに第1のメタルマスク110の開口部340を覆う形状の空間部360を有する第2のメタルマスク120(チップ用マスク330)とを備え、半導体基板102に順次設置される第1および第2のメタルマスク110、120を介してそれぞれ第1および第2の金属が基板に順次成膜されることにより基板に配線パターンが成膜される。 (もっと読む)


【課題】基材と被膜との密着性を良好に保ち、過酷な切削条件に耐え得る表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具の表面に対する法線を含む平面で切断したときの断面において、基材は、被膜に接する側の表面に位置する長さ50μmの基準線における面粗度Rmaxが1μm以上10μm以下であり、基準線における硬質粒子の凹凸を構成する凹部を挟む両端の凸部の先端を結ぶ線分Aの長さLは、10nm以上100nm以下であり、線分Aに平行でかつ凹部の最深部に接する線分Bと、線分Aとの距離Dは、10nm以上100nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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