【課題】基材と被膜との密着性を良好に保ち、過酷な切削条件に耐え得る表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具の表面に対する法線を含む平面で切断したときの断面において、基材は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの基準線における面粗度Ｒ_maxが１μｍ以上１０μｍ以下であり、基準線における硬質粒子の凹凸を構成する凹部を挟む両端の凸部の先端を結ぶ線分Ａの長さＬは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、線分Ａに平行でかつ凹部の最深部に接する線分Ｂと、線分Ａとの距離Ｄは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性、付着強度に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬基体表面に、柱状晶組織のＴｉＡｌＮ層を物理蒸着で被覆形成した表面被覆切削工具であって、ＷＣ超硬基体表面とＴｉＡｌＮ層との界面において、[０００１]_ＷＣ と [１１０]_{ＴｉＡｌＮ}が平行、かつ、 [１０−１０] _ＷＣ と [００１] _{ＴｉＡｌＮ} が平行である結晶粒の界面長さをＸ_Ａ、また、[０００１]_ＷＣ と[１１１]_{ＴｉＡｌＮ}が平行、かつ、[１１−２０] _ＷＣと[１１０] _{ＴｉＡｌＮ}が平行である結晶粒の界面長さをＸ_Ｃとした場合に、１＞（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｃ）／Ｘ≧０．３、（但し、Ｘは界面の全長）を満足するヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】長寿命化させたせん断用金型及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るせん断用金型１は、一対の基材の間に配置される板材２を当該基材によりせん断するせん断用金型１であって、前記基材の表面のうち、少なくとも、曲面の領域と、前記板材２の表面に対向するとともに前記曲面から前記基材の面に沿って３００μｍまでの領域とに、アークイオンプレーティング法により形成された硬質皮膜を備え、前記硬質皮膜は、Ａｌと、ＴｉおよびＣｒのうちの１種以上と、を含有するとともに、膜厚が１μｍ以上、５μｍ以下であり、さらに、前記曲面の領域と、前記曲面から前記基材の面に沿って３００μｍまでの領域と、に形成された前記硬質皮膜の表面において、長さ１０ｍｍの線分上に存在する直径２０μｍ以上の金属粒子の個数が２個以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない担持量でかつ同等の性能が得られ、付着した白金が殆ど離脱することがない燃料電池用電極を製造することができる燃料電池用電極製造装置およびその方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、蒸着材料１１の金属からなるカソード電極、トリガ電極１３、アノード電極２３、トリガ電源３１、およびアークプラズマ発生用の並列に設けられたアーク電源３２とコンデンサ３３を備えた同軸型真空アーク蒸発源５と、前記同軸型真空アーク蒸発源５と対向して配置され、被蒸着体７である粉体状担体を収容する容器７３と、前記容器７３内で前記粉体状担体を攪拌する攪拌手段３と、前記攪拌手段３による攪拌過程で生じた前記粉体状担体の塊を粉砕するために、前記容器内の底面を叩く粉砕手段８５とを有し、前記粉体状担体に前記金属を蒸着させて燃料電池用電極を製造する燃料電池用電極製造装置１及びその方法。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性と靭性とを備えたセラミックス焼結体を実現する。
【解決手段】セラミックス焼結体を、β型窒化ケイ素および／またはβ型サイアロンを主体とし、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含む基材と、物理蒸着法により、前記基材の少なくとも一部を被覆する硬質セラミックス皮膜とから形成する。基材に、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含むため、この基材上に形成される硬質セラミックス皮膜の結晶構造が適切なものとなる。 （もっと読む）

【課題】 坩堝の側面に原料融液が這い上がった状態で成膜を行うと、形成された薄膜の厚さの均一性が低下してしまう。
【解決手段】 チャンバ内に基板ホルダが配置されている。坩堝の内部に蒸発源が収容される。坩堝の開口部が、基板ホルダに保持された基板に向けられている。第１の加熱装置が坩堝を加熱する。測定装置が、坩堝の深さの１／２の深さよりも浅い位置の、坩堝の温度に依存する物理量を測定する。回転機構が坩堝を回転させる。制御装置が、測定装置による測定結果に基づいて、回転機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】分子線源セルを破損させることなく、かつ均一な空間強度分布を維持できるＡｌ用分子線源セルを提供する。
【解決手段】蒸発させる原料を収容するルツボ１０と、ルツボ１０の側面を囲んで該ルツボ１０を加熱する分子線源ヒータ部１２と、を備え、ルツボ１０は、上端において環状の開口部１６が設けられた有底円筒状の容器と、該容器の開口部１６の全周に渡って外向きに配置され、分子線源ヒータ部１２の外側まで張り出したツバ１１と、を有することを特徴とする分子線源セル１。 （もっと読む）

【課題】意匠の自由度が高く、光沢性、鮮映性に優れ、複雑な表面形状に沿った表面性状の得られる加飾された硬化体を提供する。
【解決手段】表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下であるセメント質硬化体に、金属層１３を、離型層１１を介して担持したキャリアフィルム２０から熱転写して、鮮映性測定値（ＧＤ値）０．５以上の光沢膜を形成し、加飾されたセメント質硬化体とする。さらに、前記セメント質硬化体は、表面が平滑（表面粗さが１０μｍ以下）な型枠を使用して成形することにより、表面研磨をすることなく、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を１０μｍ以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体のポアを無くし、高い耐プラズマ性を有する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、強誘電性能に優れた非鉛系ペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式（Ｐ１）で表される第１成分と、下記一般式（Ｐ２）で表される第２成分とを含むものである。第１成分：（Ｂｉ_ｘ1，Ｘ_ｘ2）（Ｆｅ_ｚ1，Ｍｎ_ｚ2）Ｏ_３・・・（Ｐ１）第２成分：（Ａ_ｙ1，Ｙ_ｙ2）ＢＯ_３・・・（Ｐ２）（式中、ＢｉはＡサイト元素であり、Ｘは平均イオン価数４価以上のＡサイト元素である。Ａは平均イオン価数２価のＰｂ以外の１種又は複数種のＡサイト元素であり、Ｙは平均イオン価数３価以上の１種又は複数種のＡサイト元素である。Ｆｅ，ＭｎはＢサイト元素であり、Ｂは平均イオン価数４価の１種又は複数種のＢサイト元素である。Ｏは酸素。0.6≦x1＜1.0，0≦x2≦0.4，0.6≦y1＜1.0，0≦y2≦0.4，x2+y2＞0，0.6≦z1＜1.0，0≦z2≦0.4） （もっと読む）

【課題】基板等の表面の平坦性を向上させる表面処理方法を提供する。
【解決手段】窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第１の処理工程と、窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第２の処理工程と、を有することを特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高硬度難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ａｌ_1−α−βＣｒ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ａｌを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＡｌとＣｒ（とＭ）の複合窒化物層からなる下部層、（ｂ）組成式：（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＮｂとＹの複合窒化物層からなる上部層、以上（ａ）、（ｂ）で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記硬質被覆層が、（ａ）組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層からなるＴｉＡｌ（Ｍ）Ｎ薄層、（ｂ）組成式：（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＮｂとＹの複合窒化物層からなるＮｂＹＮ薄層、前記（ａ）、（ｂ）の交互積層からなることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、組成式：（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＮｂとＹの複合窒化物層の単層から構成するか、または、組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎで表されるＴｉとＡｌの複合窒化物層からなる下部層、あるいは、組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎで表されるＴｉとＡｌとＭの複合窒化物層からなる下部層（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）と前記（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ層からなる上部層との２層構造として構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、高硬度ステンレス鋼、Ｎｉ基耐熱合金などの高硬度難削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）組成式：（Ａｌ_1−αＣｒ_α）Ｎあるいは組成式：（Ａｌ_1−α−βＣｒ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ａｌ、Ｃｒを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＡｌとＣｒ（とＭ）の複合窒化物層からなるＡｌＣｒ（Ｍ）Ｎ薄層、（ｂ）組成式：（Ｎｂ_１−γＹ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１５）を満足するＮｂとＹの複合窒化物層からなるＮｂＹＮ薄層、前記（ａ）、（ｂ）の交互積層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）