【課題】ＧａＮに格子定数の近い基板を用い，大型で良質のＧａＮエピタキシャの結晶を得る。
【解決手段】素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなることを特徴とする構成。素子基板の製造方法であって、遷移金属二ホウ化物のホウ素面に、アルミニウム膜をエピタキシャル成長させ、次に、窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする構成。 （もっと読む）