本発明は、カラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程を経ても、熱劣化による反射率の低下が極めて少なく且つ硫化による黄色化を生じにくいという２つの特性を併せ持った反射電極膜を形成しうるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｇｅ系銀合金を提供することを目的とする。 本発明に係る銀合金は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｃｕ含量を０．１０〜２．８９ｗｔ％、Ｇｅ含量を０．０１〜１．５０ｗｔ％とし、且つＰｄ、Ｃｕ及びＧｅの合計含量を０．２１〜３．００ｗｔ％として、少なくとも４元素からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学基板（１７）上の反射防止被膜を処理する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、低屈折率の弗素化ポリマー含有層の物理的気相蒸着を実施する工程を含んでおり、また、この工程は、珪素または弗化マグネシウムと弗素化ポリマーを同時に気相蒸着させることにより、珪素または弗化マグネシウムと弗素化ポリマーの混成層（２１ｄ）を堆積させることに関与していることを特徴とする。好ましい実施形態では、弗素化ポリマーは重合体またはテトラフルオロエチレン重合体の形態で実施され、個々の構成要素はジュール効果または電子衝撃により蒸発させられる。本発明の方法は、何らかの光学基板または本発明の基板の上に堆積される反射防止被膜を積層した下位隣接層に低屈折率層を粘着させる工程を向上させるために利用されると有利である。この方法によって製造される基板と、この方法を実施するための装置も開示されている。 （もっと読む）

半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ_１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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一側面において、本発明は電気分解により水の分割に用いる光電気化学(PEC)電極すなわち光電極を提供する。該光電極は電解質溶液と接触する導電性表面を有する。この表面はドープしたスズ酸化物であって、該光電気化学電極の半導体太陽電池物質と電気的に接触している。本発明の変形において、透明な反射防止性の導電性を有する金属酸化物の別の層が該ドープしたスズ酸化物層と該半導体物質との間に配置されている。 （もっと読む）

例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、硫黄含有の多元素の薄膜組成物を基板上に真空蒸着する方法である。前記方法は、１又は２以上の材料を蒸着する間に前記薄膜組成物の少なくとも一部を構成する１又は２以上の原料物質でガス又は蒸気の硫黄種の供給源を対象とする処理を有する。前記ガス又は蒸気の硫黄種が１又は２以上の原料物質に到達したときに硫黄種が高温で加熱され、前記薄膜組成物の堆積の間に前記１又は２以上の原料物質からの蒸発物と前記ガス又は蒸気の硫黄種との化学相互作用が生じる。前記方法は、高誘電率を有する厚膜フィルムの誘電層を用いるフルカラーの交流エレクトロルミネセントディスプレイ用の発光体の堆積に特に有用である。 （もっと読む）

本発明は、低放射率コーティングを備えた基材を提供する。低放射率コーティングは、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域を含む。特定の実施形態において、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域は、二層型低放射率コーティングの２つの赤外反射層同士間に付与される。グレーデッドフィルム領域においては、第１の誘電物質の濃度が実質的に連続的に減少し、第２の誘電物質の濃度が実質的に連続的に増大する。また、このような低放射率コーティングの堆積方法、および、このコーティングを備えた基材が提供される。

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本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの２つの混合物の［窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物］をベースとする少なくとも１つの層Ｃを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および／または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
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【課題】長方形枠の形態でマスク(1)を離脱可能に保持するための装置を提供する。
【解決手段】脚部(2,3)上にマスク周縁を把持する把持手段が、複数のバネ要素(4)を具備しマスク周縁(1')上の近接点を把持する。各バネ要素は枠の１つの脚部(2,3)に割り当てられ、板ばねで実施され、櫛形に互いに接続されている。各板ばねは、枠にマスクを搭載する搭載位置から共通の補助把持部材(5)を用いて把持位置まで移動させることができる。板バネ(4)の固定端部が櫛の横木(7)により形成され、補助押圧部材を形成する押圧片(5)により前記枠のリム部(2,3)の傾斜側面(8)に対して押し付けられる。 （もっと読む）

光学レンズ又はその他の光学製品に反射防止（ＡＲ）コーティングをコーティングするための方法が提供される。これらのレンズは、低い反射率を有し、ほぼ白色の反射光を発し、かつ低応力ＡＲコーティングを有し、低応力レンズ基材を提供するモールディング工程を使用して製造される光学レンズに理想的に適合する。１の態様において、この方法は特殊なコーティング組成物を使用し、その１つは高屈折率組成物であり、他方は低屈折率組成物である。別の態様においては従来の気相蒸着装置とともに光学モニタを使用する方法が開示されており、それにおいては光学基準レンズを使用し、反射光の特定の光の周波数を測定し、次にこの測定値を用いて所望の光学的なコーティングが達成された時点を決定する。さらに別の態様においては、好ましくは反射光の青色対緑色対赤色の特定の比を使用して、各層の光学的な厚さを計算する。また、各層の光学的な厚さを必要に応じて調整し、低屈折率層／高屈折率層間における引張応力と圧縮応力の差を最小にすることによって、ＡＲコーティングの応力がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】画素内の膜厚分布のパラツキを低減し、高品位で信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供すること。また、マスク蒸着時の膜厚分布ムラを低減し、高品位で信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】各画素での構成層膜厚の画素内分布のバラツキを±１０％以内に収めることで発光の均一性及び信頼性を向上させた。また各構成層を成膜する際の蒸着装置内の平均自由行程を、蒸着源と基板１との最短距離よりも短くすることでマスク蒸着時の膜厚分布ムラを低減し、発光の均一性及び信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 高保磁力で、熱揺らぎの影響を受けにくく、かつ大幅なＳ／Ｎ比の改善をもたらす磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板上に少なくとも、下地層及び磁性層を順次積層してなる磁気記録媒体において、前記下地層と前記基板との間にプリコート層を介在させ、前記プリコート層がＮｉとＰとを含む下層と、Ｃｒ合金からなる上層とを順次積層することにより構成されることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

基体を被覆するための装置は、大気圧より低い圧力に維持された蒸着室、前記蒸着室に伴われた二つ以上の拡張性熱プラズマ源（１４）を含む一つ以上の配列体、及び各配列体についてオリフィス（１５）を含む少なくとも一つの注入器（１３）を含む。基体を蒸着室中に配置し、各拡張性熱プラズマ源により中心軸を有するプラズマジェットを生じさせ、同時に注入器によりプラズマ中へ気化反応物を注入して基体上に蒸着された被覆を形成する。注入器オリフィスは、全体的に均一な被覆特性を有する被覆が一般に得られるように、拡張性熱プラズマ源から特定の距離以内に位置させる。
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