【課題】種々の多数の基板に対して真空蒸着法による成膜を効率良く行う技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内において、第１及び第２のマスク３１、３２を介して第１及び第２の基板５１、５２上に蒸着を行う真空蒸着装置である。本発明は、第１及び第２の基板５１、５２を保持する保持手段８０と、第１及び第２のマスク３１、３２をそれぞれ支持するマスク支持部１７、１８と、マスク支持部１７、１８を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６とを有する。第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６は、コ字形状に形成され、第１及び第２のＸＹθステージ１５、１６の端部がそれぞれ対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】光散乱効果を持つＺｎＯ系膜を高い成膜速度で成膜できる生産性のよい成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明では、成膜室１内に処理すべき基板ＷとＺｎＯを主成分とするターゲット３１とを配置し、真空雰囲気の成膜室１内に希ガス等のスパッタガスを導入し、ターゲット３１に所定電力を投入し、プラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングすることで、基板Ｗ表面にＺｎＯを主成分とする薄膜を成膜する。スパッタリングによる成膜中、前記プラズマに基板Ｗが曝されるようにし、成膜室１内の圧力を２Ｐａ未満に保持する。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を精度良く蒸着させるとともに、蒸着材料のロスを抑制する。
【解決手段】真空処理室２０１内において、基板１００に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、内部に収容された蒸着材料を加熱し、発生した蒸着材料の蒸気を放出口２０４ａから基板１００へ向けて放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４に連結され、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を導く導管２２０と、導管２２０を流れる蒸着材料の蒸気の流量を制御する流量制御バルブ２２１と、導管２２０を介して第２蒸着源２０４に連結されて、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を回収する回収容器２３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行う。
【解決手段】搬送される基板１００に対して薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着材料を放出する第１蒸着源２０３と、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａにずれて配置され、第１蒸着材料に重なり合うように第２蒸着材料を放出する第２蒸着源２０４と、搬送方向Ａに沿って配列された複数の羽板部材２０７ａと、を備え、複数の羽板部材２０７ａは、放出された第２蒸着材料の進行方向に対して傾斜し、且つ、放出された第１蒸着材料の進行方向に対して平行となるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行う。
【解決手段】搬送される基板１００に対して薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着材料を放出する第１蒸着源２０３と、搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａにずれて配置され、放出された第１蒸着材料に重なり合うように第２蒸着材料を放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、放出された第２蒸着材料に重なる位置であって、放出された第１蒸着材料に重ならない位置に設けられた遮蔽部材２３０と、を備え、遮蔽部材２３０は、放出された第２蒸着材料の一部を通過する開口部２３１を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 （もっと読む）

【課題】 一般的な基材であるガラスに成膜され、且つ良好なパターン形状と優れた発光特性の両方を兼ね備えた薄膜蛍光体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基材と結晶性の薄膜蛍光体からなり、前記薄膜蛍光体は、前記基材上に成膜されて薄膜蛍光体層が形成されており、前記薄膜蛍光体層にパターンが形成されており、前記結晶がナノ構造であることを特徴とするパターン形成された薄膜蛍光体とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電の発生を抑制し、生産効率の優れた比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、相対密度が９５％以上で、かつ結晶相が酸化亜鉛相、導電性複合酸化物相および低原子価化チタン相からなる酸化亜鉛系焼結体であり、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉、および／またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形し、次いで還元雰囲気または不活性雰囲気中６００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイの生産性を高めるため、高い成膜速度で長時間安定に成膜作業を実施し、かつ均一な膜厚分布を達成する。
【解決手段】成膜室内で、昇華又は蒸発した成膜材料を基板Ｗに成膜する成膜装置において、加熱機構１１を備えた複数の材料収容部１０と、成膜材料を基板Ｗに向けて放出させる放出口１３との間に、連結空間１４を配置する。複数の材料収容部１０を用いることで高い成膜速度を得るとともに、各材料収容部１０から昇華又は蒸発した成膜材料を連結空間１４において混合し、均一な膜厚分布を実現する蒸気として複数の放出口１３から基板Ｗに向かって放出する。 （もっと読む）

【課題】 物理的膜厚ｄを均一にするだけでなく屈折率ｎも均一にした光学素子（ＯＥ）を提供する。
【解決手段】 第１の観点による光学素子（ＯＥ）は、基板を真空チャンバー内に配設し、基板保持部が有する複数の保持枠に基板を保持させ、基板を中央部から周辺部にかけて均一に加熱し、中央部から周辺部にかけて基板を均一に加熱している状態において蒸着源から蒸着材料を放出し、基板に蒸着材料を蒸着する光学薄膜成膜方法によって成膜された光学薄膜を含む光学素子である。そして光学薄膜の光学膜厚ｎｄは、光学素子の中央部から周辺部の表面にかけて形成され、周辺部の光学膜厚ｎｄと中央部の光学膜厚ｎｄとが、均一である。なお、光学膜厚ｎｄは、屈折率ｎ×物理的膜厚ｄである。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系薄膜をパターニングする際のエッチングレートが充分に低く、エッチングレートを容易かつ確実に制御することが可能であり、良好なパターン形状を有するとともに導電性も高い酸化亜鉛系薄膜を得ることができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜を酸によりエッチングしてパターニングする方法であって、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下の薄膜である。前記酸化亜鉛系薄膜は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを膜形成材料として成膜されたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質の薄膜を形成することができる成膜装置の提供。
【解決手段】
ターゲット１１を保持するターゲットホルダ１０と、ターゲットホルダ１０を回転可能な回転機構８０と、成膜用基板２１を保持する基板ホルダ２０と、電子線を発生する電子線発生装置３０と、電子線収束装置４０と、レーザ光照射装置５０とを備えた回転ターゲット式成膜装置である。電子線収束装置４０は、回転機構８０により回転するターゲット１１に対して、電子レンズを形成することにより電子線発生装置３０から発生された電子線を収束させ、もってターゲット１１の少なくとも一部を液体化する。レーザ光照射装置５０は、液体化されたターゲット１１の少なくとも一部にレーザ光を照射してアブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、酸化チタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下であり、かつチタン源として、原子価が４価であるチタン元素を用いて、還元性雰囲気中にて加圧焼結して作製された酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性、耐熱性等の化学的耐久性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成材料は、酸化亜鉛を主成分とし、フッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムのうち少なくとも一方を含み、さらにチタンを含む酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であり、全金属原子数に対するチタンの原子数の割合が２％超１０％以下であり、全金属原子数に対するフッ化ガリウムおよびフッ化アルミニウムの一方または両方の金属原子数の割合が０．１％以上５％以下であり、かつチタン源として、一般式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンを用いた酸化物焼結体である。 （もっと読む）

【課題】厚み方向にGaのダブルグレーデッド構造を有し、かつ面内均一性を有するCIGS膜を効率的に製造する。
【解決手段】膜用基板を一方向に搬送する基板搬送機構16を備え、成膜用基板Sの搬送方向Aに沿って最上流に、In蒸着源21とGa蒸着源22とが交互に配置されてなる行列状のIn-Ga第１蒸着源群31を配置し、制御部15により、搬送方向Aの最上流と最下流との間にGa/(In+Ga)比が最小、かつその最小のGa/(In+Ga)比が最上流または最下流でのGa/(In+Ga)比の半分以下となる領域が存在するように、各蒸着源21〜23、25からの蒸発量を制御する。 （もっと読む）