【課題】高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする。
【解決手段】フィルム２に有機ＥＬ層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂと同形状の開口パターン４を設けたマスク１をフィルム２がＴＦＴ基板１９側となるようにして該ＴＦＴ基板１９上に位置決めし載置し、ＴＦＴ基板１９のＲ対応アノード電極２１Ｒ上にマスク１の開口パターン４を介して成膜し、Ｒ有機ＥＬ層１７Ｒを形成した後、マスク１を複数種の有機ＥＬ層１７Ｒ〜１７Ｂの配列ピッチと同寸法だけアノード電極２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの並び方向に移動し、ＴＦＴ基板１９のＧ対応アノード電極２１Ｇ上にマスク１の開口パターン４を介して成膜し、Ｇ有機ＥＬ層１７Ｇを形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータを設けることなく、基板を確実に保持できる有機ＥＬデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー９１と、基板搬送機から基板６を受取るための基板受けピン６６と、基板ホルダー昇降機構６８と、基板ホルダー９１の端部に設けられ、基板クランプ６１とクランプ支持金具６２とクランプ付勢バネからなる基板保持機構と、基板６を基板クランプ６１から解放するためのクランプ開閉ピン６７とを備え、クランプ支持金具６２は縦方向に回転し第１の腕６２ａ
と第２の腕６２ｃを有し、第１の腕６２ａの端には基板クランプ６１の一端が固定され、第２の腕６２ｃの端には縦方向に回転する回転部が設けられ、基板クランプ６１が基板６を基板ホルダー９１に押圧するよう、有機ＥＬデバイス製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】基板９上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜１を被着したフィルム２に薄膜パターン形成領域１１に対応して薄膜パターン１２と同形状の貫通する開口パターン３を形成し、磁性体膜１側を第１の磁気チャック６の平坦面に吸着して保持されたマスク４の開口パターン３を、第２の磁気チャック１０上に載置された基板９の薄膜パターン形成領域１１に位置合わせするステップと、第２の磁気チャックにより磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６から基板９上に移すステップと、マスク４の開口パターン３を介して基板９上の薄膜パターン形成領域１１に成膜し、薄膜パターン１２を形成するステップと、を行うものである。 （もっと読む）

【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを２０〜８０原子％含有し残部がＭｏおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が１０質量ｐｐｍ以下であるＭｏＴｉターゲット材である。また、本発明のＭｏＴｉターゲット材は、ＭｏＴｉ焼結体を１００Ｐａ未満の圧力、８００℃以上、０．５時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の低減が可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１００に備えられた基板保持機構３は、基板の非成膜部分の一部が他の基板と重なり合い、成膜部分が露出するように複数の基板を保持する基板保持部材１０〜４０と、基板保持部材１０〜４０を支持する支持部材５０と、支持部材５０を回転させる回転部材６０と、を備え、基板保持部材１０〜４０は、複数の基板を保持し、成膜源４と複数の基板との間に配設される複数の保持面と、複数の保持面の間に形成され、複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、複数の段差部に基板の端部が当接した状態にあるとき、成膜部分に相当する部分の保持面上に形成された複数の開口部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状ガラスの両面上に膜が形成されており、反りが抑制された膜付フィルム状ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム状ガラス１をターゲット２の表面２ａに対して垂直に保持した状態でターゲット２の上を通過させながらフィルム状ガラス１の両面１ａ、１ｂの上に成膜する。とくに、フィルム状ガラスを、スパッタリング法、ＣＶＤ法または真空蒸着法により成膜を行うことが好ましく、さらにターゲット上を通過する軌道に沿って旋回させながらフィルム状ガラスの両面の上に成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であると共に耐塩化性及び耐熱性に優れた導電体膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電体膜３が、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されている。この導電体膜３の製造方法は、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 （もっと読む）

【課題】良好な薄膜処理方法およびその製品の提供。
【解決手段】本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】 本発明により、室温で低いＢｓを示すとともに、高温においてＢｓの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供できる。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｎを１種以上、残部Ｃｏ、Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材。（１）０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．５
（２）５≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｖ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２
（３）０．３≦０．８１３×Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）−０．０６２×ＴＮＭ＋１．７５１≦１．２ （もっと読む）

【課題】 本発明により室温でのＢｓに対する高温でのＢｓの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種以上と、Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂの１種もしくは２種以上または／およびＣ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｗの１種もしくは２種以上を含み、残部Ｃｏ，Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金。（１）０．５≦ＴＬＡ≦１５、（２）５≦ＴＬＡ＋ＴＡＭ、（３）ＴＬＡ＋ＴＡＭ＋ＴＮＭ≦３０ （もっと読む）

【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０１を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構１０２と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス１０３を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス１０４を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構１１０を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板１１１を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバＶＣ内に導入される導入ガスが流れる第１流路Ｌ１上に設けられた第１バルブ１１と、前記第１バルブ１１を経由して前記真空チャンバＶＣ内に導入される前記導入ガスの流量が第１流量となるように当該第１バルブ１１の開度を制御する第１バルブ制御部１２と、プラズマモニタ３と、前記導入ガスが流れる第２流路Ｌ２上に設けられた第２バルブ２１と、前記プラズマモニタ３で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第２バルブ２１の開度を制御する第２バルブ制御部２２と、を備えた。 （もっと読む）