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Fターム[4K029AA09]の内容

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Fターム[4K029AA09]に分類される特許

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【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット21の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段51、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント51を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ53を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 (もっと読む)


【課題】新たな構成の不揮発性の記憶素子、それを用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】第1の回路と第2の回路とを有し、第1の回路は第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有し、第2の回路は第3のトランジスタと第4のトランジスタとを有する。第1の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第1のトランジスタを介して第2のトランジスタのゲートに入力され、第2の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第3のトランジスタを介して第4のトランジスタのゲートに入力される。その後、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタをオフ状態とする。第2のトランジスタの状態と第4のトランジスタの状態との両方を用いて、第1の信号を読み出す。第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板2に成膜された無機物からなる無機層3上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの70%以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の利用効率の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】
真空槽11と、真空槽11内に配置され、内部に蒸着材料の蒸気が配置される中空の放出容器16aと、真空槽11内に配置され、基板5を保持する基板保持部14と、先端の開口17が基板5表面に向けられて放出容器16aに設けられ、内部が放出容器16aの内部空間と連通する複数の中空の筒15とを有し、各筒15の開口17の法線18は基板5表面と交差され、放出容器16a内の蒸気は各筒15の開口17から放出され、基板5表面に到達して薄膜が形成される成膜装置10であって、筒15には、先端が基板5表面と対面する範囲の外側に配置された筒が含まれる。先端が基板5表面と対面する範囲の外側に配置された筒15の開口17の法線も基板5表面と交差され、開口17から放出された蒸気のうち基板5表面に到達する蒸気の割合が従来より高い。 (もっと読む)


【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1のプロセスコントローラ11は、イオンゲージ10に搬送ガスのみを通流させた場合の(Ii/Ie)0 と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の(Ii/Ie)との差と、成膜速度D/Rとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ11は成膜時に(Ii/Ie)を算出し、前記成膜速度検量線を用いてD/Rを求め、求めたD/Rに基づいてマスフローコントローラ5を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 (もっと読む)


【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、Inのビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】蒸着膜の膜厚の精度が向上する蒸着膜形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置及び被蒸着物が準備される。蒸着装置は、真空槽及び蒸着源を備える。蒸着源は、真空槽内に設置され、蒸着材料を蒸発させる。蒸着装置及び被蒸着物が準備された後に、真空槽内に被蒸着物が収容される。真空槽内に被蒸着物が収容された後に、真空槽内からの排気が開始され、真空槽内が減圧状態にされる。真空槽内が減圧状態にされた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられ、蒸着材料からなる蒸着膜が被蒸着物に形成される。蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が終了させられる。同時に、真空槽内からの排気が終了させられ、真空槽内へ気体が導入され、減圧状態が解消される。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、P、TiおよびOからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にTi原子比(Ti/Ti+P)が0.5〜0.8である場合やNが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたGa添加濃度1〜40原子%のCu−Ga膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのSeを除く金属成分として、Ga:1〜40at%、Na:0.05〜2at%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Naがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】基板に蒸着される膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置10は、基板Sを収容する処理チャンバ12と、基板Sを保持するステージ14と、蒸着材料を含むガスGを基板Sに噴き付ける複数のノズル16cを有する蒸着ヘッド18cとを備える。ノズル16cはY方向に沿って配列される。成膜装置10は、ノズル16cに対して相対的に基板SがY方向と交差するX方向に沿って移動するように、蒸着ヘッド18c及びステージ14の少なくとも一方を駆動する駆動装置22と、Y方向に沿った基板Sの側面SaとX方向に沿った基板Sの側面Sbとを覆う枠Fとを備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明は高品質な化合物薄膜または有機物薄膜を高い生産性で連続的に製造可能とするために、低ダメージで反応性の高い成膜条件を実現するプラズマ源と薄膜の製造方法を提供することを目的とする。具体的には、従来のスパッタ法におけるターゲット使用効率を改善すると共に、基材へ入射する粒子の運動エネルギーを十分緩和しても良好な膜質を得るための高密度なマグネトロンプラズマを基材近傍に生成するものである。
【解決手段】
対向した少なくとも一対の平板型マグネトロンプレートを有し、前記対向する平板型マグネトロンプレートの一方のみがスパッタカソードであることを特徴とする、プラズマ源。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたNi膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ni膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでNi膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたNi膜を除去するにあたり、硫酸を15〜25wt%、硝酸を5〜15wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ni膜を溶解、除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第1の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第2の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたGa添加濃度1〜40原子%のCu−Ga膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのF,S,Seを除く金属成分として、Ga:1〜40at%、Na:0.05〜2at%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Naがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも1種の状態で含有され、酸素含有量が100〜1000ppmである。 (もっと読む)


【課題】有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるZnの含有量が50原子%以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第1酸化物半導体層と、In、Ga、およびZnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素と、Snとを含み、基板側に形成される第2酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第1酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 (もっと読む)


【課題】分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された本体部と、本体部の一側から延びた少なくとも一つ以上のサイドクランピング部と、前記少なくとも一つのサイドクランピング部の最外郭のサイドクランピング部に隣接して配される斜めクランピング部と、を備え、斜めクランピング部とサイドクランピング部とがなす角度(θ)は、0°より大きく90°より小さい(0°<θ<90°)分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法。 (もっと読む)


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