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Fターム[4K029AA09]の内容

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Fターム[4K029AA09]に分類される特許

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【課題】本発明は、蒸着品質を高めることができるマスク組立体およびそれを用いて製造された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるマスク組立体は、開口部を形成するフレームと、複数の蒸着用開口部を形成し、長さ方向に沿って引張力が加わった状態で両側端部がフレームに固定される複数の単位マスクとを含む。複数の単位マスクのうちの隣接した少なくとも二つの単位マスクは、互いに向き合う両側面に蒸着用凹部を形成する。単位マスクの幅方向に沿った蒸着用凹部の幅は、単位マスクの幅方向に沿った蒸着用開口部の幅と同一であるか、またはそれよりも大きい。 (もっと読む)


【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置100では、メインコントローラ14及び/または電子銃ドライバ59により、電子ビームBが、蒸発材料10の上面10aの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル62が制御される。これにより、電子ビームが、その上面10a全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料10の上面10aからの蒸発流分布(蒸発流密度)を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Wに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Mo−X合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Xは、Moと合金を形成し、Moより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Tlより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Xの含有量は、1at%以上20at%以下が好ましい。少なくとも表面から50nmまでの領域が本発明に係るMo−X合金からなる耐硫化性電極。元素Xは、Al及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の金属元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による蒸着用マスクは、貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および原子層蒸着法(atomic layer deposition、ALD)により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層を含む。 (もっと読む)


【課題】高い解像度を有し、かつ生産性が高い有機EL発光装置等の装置を製造するための成膜装置を提供する。
【解決手段】マスク部材11と、マスク部材11を固定するフレーム12と、からなるマスクユニット10と、マスクユニット(10)1基に対して1組設けられるアライメント機構と、を備え、マスク部材11が、複数組の開孔パターン13aが並列して設けられてなる開孔部13を有し、前記アライメント機構により、複数の成膜領域がマトリクス状に設けられている一枚の基板1に対して複数のマスクユニットが互いに干渉されることなく配置され、成膜時においてマスクユニット10を交換し又は移動することなく、一括して薄膜を成膜することを特徴とする、成膜装置。 (もっと読む)


【課題】電子注入効率が高く低電圧駆動が可能な有機発光素子を製造する方法を利用する際に使用される蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料25を収容する収容容器23と、収容容器23内に収容される蒸着材料5をガス状態にする加熱手段(熱源22)と、を有する蒸着装置において、収容容器23と被蒸着基材との間であって、ガス状態の蒸着材料が通過する位置に媒体21を有し、媒体21と前記被蒸着基材との間に媒体21が発する熱を遮蔽する遮蔽部材が配置されていることを特徴とする蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス100を軸線Lまわりに回転させながら、軸線Lに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面51を仕上げ加工する。正面フライス100には、スローアウェイチップ(インサート)3として、第1チップ31と第2チップ32とが設けられる。第1チップ31は、円弧状の切り刃を有する。第2チップ32は、直線状の切り刃を有する。 (もっと読む)


【課題】高い解像度を有する有機EL発光装置が得られ、かつ生産性が高い有機EL発光装置の製造装置を提供する。
【解決手段】複数のマスク部材10と、複数のマスク部材10を固定するフレーム20と、からなるマスクユニット2と、マスク部材10と基板40との相対位置を決めるアライメント機構と、蒸着源30と、を備え、マスク部材10が、複数組の開孔パターン12が並列して設けられてなる開孔部11と、マスク部材10上であってマスク部材10とフレーム20とが接合している領域に設けられるアライメントマーク14,15と、を有し、マスク部材10と、マスク部材10と同一の形状の基板40と、が、前記アライメント機構を用いて、マスク部材10に設けられるアライメントマーク14、15と基板40に設けられるアライメントマーク42、43とを合わせることによってアライメントが行われる。 (もっと読む)


【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 (もっと読む)


【課題】複数の蒸着材料を被蒸着体に共蒸着するインライン型蒸着装置において、膜厚の蒸着膜を均一に製膜し、信頼性の高い被蒸着体を生産する。
【解決手段】蒸着装置1は、蒸着材料20,30を夫々蒸発させる蒸発源2,3と、蒸発源2,3から被蒸着体4へ向かう蒸着材料20,30の流路を囲うように配置されるホットウォール5と、を備える。蒸発源2,3は、蒸着材料20,30を被蒸着体4側へ放出する放出口22,31を有し、蒸発温度が高い蒸着材料30を蒸発させる蒸発源3の放出口32がホットウォール5の上端縁よりも上方に設けられている。この構成によれば、蒸発した蒸着材料30がホットウォール5に付着することなく被蒸着体4に蒸着される。従って、蒸着材料30がホットウォール5によって再蒸発しながら被蒸着体4に付着することがなく、膜厚の蒸着膜を均一に製膜でき、信頼性の高い被蒸着体4を生産することができる。 (もっと読む)


【課題】基板に有機物薄膜を蒸着する全体の工程時間を最小化できる平板パネル製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二つの基板10が処理される複数の工程チャンバー110;第1の方向L1に沿って複数の工程チャンバーの間に配置され、第1の方向に直交する第2の方向L2に沿って直線状に往復移動しながら未処理の基板を工程チャンバーに供給したり、処理が完了した基板を工程チャンバーから排出する移送ロボット123を備える移送チャンバー120;移送チャンバーの一側に結合され、供給される基板を収容するローディングチャンバー130;及び移送チャンバーの他側に結合され、排出された基板を収容するアンローディングチャンバー140;を含み、工程チャンバーの内部では、第2の方向に沿っていずれか一つの基板に工程ガスが蒸着されると同時に、残りの基板に対する移送及び位置整列が行われることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲットであるCu2Oから、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜(堆積膜)又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu2O被膜の形成に際して、そのCu2O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu2Oを用い、Arをプラズマ化するための投入電力とArを含む全ガス圧力とを、前記Cu2Oからのスパッタ粒子をO2流量比が高まるに伴ってCu2O,Cu4O3,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu2O被膜の形成に際しては、O2流量比調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整して、Cu2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ(Rpv)が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


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