【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、酸化スズ添加酸化インジウムの透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の膜厚方向に対して、透明プラスチックフィルム基材側から表層側に向かって酸化スズの含有量が連続的に、および／または、段階的に減少していて、かつ、表層側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が０．５〜８質量％であり、かつ、透明プラスチック基材側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が表層側の含有量より２０〜６０質量％多く、かつ透明導電膜の全体の厚みが１６〜５０ｎｍであり、かつ酸化スズの含有量が０．５〜８質量％の透明導電膜の厚みが１５ｎｍ以上である透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】プラスチック基材およびドライコーティング層との密着がよく、生産能率の高く、高ガスバリア性を有したガスバリア性フィルムと生産方法を提供すること。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置した装置構成において、電極間に不活性ガスを圧力０．５Ｐａ以上５０Ｐａ未満で導入して、電極間に高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム基材表面にプラズマ処理を施し、基材とガスバリア層間に十分な密着性能を与える。また、真空蒸着法により酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）からなるガスバリア層を形成する際、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、生産性が高く、高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも１層は、重合成組成物を硬化してなる有機層（１）であって、前記重合性組成物を６０重量％含むプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート液における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上である、バリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】高い成膜速度を確保した上で、透明性及び高バリア性を付与し、蒸着材料から発生する突沸やスプラッシュなどによりフィルムがダメージを受けることを最小限に抑えることを可能とする真空成膜装置およびガスバリア性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置３０は、基材の一方の面に蒸着法によって薄膜を形成する真空成膜装置であって、蒸着材料を蒸発させる蒸発手段である電子ビーム銃２０と、蒸発した蒸着材料を活性化させるためのプラズマを発生させるプラズマ発生手段であるホローカソード放電を用いたホローカソードガン１８と、蒸着材料と基材との間に設置された異物捕捉手段である異物ガード２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】透明樹脂基材に吸着しているガスの放出を抑え、ロール巻取りの際の巻きシワを抑制することができる透明薄膜積層体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】基材巻出し室１の基材ロール２より透明樹脂基材３を巻出し、搬送ロール４を通過後、スパッタ室５のアノードドラム６を通過させる。その際にカソード７ａ、７ｂ、７ｃとの間に電力を印加しスパッタリングで透明導電性膜の成膜を行ない、搬送ロール４を通してフィルム巻き取り室８で再びロール９に巻き上げることにより、長尺、具体的には数１００ｍ以上、場合により数１０００ｍの透明薄膜積層体を連続的に製造する。基材ロール２に巻かれている透明樹脂基材３は、基材巻出し室１の調温装置１ａによって温度０℃に冷却する。また、搬送ロール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとアノードドラム６及びスパッタ室５内雰囲気の温度を、調温装置１２により、透明樹脂基材３と同じ０℃に冷却する。 （もっと読む）

【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜３ａと、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜３ｂで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上、３０分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】インジウム系複合酸化物を有する非晶質層を結晶化するための加熱時間を短くすることができる透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、厚みが１０〜５０μｍのフィルム基材の第１の面に、インジウム系複合酸化物で形成された非晶質層を積層する第１工程と、上記非晶質層が積層されたフィルム基材を、繰り出しローラーにより搬送し巻き取りローラーに巻き取る途中で、このフィルム基材を１６０℃以上に加熱し、上記非晶質層を結晶化して透明導電体層を形成する第２工程と、上記フィルム基材の第２の面に、粘着剤層を形成する第３工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れた窒化酸化珪素膜を形成可能にしたガスバリア性フィルムの製造方法およびガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチック基材１１と、プラスチック基材１１の両面または一方の面に設けた窒化酸化珪素膜１３とを備えるガスバリア性フィルムの製造方法であって、窒化酸化珪素膜１３が、窒化珪素と、珪素、一酸化珪素、二酸化珪素のうち一種類以上とを含む蒸着材料を用いた真空蒸着法により形成され、成膜中の真空槽内の圧力が０．１０Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板２と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層４であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層６であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高輝度金属調外観と光透過性を両立し、尚且つ加飾工程時の環境負荷低減を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。さらには、安価で簡易的に種種の色相を持った金属調外観の付与を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。
【解決手段】熱可塑性基材（Ａ）と、厚さ２００〜８００Åの光透過性金属層（Ｂ）と、粘着剤層（Ｃ）とを含む成型用積層体であって、３８０〜７８０ｎｍの波長領域（可視光域）における該積層体の最大反射率が４０％以上、最大透過率が２〜３０％であることを特徴とする成型用積層体。 （もっと読む）

【課題】固体潤滑剤からなる潤滑部品が取り付けられた保持器を備えた玉軸受として、機械的強度が十分であるとともに、寸法が大きい玉軸受や、ボール間隔が狭いアンギュラ玉軸受に適用しても、良好な潤滑性能が得られるものを提供する。
【解決手段】保持器４の柱部分４２の、内輪１および外輪２からボール３へ伝えられる力の合力の作用線Ｌに沿った位置に、対をなす凹部４３を形成し、この凹部４３に円柱状の固体潤滑剤からなる潤滑部品５１、５２を嵌める。この玉軸受は、回転時に、潤滑部品５１、５２をなす固体潤滑剤が、内輪軌道面１１および外輪軌道面２１とボール３の表面に効率的に移行する。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】優れた成膜精度でカルシウム層を形成することができる成膜方法、優れた成膜精度で形成されたカルシウム層を備える試験片を製造することができる試験片の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、電子ビームを照射して、基材上にカルシウム層を成膜する方法であり、カルシウムを収納するための容器５３として、凹部を有する本体部５２と、凹部に蓋をする蓋部５１とを有し、蓋部５１の厚さ方向に貫通する貫通孔５１１を備えるものを用い、本体部５２の凹部にカルシウムを収納し、凹部を蓋部５１で蓋をした状態で、電子ビームを蓋部５１に照射することで、加熱されたカルシウムが昇華することにより、貫通孔５１１を通過し、その後、基板上に、飛来することでカルシウム層が成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性向上のために高い出力での電子ビーム加熱蒸着法を利用した場合でもスプラッシュ現象を抑制でき、高いガスバリア性の蒸着フィルムを得る。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、金属マンガンもしくは酸化マンガン粉末とを含有し、珪素とマンガンの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｎ））が１．０〜１．８であり、マンガンと珪素の原子数の比（Ｍｎ／Ｓｉ）が０．０５〜０．４５である蒸着用材料を、電子ビーム加熱方式により蒸発させ、高分子フィルム基材１上に無機酸化物膜２を成膜し、ガスバリア性蒸着フィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】加熱処理によって透明導電体層が結晶化されている場合であっても、パターニングによって生じる段差を小さく抑えることができ、さらに、加熱処理において、剥がれ、発泡などの外観不具合を生じない粘着剤層付き透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】粘着剤層として、（メタ）アクリル系ブロック共重合体（Ａ）と架橋剤（Ｂ）とを含むものを使用する。（メタ）アクリル系ブロック共重合体（Ａ）は、ガラス転移温度が異なる（メタ）アクリル系重合体セグメント（ｃ）および（メタ）アクリル系重合体セグメント（ｄ）を有するものとし、少なくとも一方の重合体セグメント中に、架橋性官能基（ｅ）を有するモノマー単位を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体１０を脱ガスし、第１の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料が成膜された基体を、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向で第２成膜室４２へ案内し、第２の方向に案内中の基体の第１の面とは反対側の第２の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第１の面に第１の膜材料が成膜され且つ第２の面に第２の膜材料が成膜された基体を第１ロール室と第２ロール室の間に設けた第３ロール室Ｗ３でロール状に巻取り、第３ロール室で巻き取った基体を第１の方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスし、基体の第１の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出し、第２の膜材料の上に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室でロール状に巻取り、第１ロール室で巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）