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Fターム[4K029AA23]の内容

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Fターム[4K029AA23]に分類される特許

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【課題】成膜材料がカバーに付着した際のメンテナンス作業の簡素化を図ることが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】主ハース21とカバー28との間に絶縁体22を配置し、電源33と主ハース21とを接続する第1の配線31に第1のスイッチ34を設け、電源33とカバー28とを接続する第2の配線32に第2のスイッチ35を設ける。これにより、スイッチ34,35を開閉することで、主ハース21とカバー28との間に電位差を生じさせることができる。よって、プラズマ源7から生成されたプラズマビームを主ハース21側へ誘導することが可能となり、プラズマビームをカバー28側へ誘導することも可能となる。プラズマビームをカバー28へ誘導することで、カバー28に付着した成膜材料を加熱して、再昇華させることができる。 (もっと読む)


【課題】種々の多数の基板に対して真空蒸着法による成膜を効率良く行う技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽2内において、第1及び第2のマスク31、32を介して第1及び第2の基板51、52上に蒸着を行う真空蒸着装置である。本発明は、第1及び第2の基板51、52を保持する保持手段80と、第1及び第2のマスク31、32をそれぞれ支持するマスク支持部17、18と、マスク支持部17、18を非接触の状態でそれぞれ位置合わせを行う第1及び第2のXYθステージ15、16とを有する。第1及び第2のXYθステージ15、16は、コ字形状に形成され、第1及び第2のXYθステージ15、16の端部がそれぞれ対向するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】蒸着重合において、ポリイミド被膜の密着力が低くなることを防止しつつ成膜速度を大きくすることができる成膜基材の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜基材の製造方法は、第1工程と第2工程とを備える。第1工程では、成膜室20内で、室内温度Tを予め設定される基材10の酸化基準温度(250度)より低い第1温度(220度)に設定し、室内圧力Pを第1温度で原料モノマー31,41が気化する第1圧力(15Pa)に設定して、基材10の表面にポリイミドの酸化防止用被膜11aを形成する。第2工程では、成膜室20内で、原料モノマー31,41の分子数を増加して室内圧力Pを第1圧力より大きい第2圧力(90Pa)に設定し、室内温度Tを酸化基準温度より高く且つ第2圧力で各原料モノマー31,41が気化する第2温度(300度)に設定して、酸化防止用被膜11aの表面にポリイミドの厚膜用被膜11bを形成する。 (もっと読む)


【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度99質量%以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度99.9質量%以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚1〜9nmの超極薄表面層を形成した、線径10〜25μmのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図3のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 (もっと読む)


【課題】内部に球状のシリコンナノ結晶が点在する、発光材料として利用可能なシリコンナノワイヤを提供する。
【解決手段】該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにO2+イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】機能性微粒子の純度を高めつつ、機能性微粒子を含む機能膜を基材の表面に安定して形成すること。
【解決手段】開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド24を用いて、液中の機能性微粒子4をミストジェット技術にて所望の分布で基板3上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜8を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 (もっと読む)


【課題】強度に優れた成形体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】繊維径1μm以下の互いに結合した複数の繊維状炭素と、Gaとを含む成形体に関する。 (もっと読む)


【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったInPエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりIII−V族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第1のV族元素の分子線とを照射して第1の化合物半導体層を形成する第1の工程と、III族元素の分子線と第1のV族元素の分子線の照射を停止し、第1のV族元素の供給量が第1の工程における供給量の1/10以下となるまで成長を中断する第2の工程と、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第2のV族元素の分子線とを照射して第1の化合物半導体層上に第1の化合物半導体とは異なる第2の化合物半導体層を形成する第3の工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】所望形状の均質な微小構造体を形成することのできる微小構造物の製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部5を有する基材1を、凸部5の先端部によって形成される基材1表面の凸部の向き4が蒸着粒子3の入射方向に対して対向する方向より偏向して基材1を設置して蒸着材料を成長させる。これにより、凸部5の先端部から蒸着材料の構造体を成長させて個々の構造体がギャップによって隔てられ物理的に独立した微小構造物2の集合体を形成する。 (もっと読む)


【課題】超塑性材料からなる芯材の表面に金属被膜を積層形成し、その後、芯材を除去することによる穴つまりのない極細パイプを容易にかつ安価に製造する方法の提供。
【解決手段】芯材2の表面に金属被膜3を積層形成し、積層形成した金属被膜を残して芯材を除去することにより極細パイプ1を製造するに際し、芯材は超塑性材料からなり、芯材の表面に金属被膜を積層形成した後、芯材及び金属被膜を超塑性を示す温度域に加熱し、超塑性現象を発現する超塑性領域で芯材を塑性変形によって除去してなる。 (もっと読む)


【課題】装置を大型かつ複雑にすることなく、経済的課題を解消し、被成膜体表面に効率よく同時に均一な膜を成膜することができるスパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングカソード11は、互いに極性が異なる一対のリング状磁石12A、12B、リング状スパッタリングターゲット15、磁気ヨーク16、冷却ジャケット14、グラファイトシート17から構成される。スパッタリングカソード11はスパッタ装置に設置され、内側にリング状のスパッタリングターゲット15を収容した状態で、被成膜体をスパッタリングターゲット15の内側に固定配置して、又は一定速度でリング軸方向に移動させながら、被成膜体に成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したC−C成分及び炭素とシリコンとが結合したSiC成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、0.05以下である。 (もっと読む)


【課題】高価な貴金属であるPt、Ruの使用量を抑制しつつ、燃料電池に用いるのに好適な高活性かつ高安定性を有する触媒、この触媒の製造方法、この触媒を用いた膜電極複合体および燃料電池を提供する。
【解決手段】導電性担体と、前記導電性担体に担持され、下記(1)式で表される組成を有する触媒粒子であって、PtRuMg (1)(式中、uは30〜60atm%、xは20〜50atm%、yは0.5〜20atm%、zは0.5〜40atm%である)T元素がSi、W、Mo、V、Ta、Crおよびそれらの組み合わせからなる群より選ばれてなり、X線光電子分光法(XPS)によるスペクトルにおける酸素結合を有するT元素の量が、金属結合を有するT元素の量の4倍以下である触媒粒子を含む。 (もっと読む)


【課題】発熱体CVD(化学蒸着)法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器1内にガス供給系2によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構30により所定の高温に維持された発熱体3の表面で分解及び又は活性化して基板9の表面に薄膜が作成される。発熱体3は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が0.01重量%以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が0.01重量%以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体3からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 (もっと読む)


【課題】金属線材にスパッタリング法により被膜処理を施す金属線材の成膜装置を提供する。
【解決手段】金属線材の表面にスパッタリングにより被膜処理を施す成膜装置において、金属線材は陽極とされており、金属線材の周囲に、前記金属線材よりも低い電位又は接地された異種金属ターゲットが配置されており、さらに前記異種金属ターゲットの周囲に、前記異種金属ターゲットと電気的に絶縁された前記異種金属ターゲットと同一材質の部材が電気的に浮かした状態で配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超伝導テープを製造するための全工程を同一環境の下で行うことが可能であって、製造コストと製造時間が短縮され、同一の蒸着条件が超伝導テープ全体に適用されることにより超伝導テープの均一性が向上して性能が優れるし、ドラムによる大面積の基板上への蒸着が可能であって蒸着効率および高品質の超伝導テープが得られる、一貫工程による超伝導テープ製造方法および装置の提供。
【解決手段】反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】歯の矯正治療において、治療期間を短縮し、疼痛を和らげ、色彩的な違和感なく治療を行うため、強度が高く、低い弾性率を有し、治療のために屈曲加工した際、破断しない延性を有し、低い摩擦係数を有し、長時間安定したばね性有し、歯と違和感のない色彩を有する歯科矯正用ワイヤーを提供する。
【解決手段】ゴムメタルと称せられる高強度で低弾性率のβ型Ti合金を素材とし、これを冷間または温間で線引き加工し、円形あるいは矩形断面形状のワイヤーにした後、物理的蒸着法で金色あるいは歯の色に近い白色系の色彩を持つ、IVa族、Va族およびVIa族の窒化物薄膜、炭化物薄膜、炭窒化物薄膜あるいは金属薄膜を被覆する。引抜加工条件および皮膜形成条件を制御して、ワイヤーに捩れや曲がりなく、高強度と低い弾性率およびワイヤーを折り曲げた際、破断しない延性を維持させ、低い摩擦係数で長時間安定したばね性をもたせる。 (もっと読む)


【課題】比較的簡易なプロセスで、物品の表面に親水撥油性を付与することができ、しかも該親水撥油性の耐久性が良好である物品の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックスおよびプラスチックからなる群から選択される材料からなる被処理物品の表面を、(A)パーフルオロカーボンと、(B)酸素原子を有し、C−H結合およびハロゲン原子のいずれも有しない酸素含有化合物とが存在する雰囲気中で放電処理することによって、前記被処理物品の表面上に膜を形成する工程を有することを特徴とする物品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】プラズマ生成装置およびこれを用いたスパッタ源は、長尺の棒状あるいは紐状部材の表面全体(端面を除く)にプラズマ処理や被膜形成を施すのに適したプラズマ処理およびスパッタリングに関する方法および装置を提供しようとするものである。具体的には棒状あるいは紐状など細長い部材を取り囲むマグネトロンプラズマやスパッタ源を実現するものである。
【解決手段】非磁性でかつ導電性の部材からなる管状電極と、前記管状電極に接続されたプラズマ生成用電源と、前記管状電極の外周に配置されかつ前記管状電極内部に前記管状電極の軸方向と平行な成分の磁束密度が0.02T以上の静磁場を生成する手段とを備えることを特徴とする、プラズマ生成装置。 (もっと読む)


本発明は、容量層を含む多孔性面電極及びその製造方法に関するものである。本発明の多孔性面電極には、下に位置する多孔性表面の構造を保護するより薄い容量性コーティングが含まれている。1つ以上の処理パラメータを制御することによって、容量性コーティングの平均厚さ及び表面形態を制御することが可能である。
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