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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 本発明の目的は、Moの分散性が良い、均一微細な組織をもったMoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、(1)Mo一次粒子が凝集したMo凝集体を平均粒径10μm以下に解砕してMo粉末を作製する工程と、(2)前記Mo粉末と平均粒径50μm以下のTi粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、(3)前記混合粉末を加圧焼結してMoTi焼結体を作製する工程とを有するMoTiターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、X(式中、X及びYを互いに異なる元素であって、その質量数が1、5〜40の原子とし、m=1〜4、n=1〜10とする)で表される分子の中から選択されるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】In−Sn合金膜120をガラス基板12上に成膜し、成膜されたIn−Sn合金膜120を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置42の処理室400に格納する。水蒸気生成装置42によって水蒸気を生成させて、その基板12を格納する処理室400に水蒸気を導入する。In−Sn合金膜120が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ITO膜140となるようにIn−Sn合金膜120を酸化反応させる。 (もっと読む)


【課題】固形の有機材料を昇華・溶解させる速度をより精度よく調整することができる材料供給装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体材料を気化させて供給する材料供給装置であって、前記固体材料を供給される供給面を有し、前記固体材料を気化させる気化部材82と、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に供給する粉末材料供給部材94と、前記粉末材料供給部材に取り付けられ、前記気化部材の供給面との間に隙間ができるように配置され、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に分散させる材料分散部材と、前記材料分散部材に対して前記気化部材を移動させる移動機構と、を備える。 (もっと読む)


【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第1のトランジスタおよび第2のトランジスタと、第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群を具備し、第1のトランジスタ群は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタおよび4の端子を有しており、第2のトランジスタ群は、第5乃至第8のトランジスタおよび4の端子を有しており、第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第6のトランジスタ、第8のトランジスタはnチャネル型トランジスタが用いられ、第2のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタはpチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】排気手段への成膜材料の混入を抑制し、排気手段の性能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気手段に通じる排気口123bに成膜材料を捕捉する捕捉手段10を備える構成とする。捕捉手段によって成膜材料を捕捉して、成膜材料の排気手段への進入を抑制する。これにより、排気手段の性能の低下を防止する。また、排気手段の交換、清掃などのメンテナンス周期を延長することが可能であるため、運転停止期間を削減して、成膜装置の生産能力を向上させることもできる。 (もっと読む)


【課題】塊状に変容した蒸着材料の残滓を複雑な機構や専用のアクチュエータを用いることなく、自動的に簡便に除去する。
【解決手段】リング状のターンテーブル5の上面に円環状の溝7を形成する。供給装置12により溝7の中に顆粒状の蒸着材料10を一定量ずつ供給する。ターンテーブル5を回転させ、エリア5bに供給された蒸着材料10を蒸発位置Bで蒸発させ成膜を行う。一層目の成膜の後、ターンテーブル5を回転させ、エリア5bを休止位置Cに移動する。蒸発位置Bと休止位置Cとの間に、ターンテーブル5の移動路を横切るようにトラップ手段24が設けられ、櫛歯状に並列させた複数本のアーム25が塊状になった材料残滓をターンテーブル5の上から排除する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャネル形成領域に、酸化物半導体が用いられている。 (もっと読む)


【課題】 積層圧電素子の三面に、特別な構造の装置を用いることなく、膜質と膜厚が一定な外部電極を効率良く形成でき、外部電極の除去工程も必要ない製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の面(第1の側面)94に第1の外部電極(第1の側面電極)を形成した複数の積層圧電体9を、第2の面(第2の側面)95がターゲット13の金属粒子が放出される面と平行な面と角度をなすように並置させて、コーティングを行い第2の外部電極(第2の側面電極)951と配線電極921を同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット3であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面3aのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート8を貼付した
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【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶9が固定された坩堝蓋8で密閉される坩堝7内に原料6を配置して、原料6を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋8に固定された種結晶9の露出面を覆うように、予め、種結晶9が昇華しない温度領域で結晶薄膜15を形成する成膜工程と、結晶薄膜15が形成された坩堝蓋8で坩堝7を密閉して、原料6を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット21A,21Bへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット50を備える構成とし、ACデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント41から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。 (もっと読む)


【課題】低温でも良好に薄膜形成できるp型ZnO系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ZnOとNiOの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Zn1-xNiO薄膜を基板上に形成する。Zn1-xNixO(xは、ZnとNiの合計モル数に対するNiモル数の比率である)は、ZnOとNiOとが混合した酸化物であり、xの値は0.65以下に設定してZnOに対する価電子帯トップのオフセット量を1eV以内に抑えることが好ましく、xの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをp型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Zn1-XNiXOにおけるXの値は0.13以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 真空処理装置の処理室内において、マスクに対する基板のアライメントのために両者の位置関係を確実に検出できる簡単な構成で低コストのアライメント装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内で相互に対向配置される基板Wとこの基板に対する処理範囲を制限するマスクWとのいずれか一方を保持する固定の保持手段5と、その他方を保持する、固定の保持手段に対して相対移動可能な可動の保持手段2とを備える。固定の保持手段内に、一端側が可動の保持手段で保持された基板またはマスクのいずれか他方に向けて開口し、その他端側が処理室を画成する壁面に向けて開口する光路52R,52Lが形成され、光路の他端側から光を入射する光源61と、この他端側から光路を通して他方を撮像する撮像手段62と、撮像手段からの出力に応じて可動の保持手段を相対移動させてアライメントを行う制御手段Cとを更に備える。 (もっと読む)


【課題】容量の低下を抑えつつ、歩留まりを高めることのできる薄膜リチウム二次電池の製造方法、基板処理装置、及び薄膜リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】薄膜リチウム二次電池の製造方法は、コバルト酸リチウムからなる正極層を集電体層の形成された基板S上に成膜する成膜工程と、正極層を加熱してコバルト酸リチウムの結晶化を進める結晶化工程とを備えている。結晶化工程では、正極層の温度を第1温度で維持することにより、正極層の一部で低温相コバルト酸リチウムの結晶化を進める第1加熱工程と、第1加熱工程の後に第1温度よりも高い第2温度で正極層の温度を維持することにより、高温相コバルト酸リチウムの結晶化を正極層で進める第2加熱工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】薄膜材料を昇温させるのにかかる時間を短縮でき、かつ膜厚の均一性がよい放出装置と薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】
熱伝導性の材料からなる容器本体13と、容器本体13に形成された複数の収容孔と、各収容孔の内部にそれぞれ配置され、薄膜材料4が収容される蒸発容器6と、蒸発容器6を加熱する加熱装置7とを有し、加熱装置7は、蒸発容器6の外周側面と収容孔の内周側面との間に位置し、蒸発容器6の外周側面を取り囲んで配置され、蒸発容器6に薄膜材料4が収容された状態で、加熱装置7が蒸発容器6を加熱すると、各蒸発容器6に収容された薄膜材料4から蒸気が発生し、各蒸発容器6の開口から放出される。複数の蒸発容器6を個別に加熱するので、薄膜材料4を速やかに昇温することができる。容器本体13の熱伝導により、複数の蒸発容器6の温度差は小さくなり、放出される蒸気の量が均一になる。 (もっと読む)


【課題】蒸着法にてITO膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ITO膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】In−Sn−O系の材料を蒸発材料3とし、この蒸発材料3を蒸着室1a内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室1a内に配置した基板W表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室1a内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室1a内で水蒸気ガスを導入するガス導入口83aを基板Wの蒸着面に向け、基板Wに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


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