説明

Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

181 - 200 / 3,910


【課題】有機層蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着工程中に基板と有機層蒸着装置との精密な整列の可能な有機層蒸着装置である。有機層蒸着装置は、第1マーク及び第1整列パターンを撮影する第1カメラアセンブリーと、第2整列マーク及び第2整列パターンを撮影する第2カメラアセンブリーと、を備え、前記第1カメラアセンブリーにより撮影された前記第1整列パターンの映像が同一であり、前記第2カメラアセンブリーにより撮影された前記第2整列パターンの映像が同一であるように、前記基板の移動速度と前記第1カメラアセンブリー及び前記第2カメラアセンブリーの撮影速度とを同期化する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】In−Sn合金膜120をガラス基板12上に成膜し、成膜されたIn−Sn合金膜120を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置42の処理室400に格納する。水蒸気生成装置42によって水蒸気を生成させて、その基板12を格納する処理室400に水蒸気を導入する。In−Sn合金膜120が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ITO膜140となるようにIn−Sn合金膜120を酸化反応させる。 (もっと読む)


【課題】固形の有機材料を昇華・溶解させる速度をより精度よく調整することができる材料供給装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体材料を気化させて供給する材料供給装置であって、前記固体材料を供給される供給面を有し、前記固体材料を気化させる気化部材82と、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に供給する粉末材料供給部材94と、前記粉末材料供給部材に取り付けられ、前記気化部材の供給面との間に隙間ができるように配置され、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に分散させる材料分散部材と、前記材料分散部材に対して前記気化部材を移動させる移動機構と、を備える。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、X(式中、X及びYを互いに異なる元素であって、その質量数が1、5〜40の原子とし、m=1〜4、n=1〜10とする)で表される分子の中から選択されるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャネル形成領域に、酸化物半導体が用いられている。 (もっと読む)


【課題】 積層圧電素子の三面に、特別な構造の装置を用いることなく、膜質と膜厚が一定な外部電極を効率良く形成でき、外部電極の除去工程も必要ない製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の面(第1の側面)94に第1の外部電極(第1の側面電極)を形成した複数の積層圧電体9を、第2の面(第2の側面)95がターゲット13の金属粒子が放出される面と平行な面と角度をなすように並置させて、コーティングを行い第2の外部電極(第2の側面電極)951と配線電極921を同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット3であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面3aのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート8を貼付した
(もっと読む)


【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶9が固定された坩堝蓋8で密閉される坩堝7内に原料6を配置して、原料6を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋8に固定された種結晶9の露出面を覆うように、予め、種結晶9が昇華しない温度領域で結晶薄膜15を形成する成膜工程と、結晶薄膜15が形成された坩堝蓋8で坩堝7を密閉して、原料6を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第1のトランジスタおよび第2のトランジスタと、第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群を具備し、第1のトランジスタ群は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタおよび4の端子を有しており、第2のトランジスタ群は、第5乃至第8のトランジスタおよび4の端子を有しており、第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第6のトランジスタ、第8のトランジスタはnチャネル型トランジスタが用いられ、第2のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタはpチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】排気手段への成膜材料の混入を抑制し、排気手段の性能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気手段に通じる排気口123bに成膜材料を捕捉する捕捉手段10を備える構成とする。捕捉手段によって成膜材料を捕捉して、成膜材料の排気手段への進入を抑制する。これにより、排気手段の性能の低下を防止する。また、排気手段の交換、清掃などのメンテナンス周期を延長することが可能であるため、運転停止期間を削減して、成膜装置の生産能力を向上させることもできる。 (もっと読む)


【課題】塊状に変容した蒸着材料の残滓を複雑な機構や専用のアクチュエータを用いることなく、自動的に簡便に除去する。
【解決手段】リング状のターンテーブル5の上面に円環状の溝7を形成する。供給装置12により溝7の中に顆粒状の蒸着材料10を一定量ずつ供給する。ターンテーブル5を回転させ、エリア5bに供給された蒸着材料10を蒸発位置Bで蒸発させ成膜を行う。一層目の成膜の後、ターンテーブル5を回転させ、エリア5bを休止位置Cに移動する。蒸発位置Bと休止位置Cとの間に、ターンテーブル5の移動路を横切るようにトラップ手段24が設けられ、櫛歯状に並列させた複数本のアーム25が塊状になった材料残滓をターンテーブル5の上から排除する。 (もっと読む)


【課題】 特に再生処理された使用済みスパッタ材をリサイクルすることができる再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 元スパッタ面と、元非スパッタ面とを有する使用済みスパッタ材と、
前記使用済みスパッタ材の元スパッタ面に一体に形成される充填層と、
前記使用済みスパッタ材の元非スパッタ面からなる新スパッタ面とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質In23と、結晶質Ga2ZnO4とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Znの原子濃度比を1とした場合に、Inの原子濃度比が0.4以上1.8以下であり、かつ、Gaの原子濃度比が0.4以上1.8以下の導電性酸化物とし、In−Ga−Zn−O酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 (もっと読む)


【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも下部電極層2と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜4とを配した圧電膜素子10において、前記下部電極層2は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの2軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板1上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のX線回折強度分布において、前記結晶面のX線回折強度の相対標準偏差が57%以下である。 (もっと読む)


【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が100℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ(膜異常)が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
1,3−ビス(イソシアナートメチル)シクロヘキサンと4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアナート)のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、4,4−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)と1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜16a2を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜16a2が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜16a2の表面にアルミナ膜16c2を形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜蒸着用マスクフレームアセンブリーを提供する。
【解決手段】開口部が形成され、開口部を取り囲むマスクフレーム110と、マスクフレーム110上に結合されるマスク120と、マスク120を支持する少なくとも一つの支持台130と、支持台130を固定する複数の固定部140と、を備える薄膜蒸着用マスクフレームアセンブリー。これにより、蒸着用基板のたるみによる蒸着用基板の割れ現象を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室1aで基板Wと共に配置されるターゲット3〜3のスパッタ面3a側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場M1,M2を形成する磁石ユニット4〜4と、ターゲットの長手方向をX方向、このX方向に直交する方向をY方向とし、磁石ユニットをX方向及びY方向の少なくとも1方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段6とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド5を更に有する。 (もっと読む)


【課題】物理気相成長中に加工物を支持する方法及び関連する装置を提供する。
【解決手段】吸熱性コーティング(15)でコートされた支持面を有するアルミニウム製支持体(11)が提供される。冷却によって、加工物が350℃〜450℃の温度になるように、支持体は約100℃に冷却されPVDプロセスが実施される。コーティングは、不活性であり及び/または超高電圧に適合できる。 (もっと読む)


【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽11内でリン酸リチウムのターゲット13をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Sに成膜する。スパッタ装置のターゲット13には、インジウム層14を介して銅からなるバッキングプレート15が接合され、バッキングプレート15には、インジウム層14を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽11内の圧力を0.25Pa以上1.0Pa以下とし、ターゲット13に3.5W/cm以上5.7W/cm以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層14の温度を20℃以上60℃以下とする。 (もっと読む)


181 - 200 / 3,910