【課題】蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸発源アセンブリ３０を構成する外部ハウジング５０はガイド８０ａを有していて、蒸発源アセンブリを構成する蒸発源６０、７０が有するノズル部の貫通ホール２２２、３２２を所定の角度で傾けさせることによって、それぞれの蒸発源から吐出される蒸着物質が被蒸着基板の同一の領域に蒸着されるように誘導し、均一な粗さと均一な厚さを有する薄膜を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が良く、膜質が優れた膜を基板に形成することができ、しかも成膜材料の無駄を抑制できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着方法は、真空容器内で複数の蒸発源を用いて蒸着により基板の表面に膜を形成するものである。蒸発源は上方に開口部を有し、内部に成膜材料が収納される加熱容器、この底部から所定の高さの位置の温度を測定する温度センサ、加熱容器を加熱する加熱部を備え、成膜材料を蒸発させるものである。基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 （もっと読む）

【課題】テストサンプルを定期的にチェックする必要なしに、ＩｒＯｘ膜の酸化度を制御する。
【解決手段】上部電極、誘電体及び下部電極から構成される強誘電体キャパシタを有する半導体装置を製造する半導体製造装置であって、成膜チャンバー内に設置された半導体ウエハーに前記上部電極を形成するための混合ガスに含まれる酸素ガスを前記成膜チャンバーに導入する導入部と、前記成膜チャンバーに導入される酸素ガスの導入流量を制御する制御部と、前記成膜チャンバー内の前記混合ガスに含まれる酸素ガスの濃度を計測する計測部と、を備え、前記制御部は、前記計測部によって計測された酸素ガスの濃度の値が所定値の範囲内にない場合、前記酸素ガスの濃度の値が所定値の範囲内になるように前記酸素ガスの導入流量を変更する。 （もっと読む）

【課題】高品質のMg_aZn_1-aO単結晶薄膜を確実に形成することができる単結晶薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】プラズマアシスト付き反応性蒸着法によって成膜する反応性蒸装置を使用し、蒸着源であるルツボ６をヒータ８により加熱し、その内部に入れた合金材料（Mg_xZn_1-x）を蒸発させ、高周波酸素プラズマ中を通して、ベルジャ１０内の上部に置かれた基板の表面に付着させて、Mg_aZn_1-aO単結晶薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の高性能化には、光学設計による反射防止が有効であるが、該透明導電膜には十分な導電性を備え、かつ光学設計の自由度の高い材料が必要である。
【解決手段】水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。
（もっと読む）

【課題】基板への被覆層が、長い時間期間に亘って良好な安定性を有し、その上、その層の特性、例えば、シート抵抗及びシート均一性が改善された装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。上記ｎ個のカソード７−１０の各々及び上記アノードのうちの、ｎ個の割り当てられたアノード２９−３２は、電力供給源１１−１４に接続される。上記アノードのうちの、カソード７−１０に割り当てられていない１つのアノード２８は、上記アノード２８−３２の各々を接続している電気ライン６３に接続される。プルダウン抵抗器３４の一端が上記ライン６３に接続され、そのプルダウン抵抗器３４の他端が接地３３に接続される。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法により、立方晶窒化硼素含有皮膜を形成するにあたり、基板に与えるバイアス電圧を従来よりも低減して、残留応力の小さい立方晶窒化硼素含有皮膜を形成する。
【解決手段】Ｂ_４Ｃ（炭化四硼素）含有ターゲットを用い、マグネトロンスパッタリング法により、前記ターゲットを構成する硼素と窒素含有ガス中の窒素を反応させて立方晶窒化硼素含有皮膜を形成するにあたり、下記条件（ａ）（ｂ）および（ｃ）を満たすようにして前記ターゲットを構成する硼素のイオン化を促進させつつ、上記皮膜を形成する。
（ａ）電力投入方法：パルス状、（ｂ）投入電力パルス幅：１００μｓ以下、（ｃ）前記ターゲットのエロージョンエリアにおける最大投入電力密度：０．３３ｋＷ／ｃｍ^２以上 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現するバッキングプレートの製造方法、及びこれらに関する技術を提供すること
【解決手段】バッキングプレート１は、ブラスト材によりブラスト処理され、ブラスト処理部５が形成される。ブラスト処理部５には、付着、固着したブラスト材の他、突き刺さっているブラスト材が存在する。この突き刺さっているブラスト材上に堆積した膜が容易に剥離し、基板上の薄膜に異物として混入してしまう。ブラスト処理部５に突き刺さっているブラスト材は、単純な洗浄方法では除去することができない。そこで、バッキングプレート１は、超音波洗浄→エッチング処理→超音波洗浄の順に洗浄される。この３段階の洗浄により、ブラスト処理部５に突き刺さったブラスト材を除去することができるため、基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４と、保持手段を冷却する内部冷却手段４０と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部６２とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】必要とするターゲットの数が増えても、真空チャンバの径を大きくしなくても済み、全体して真空チャンバの小型化を図る。
【解決手段】マルチターゲットスパッタリング装置は、真空チャンバ１内のスパッタリング位置に複数のターゲット７を順次搬送し、前記スパッタリング位置でターゲット７を順次スパッタリングして同ターゲット７と対向する基板１２上に薄膜を堆積させる。複数のターゲット７を円上に並べて配置したターゲットホルダ３を真空チャンバ１内に上下に多段に設け、このターゲットホルダ３を前記の円の中心の回りに間欠回転させる回転機構５と、ターゲットホルダ３から一つのターゲット７を上下移動させて、同ターゲット７をスパッタリング位置へ搬送し、さらに同ターゲット７をスパッタリング位置からターゲットホルダ３に戻す昇降機構４とを備える。 （もっと読む）

【課題】光学多層膜付きガラス部材において、スパッタリング法等による圧縮応力を有する光学多層膜の切断時等における膜クラックや膜剥がれの発生を抑制する。
【解決手段】光学多層膜付きガラス部材１は、ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面２ａに付着力強化層３を介して形成され、圧縮応力を有する光学多層膜４とを具備する。付着力強化層３は膜厚が５０ｎｍ以上で、かつ圧縮応力を有する酸化珪素膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率や生産性を向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲットが保持される保持面１１ａを有するカソード電極１１と、ターゲット上に磁界を形成すると共に保持面１１ａに直交する回転軸Ｚ８１で回転する磁界形成部８０とを備える。磁界形成部８０は、重心Ｏ８２が回転軸以外の位置となるように配置されてカソード電極１１と対向する第１の磁極面８２ａを有する柱状の第１の磁石８２と、重心Ｏ８３が回転軸上又はその近傍に位置するように配置されて第１の磁石８２を囲う筒状の第２の磁石８３とを備えている。第１の磁極面８２ａは、保持面１１ａとの距離が、第１の磁石８２と第２の磁石８３との距離が最も短い位置Ａ８２で最も長く、最も長い位置Ｂ８２で最も短い傾斜面である。 （もっと読む）

【課題】反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の反応性直流型の成膜装置１は、直流電源１２と、直流電源１２に接続される金属ターゲット１０と、金属ターゲット１０の外周を取り囲むようにして配置される誘電体枠部材１４と、金属ターゲット１０の背面側に配置される電極部９と、金属ターゲット１０及び誘電体枠部材１４上にプラズマ発生領域１３がかかるように磁場を発生させる磁石対８とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなるマスクチップを有するマスクを蒸着装置から取り出すことなくクリーニングできる蒸着装置およびマスクのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、シリコンからなり所定の膜パターンに対応する開口部を有するマスクチップ２０と、マスクチップ２０が複数取り付けられた支持基板１０と、を有するマスク１を介して、ワーク２の被成膜面２ａに膜材料３２を堆積させる成膜室１１０，１２０と、成膜室１１０，１２０に接続されており、マスク１をクリーニングするプラズマ処理機構が設けられた処理室と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ｚｎ：０．０５〜５原子％含有し、さらにＳｉ、Ｔｉ、ＹおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜０．５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギよるダメージがないカソード電極の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、コバルト酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、このターゲットに高周波電力及びＤＣ電力を重畳印加させながら、希ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、薄膜固体リチウムイオン２次電池用の負極活物質層として機能するコバルト酸リチウム薄膜からなるカソード電極を形成する。このカソード電極を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化及び製造コストを低減した上で、スパッタ雰囲気の異なる複数のスパッタ室間における反応ガス等の流入を防ぎ、雰囲気分離を確実に行うことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】隣接するスパッタ室１３，１４の間に雰囲気分離部４０が形成され、雰囲気分離部４０における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面が、隣接するスパッタ室１３，１４における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面より小さく形成され、雰囲気分離部４０には、隣接するスパッタ室１３，１４で使用される不活性ガスを吐出する複数のガス吐出部４２が設けられ、隣接するスパッタ室１３，１４を挟んで雰囲気分離部４０の反対側には、隣接するスパッタ室１３，１４の排気を行う排気手段が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）