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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】 蒸着法によって、生産上大きなトラブルの原因となるスプラッシュ等を防止し、安定して平坦な膜を成長することができる、薄膜形成方法、その薄膜形成方法で形成したリチウム電池用正極、その正極を備えるリチウム電池を提供する。
【解決手段】 るつぼ21の原料装入空間21aを、1つまたは数個によって占めるような形状のペレット15を、成形加工する工程と、成形加工によって準備されたペレット15を、1個または数個、るつぼに装入して照射を行う工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造装置を大型化することなく基板に対して表示パネルを合理的に配置しつつも、画素内において蒸着膜の必要膜厚が確保された実効画素領域を広く確保することができ、これにより低コストで表示特性の良好な表示装置を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】開口パターン3aを備えた蒸着マスク3と長尺状のライン蒸着源1とを用いて基板5の画素a上に蒸着パターンを形成する表示装置の製造方法において、基板5上における表示パネル領域Pの配置方向に係わりなく、ライン蒸着源1の長手方向に開口パターン3aおよび画素aの長辺方向をそれぞれ一致させるように蒸着マスク3と基板5とを配置する。蒸着源5に対して基板5と蒸着マスク3とを相対的に移動させることにより、蒸着パターンを各画素aに形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、低屈折率ガラスにおいて優れた透過率特性を有し、フレアやゴースト等の発生の少なく、かつ優れたヤケ防止効果を有し、耐久性、耐擦性にも優れた反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第1層〜第5層を基板側からこの順に積層してなる反射防止膜であって、波長領域400〜700 nmの光において、基板の屈折率が1.42〜1.55であり、各層は所定の光学膜厚を有し、第1層はアルミナを主成分であり、第2層〜第4層は所定の屈折率を有し、第5層がシリカを主成分とする多孔質層である反射防止膜。 (もっと読む)


【課題】回転式マグネトロンによって得られるコーティング品質に匹敵するコーティング品質と効率とを有する平面のターゲットを使用するためのスパッタコーティング装置を提供する。
【解決手段】壁を備えた少なくとも1つのコーティングチャンバ3と、前記コーティングチャンバ3内側に配置された少なくとも第1ターゲットユニット9とを備え、前記ターゲットユニット9は、少なくとも1つの実質的に平面であるスパッタターゲット6を備え、前記ターゲットユニット9は、前記ターゲットユニット9の内部空間10´を規定する筐体10を備え、前記ターゲットユニット9は、基板2のコーティング面に面する、コーティングチャンバ3の壁3cから距離を置いて配置されているため、筐体10の背後には、筐体10とコーティングチャンバ3の壁との間に若干の自由空間があることを特徴するスパッタコーティング装置1。 (もっと読む)


【課題】 透明導電膜、光電変換ユニット、透明電極層、及び高反射電極層を備えた薄膜光電変換装置において、開放端電圧および曲線因子が改善された変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光入射側に位置する透光性絶縁基板上に形成される透明導電膜が、互いに組成の異なる複数の透明電極層の積層体であり、全て或いは少なくとも光電変換層に接する層の結晶構造が非晶質の酸化亜鉛であることにより、透明導電膜と非晶質光電変換層の界面において良好なオーミック接合を形成することが可能となり、薄膜光電変換装置の特性が向上することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】基体上での抵抗率分布を大幅に改善するスパッタリングターゲットの作製方法及びそれを用いる透明導電膜形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛、および、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた2種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%、および、Cを0.1〜10原子%含有されてなる複合物、もしくは、Al、In、B、Ga、Sc、Si、Y、Sn、Hf、MoおよびVからなる群より選ばれた1種以上の元素をそれぞれ0.1から8原子%含有してなるZnO系複合酸化物に、炭化珪素、炭化硼素、炭化バナジウム、炭化モリブデン、炭化ハフニウムおよび炭化チタンからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の炭化物を0.1〜5重量%添加されてなる複合物焼結体を用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より高い電流密度を得ることを可能とすることにより、プロセスの高速化を図ることが可能なイオンガン及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオンガン1は、スリット状の開口部11が形成された陰極2と、開口部11の幅方向に磁場を発生させる磁石3と、この磁場に対して略垂直方向に電界を生じさせるように陰極2の裏面から離間して配置された陽極4と、を備え、陰極2の表面の開口部11からイオンビームBが引き出されるもので、陽極4を構成する材料が強磁性材、または非磁性のステンレス鋼を熱処理により弱磁性材化した弱磁性材である。 (もっと読む)


【課題】プレス金型のコーティング皮膜の耐焼付き性,耐摩耗性を向上し、かつその摩耗を目視で簡便に判定する技術を提供する。
【解決手段】プレス金型の表面に第1コーティング皮膜を形成し、第1コーティング皮膜の上面にその第1コーティング皮膜と異なる色調を有する第2コーティング皮膜を形成し、第2コーティング皮膜が摩耗して第1コーティング皮膜が露出するまでプレス金型を使用する。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための密着性に優れた銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ag、Ca、MgおよびZnの内の1種または2種以上を合計で0.01〜1原子%を含有し、さらに酸素:0.1〜2原子%を含有し、さらに必要に応じて希土類元素の内の1種または2種以上を合計で0.01〜1原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成並びに残留応力:−200〜100MPaを有する銅合金薄膜からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱的に安定なシリサイド(NiSi)膜の形成が可能であり、膜の凝集や過剰なシリサイド化が起り難く、またスパッタ膜の形成に際してパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティも良好であり、さらにターゲットへの塑性加工性に富む、特にゲート電極材料(薄膜)の製造に有用なニッケル合金スパッタリングターゲット及び該ターゲットにより形成されたニッケルシリサイド膜を提供する。
【解決手段】白金を22〜46wt%、イリジウム、パラジウム、ルテニウムから選択した1成分以上を5〜50wtppm含有し、残部がニッケル及び不可避的不純物からなることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 (もっと読む)


【課題】多層膜を一括で形成可能な蒸着方法を提供する。
【解決手段】2次元的に配列された蒸着源110が層構成の数に対応して蒸着材料毎に3つのグループ111、112、113に分かれており、各グループの蒸着源は発熱体120(121、122、123)によって、それぞれ独立して加熱・制御可能である。各蒸着源110は、充填された材料の95%以上を、各層の成膜においてグループ毎に順次蒸発させる。蒸着源の交換を行うことなく複数の有機材料層からなる多層膜を一括で形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットと処理基板とを立てた状態で対向させて、搬送しながらスパッタ処理を行う縦型のインラインスパッタ装置に用いられる基板ホルダー部で、G6世代以上の大サイズの処理基板を、処理する場合において、接触して処理基板を支持する基板ホルダー部による、処理基板のキズや割れ等の損傷が発生しない、更には、目視できないレベルの汚れ、キズが処理基板のピンと接触する表面に付着しない、基板ホルダー部を、提供する。
【解決手段】 処理基板の下側面部と面接触して、該処理基板を支持する基板受け部を備えている。更に、該基板受け部は、衝撃吸収性の高い材質からなる。 (もっと読む)


【課題】対象物を静電吸着ステージから脱離させる際に対象物の跳びはね、破損、剥離帯電、位置ずれ等の問題を発生させないようにする。
【解決手段】誘電体ブロック12内の一対の吸着電極131,132に吸着電源141,142によって互いに極性の異なる直流電圧を印加して静電吸着面10に静電気を誘起して板状の対象物9を静電吸着する。対象物9を脱離機構15で静電吸着面10から脱離させる際には、静電吸着力とは逆向きの機械的な圧力であって残留吸着力より小さい予圧を対象物9に与え、吸着電源141,142をオフにした後、静電吸着の際とは逆極性の電圧を一対の吸着電極131,132に印加して誘電体ブロック12に逆電界を設定する。逆電界設定によって誘電体ブロック2内の残留電荷が急速に緩和され、残留電荷がゼロになる直前で予圧によって対象物9は静電吸着面10から離間し、対象物9に作用する残留吸着力はゼロになる。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるIII族窒化物半導体結晶の製造方法及びIII族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板11上に、少なくともIII族窒化物化合物からなる中間層12を積層し、該中間層12上に、III族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板11の温度を25℃〜1000℃の範囲とするとともに、処理時間を30秒〜3600秒の範囲として、基板11に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板11上に中間層12をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、蒸着膜厚を長時間にわたって高精度に制御することができる仕組みを提供する。
【解決手段】本発明の有機EL素子の製造装置は、有機EL素子の素子基板に有機材料からなる蒸着材料を蒸着させるとともに、素子基板に蒸着される蒸着材料の膜厚を監視する膜厚監視部23を備える。膜厚監視部23は、光透過性を有する測定用板26と、この膜厚監視部23の一部に蒸着材料を付着させるための蒸着窓30を有する防着板27と、測定用板26を回転移動可能に支持する駆動機構28と、蒸着窓30を通して測定用板26に付着した蒸着膜厚を光学的に測定する反射率測定器29とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に異物があった場合でも陰極と陽極とのショートを防止可能な成膜装置および有機EL装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜装置100は、蒸着装置110と蒸着装置120とを備えた成膜装置であって、蒸着装置110と蒸着装置120とのそれぞれは、蒸着槽20,60と、蒸着槽20,60内に配置され基板32を保持する保持部30,70と、蒸着槽20,60内に保持部30,70に対向して配置され膜材料を蒸発させる蒸着源40,42,90と、を備え、蒸着装置110における保持部30の基板保持面30aと蒸着源40,42との距離は、蒸着装置120における保持部70の基板保持面70aと蒸着源90との距離よりも短いことを特徴とする。 (もっと読む)


これまで得られていたものよりも1または2桁低い圧力で高速の堆積を可能にする新規のスパッタ源が開示される。これにより、基板のイオンおよび電子損傷が低減されたより高密度の膜がもたらされる。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生を低減した、透明導電性膜を形成するためのスパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】スパッタリング装置300は、基板を保持する基板保持部301と、基板保持部301とオフアクシスな位置に配置された対向するマグネティックカソード302Aおよび302Bと、マグネティックカソード302Aおよび302Bを収容するカソードボックス303と、マグネティックカソード302Aおよび302Bの周囲に配置された防着板311および312とを備える。マグネティックカソード302Aおよび302B上には、透明導電材料のターゲットがボンディングされる。基板保持部301とマグネティックカソード302Aおよび302Bとの間にチムニー304が設けられている。本発明に係る防着板311および312は、ターゲットの透明導電材料と同程度の熱膨張係数を有する材料によりコーティングされている。 (もっと読む)


【課題】有機材料を変質させることなく、少量ずつ蒸発させられる技術を提供する。
【解決手段】タンク室60内部に配置された粉体の有機材料63を蒸発室20aの内部に移動させ、蒸発室20aの内部で有機材料蒸気を発生させる際に、有機材料63が通過する接続管40内に加熱したシールドガスを導入し、有機材料をシールドガスと共に蒸発室20a内に移動させる。接続管40と蒸発室20aの間の接続部分を小孔42に形成しておき、小孔42からシールドガスを噴出させると蒸発室20a内で発生した有機材料蒸気が接続管40の内部に侵入することがない。 (もっと読む)


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