【課題】簡便な手法で製造可能であり、かつ、短波長領域の光も透過することが可能な透明電極およびその製造方法を提供する。また、作製された透明電極の光透過率が酸化によって低下することがない透明電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法により複数種の金属を気化させて基板表面へ蒸着して、上記基板表面に透明電極として上記複数種の金属を含む合金薄膜を形成し、上記複数種の金属には少なくともアルミニウムおよび銀が主成分として含まれるようにしたものであり、上記合金薄膜全体に対する上記アルミニウムの割合が、組成比において上記合金薄膜全体の２割乃至８割であるようにした。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。
【解決手段】 一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、
該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット−基板に挟まれる空間であって基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。
また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法による成膜時において、ノジュールの発生を抑制することができる成膜方法及びスパッタ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ターゲット２２の表面２２ａ側であって、リング状磁石３３ａ，３３ｂと中心磁石３４ａ，３４ｂとの間には、磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場のうち垂直成分が０となる磁場ｐがリング状に形成され、各磁気回路３２ａ，３２ｂから発生するリング状の磁場ｐの短手方向における径をＡ、隣接する磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場ｐ間のＸ方向における距離をＢ、磁場ｐにより生成されるプラズマのエロージョンエリアをγとすると、磁場印加手段２６の片道移動距離Ｌを、Ｌ＝Ａ＋Ｂ±γ／２に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】燐光体又はシンチレータ原材料の支持体への成膜における高歩留まりの蒸着方法を提供する。
【解決手段】るつぼユニットは底部及び周囲側壁を持ち原材料容器としてのるつぼと、穿孔を有する内部蓋５と、煙突と、及び溶融され液化された燐光体原材料が減圧下で蒸発された形でるつぼユニットから逃避して支持体上に燐光体層として蒸着するスリットをさらに含み、煙突２の一つの加熱手段がスリット及びスロット出口３′を有する遮熱材３の下に位置され、遮熱材３はるつぼユニットをカバーし、かつ煙突２の一部を作る。燐光体原材料の蒸気雲がスロット出口３′と支持体の間を通りかつ支持体と平行にとったどのような断面から燐光体プレート又はパネル上に投影されても、蒸気雲の最長半径のそれに垂直な半径に対する比率が少なくとも１．３である。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、凹凸面を有する構造部材の製造を容易にするとともにその表面が摩耗した場合でも凹凸面を維持することのできる構造部材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の構造部材製造方法は、基材の表面にその断面形状が略三角形の溝を連続して多数個形成し、その上に材質の異なる一定厚さの膜を交互に積層して多層膜を形成し、多層膜の表面を研磨することにより凹凸表面を形成することを特徴としている。また、本発明の構造部材は、基材の表面に形成されたその断面形状が略三角形の連続する溝の上に異種材料の膜が交互に積層されてなる多層膜を設け、該多層膜の表面を研磨することにより得られた凹凸表面を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】摺動摩擦によるキズがつきにくく、かつ平坦な透過率分光特性が再現性良く得られ、しかも量産性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】基板１と、金属膜と誘電体膜が交互に積層された、透過光量を減衰させる光学多層膜層１０と、該光学多層膜層の上に形成された保護膜層２０とからなる吸収型多層膜ＮＤフィルターにおいて、光学多層膜層の金属膜が、ニッケルを主成分とし、好ましくは、チタン、アルミニウム、バナジウム、タングステン、タンタル、シリコンから選択された１種類以上の元素を添加したニッケル系合金材料からなる金属膜であり、光学多層膜層の誘電体膜が酸化シリコン若しくは酸化アルミニウムからなる誘電体膜であるとともに、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスズターゲットは、酸化サマリウムおよび酸化イッテルビウムからなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含み、酸化物の含量がターゲットの重量対比０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】所望とする量のＧａやＡｌが、均一にドープされた状態にＺｎＯ膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源１０２とターゲット１０３とからなるＥＣＲスパッタ源と、ＲＦマグネトロンプラズマ発生部１０４とターゲット１０５とからなるＲＦマグネトロンスパッタ源とを備え、ターゲット１０５の表面（スパッタされる面）の法線と基板Ｗの表面の法線とのなす角度が、６０°以上９０°未満にされている。ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向を基板Ｗの法線方向としており、ターゲット１０５の表面の法線と、ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが６０°以上９０°未満にされている。 （もっと読む）

【課題】新規なマイクロセラミックスコイル及びその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサイズの主としてセラミックスからなるコイル。例えば、コイルの幅は０．１μｍ〜１００μｍ、厚さは１ｎｍ〜１０μｍである。このコイルは、パターニングされたレジスト上に主としてセラミックスからなる薄膜を形成し、前記レジストを剥離液で溶解させて作製できる。 （もっと読む）

金属酸化物膜を、前記膜のための支持体の表面上に堆積させるための方法であって、堆積チャンバーを準備する工程と、電子およびプラズマからなるパルスビームを前記堆積チャンバー中に与える工程と、支持体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記支持体は堆積表面を有する工程と、金属酸化物を含んだ材料で作られたターゲット体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記ターゲット体はターゲット表面を有する工程と、前記電子およびプラズマからなるパルスビームを前記ターゲット表面に衝突させることによって前記ターゲット表面からアブレーションされた金属酸化物のプルームを形成する工程と、前記プルームを前記堆積表面に接触させることによって前記堆積表面上に金属酸化物膜を堆積させる工程とを含む方法。
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【課題】基板と良好に密着して成膜パターン精度の良い成膜を可能とした極めて実用性に秀れた成膜用マスク及びマスク密着方法の提供。
【解決手段】成膜材料の通過を許容する開口パターンを有するマスク本体１と、このマスク本体１を保持する保持フレーム２とから成り、前記開口パターンを介して前記成膜材料が付着せしめられる基板６が積層される成膜用マスクであって、前記保持フレーム２は、前記マスク本体１の４辺のうち対向する一対の辺部３に沿って夫々配設されこの一対の辺部３を夫々保持する一対の保持部４を備え、この一対の保持部４によってのみ前記マスク本体１を保持するように構成し、前記一対の保持部４によって保持される前記一対の辺部３間で前記マスク本体１が自重によって撓み且つこの一対の辺部３の対向方向で前記撓み量が変化するようにこの一対の辺部３を前記一対の保持部４に固定する。 （もっと読む）

【課題】最終層である光学多層膜フィルタの表面にＩＴＯ等の透明電極材料を用いずに光学ローパスフィルタからの静電気を除去する。
【解決手段】水晶基板２０に透明薄膜である高い屈折率の二酸化チタン３２を１層目に蒸着し、２層目に低い屈折率の二酸化ケイ素３３を蒸着し、交互に積層して複層にし、最終層のｎ層に低い屈折率のフッ化マグネシウム３１を積層し、（ｎ−１）層には低い屈折率の二酸化ケイ素３３を積層する。ｎ層と（ｎ−１）層は光学多層膜フィルタ３０のなかで唯一、低い屈折率の物質同士を重ね、２種類の物質で所定の薄厚を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ耐性に優れたブリュースター窓を提供する。
【解決手段】レーザ光が直線偏光で発振するようにレーザ共振器の内部に配されるブリュースター窓であって、アルカリ土類金属フッ化物単結晶から成り、表面が平坦化された基板１と、その基板の少なくとも一方の面に形成された多結晶又はアモルファス構造であるフッ化物膜２ａ，２ａ’と、を備える。フッ化物膜２ａ，２ａ’は、フッ化ガドリニウム、フッ化マグネシウム、フッ化ランタン、フッ化アルミニウム及びクリオライトの何れかでなる。フッ化物膜２ｂ，２ｂ’のようにフッ化物膜を多層膜としても良い。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高める為、放電ガス中のＸｅ濃度を１０％以上に高めたＰＤＰの放電電圧を低減し、且つ、取り扱いが容易な保護膜用蒸着材、及び、保護膜を提供する。
【解決手段】Ｍｇに対して希土類元素を０．３〜０．６５ｍｏｌ％含有し、ＭｇＯ純度が９９ｍｏｌ％以上である事を特徴とする、放電ガス中のＸｅ濃度が１０％以上のプラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材。希土類元素を０．７〜１．６ｍｏｌ％含有するＭｇＯからなる事を特徴とする、放電ガス中のＸｅ濃度が１０％以上のプラズマディスプレイパネル用保護膜。希土類元素としてはＣｅが好適である。 （もっと読む）

【課題】形状記憶合金のエッチング特性を飛躍的に向上させることができる形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜を提供する。
【解決手段】構成元素及びガス成分を除いた不純物成分が1000wtppm以下である高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。Ni-Ti系の形状記憶合金及び同ターゲットにおいて、AlおよびSnの含有量がそれぞれ100wtppm以下、Cu-Al系の形状記憶合金および同ターゲットにおいて、Ag、S及びClの含有量がそれぞれ50wtppm以下、Fe-Mn系の形状記憶合金および同ターゲットにおいてAlおよびCrの含有量がそれぞれ100wtppm以下、である同高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置の坩堝の割れを防止する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、減圧雰囲気で蒸着を行うための蒸着装置であって、蒸着材料を収容する絶縁性の坩堝１０と、坩堝１０に収容された蒸着材料を蒸発させる高周波誘電加熱手段２０と、坩堝１０と高周波誘電加熱手段２０との相対位置を変化させる位置制御手段３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡便に膜の高透過性と低比抵抗性を両立させることができる透明導電性薄膜の製造方法を提供し、さらに該製造方法により製造されてなる透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により透明導電性薄膜を基板１１上に成膜する透明導電性薄膜の製造方法において、Ａｌ_２Ｏ_３がドープされたＺｎＯまたはＧａ_２Ｏ_３がドープされたＺｎＯからなるターゲット３を用い、Ａｒガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく、基板１１とターゲット３との間にパルスＤＣ電源５より高周波のパルス状の直流電圧を印加してスパッタ成膜する。 （もっと読む）