【課題】ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を製造する方法、ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を用いてカルコゲニド薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にチャネル層を構成するｎ型カルコゲニド層を形成するステップと；ｎ型カルコゲニド層の上部に拡散防止層を形成し、拡散防止層をパターニングするステップ；およびｎ型カルコゲニド層にＴｅ合金を蒸着し拡散させ、ソースおよびドレイン領域を構成するｐ型カルコゲニド層を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を備えたターゲット２２と、ターゲット２２の表面２２ａと基板Ｗの表面Ｗ１とを略平行に配置しつつ、基板Ｗをターゲット２２に対して相対移動させる搬送手段と、を有し、基板Ｗの表面Ｗ１の長辺方向の長さより、ターゲット２２の表面２２ａの短手方向における長さが短く形成されたスパッタ装置において、ターゲット２２と基板Ｗとの間において、ターゲット２２の短手方向に磁場を印加する永久磁石２６を有し、基板Ｗをターゲット２２の短手方向に沿って搬送させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ耐性に優れたブリュースター窓を提供する。
【解決手段】レーザ光が直線偏光で発振するようにレーザ共振器の内部に配されるブリュースター窓であって、アルカリ土類金属フッ化物単結晶から成り、表面が平坦化された基板１と、その基板の少なくとも一方の面に形成された多結晶又はアモルファス構造であるフッ化物膜２ａ，２ａ’と、を備える。フッ化物膜２ａ，２ａ’は、フッ化ガドリニウム、フッ化マグネシウム、フッ化ランタン、フッ化アルミニウム及びクリオライトの何れかでなる。フッ化物膜２ｂ，２ｂ’のようにフッ化物膜を多層膜としても良い。 （もっと読む）

【課題】焼結密度が高く、高電圧下でも異常放電を生じ難く、広い範囲に蒸着膜を形成するスパッタリングターゲット材に適するＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法などを提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、希土類酸化物を含有する焼結体ペレットからなり、焼結体の相対密度が９７.５％以上であることを特徴とし、好ましくは、希土類酸化物の含有量が０.０５〜１０質量％であり、一次粒子の平均粒径が０.１〜５.０μmのＺｎＯ粉末と、一次粒子の平均粒径が該ＺｎＯ粉末の平均粒径の１/５〜１/２である希土類酸化物粉末とを、希土類酸化物の含有量が上記範囲になるように混合し、バインダーを加え、加圧成形し、脱型後、１０００℃以上で焼成してなるＺｎＯスパッタリングターゲットとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】アシスト法を用いて成膜される高屈折率層のプラズマによる低屈折率層へのエッチングを阻止して、光学特性の劣化を防止した光学薄膜の形成方法、およびその光学薄膜を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】光学基材上に、ＭｇＦ₂より成る低屈折率層とＮｂ₂Ｏ₅より成る高屈折率層との間に、真空蒸着法を用いて形成された酸化物質のＡｌ₂Ｏ₃層を有するＮｂ₂Ｏ₅／ＭｇＦ₂／Ａｌ₂Ｏ₃構造の誘電体多層膜は、Ａｌ₂Ｏ₃層がイオンアシスト法を用いて成膜されるＮｂ₂Ｏ₅層のプラズマによるＭｇＦ₂層へのエッチングを阻止するバリヤ層として機能する。そして、この誘電体多層膜が形成された光学素子は、例えば、光ピックアップの波長４０５ｎｍの青色半導体レーザに対応した偏光ビームスプリッタとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】高い耐環境変動性と高い光線透過率とを同時に達成可能な透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、透明基板（１）上において１層以上の透明導電層（２）と、その上の複数層の水素含有カーボン層（３、４）とを含み、透明導電層の少なくとも１層は酸化亜鉛を含み、水素含有カーボン層の少なくとも２層はその構造と組成との少なくともいずれかにおいて互いに異なっており、１層以上の透明導電層が堆積された透明基板の光線透過率をＴ₀としかつ複数層の水素含有カーボン層まで堆積された透明基板の光線透過率をＴ₁とした場合に波長５５０ｎｍの光に関してＴ₁／Ｔ₀≧１．０２の関係が成り立つことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】蒸着法により形成された蛍光体層と支持体との接着性の向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】支持体上に膜厚５０μｍ以上の蛍光体層を蒸着法により形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、該蛍光体層が母体と賦活剤を蒸着することにより形成され、排気装置、調圧ガス導入装置及び調圧ガス流量調節装置を有する蒸着装置内の真空度が１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａで、かつ調圧ガスの流量が０．００１〜１０００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０^−６ｍ^３／ｍｉｎ））であり、かつ蛍光体層に含まれる蛍光体が柱状結晶を含有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性で摩擦の少ない多層構造体を提供することである。
【解決手段】硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物、金属ケイ化窒化物、金属炭化物含有炭素、金属ケイ化物含有シリコン、または前記物質の少なくとも２つからなる含有物であり、前記金属は、タングステン、クロム、チタン、ニオブおよびモリブデンの群から選択され、前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素、非結晶水素無含有炭素、シリコン含有炭素、または金属含有炭素からなる、ことを特徴とする多層構造体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】焼結密度が高く、高電圧下でも異常放電を生じ難く、広い範囲に蒸着膜を形成する蒸着材材に適するＺｎＯ蒸着材とその製造方法などを提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、希土類酸化物を含有する焼結体ペレットからなり、焼結体の相対密度が９７.５％以上であることを特徴とし、好ましくは、希土類酸化物の含有量が０.０５〜１０質量％であり、一次粒子の平均粒径が０.１〜５.０μmのＺｎＯ粉末と、一次粒子の平均粒径が該ＺｎＯ粉末の平均粒径の１/５〜１/２である希土類酸化物粉末とを、希土類酸化物の含有量が上記範囲になるように混合し、バインダーを加え、加圧成形し、脱型後、１０００℃以上で焼成してなるＺｎＯ蒸着材とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜処理工程において、成膜領域を限定することなくウエハとクランプリングの癒着を防止し、チッピングを防止した上でウエハを確実に固定することのできるクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハの主面上に膜を堆積する際に、前記ウエハを前記主面側から押さえつけて固定するウエハ用クランプリングであって、前記ウエハの固定時に、前記主面の外周部の全周に当接する当接部と、前記当接部の上部から前記ウエハの内側に延び、前記ウエハの固定時においても前記主面と接しないように設けられた、ひさし部と、を具備し、前記当接部は、第１当接部と第２当接部とからなり、前記当接部における内外方向の幅は、前記第１当接部の方が前記第２当接部よりも広い。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。
【解決手段】ＰＭ１は、処理容器１００と、有機材料を加熱して気化させる蒸着装置２００と、第１の蒸着源に連通し、第１の蒸着源にて気化された有機材料を不活性ガスにより運搬させる第１のガス供給路１５０と、処理容器外に設けられ、陰極を形成する第１の金属よりも仕事関数が小さい第２の金属を加熱して気化させるディスペンサＤｓと、ディスペンサに連通し、ディスペンサにて気化された第２の金属を不活性ガスにより運搬させる第２のガス供給路３２０と、各ガス供給路１５０、３２０に連通し、気化された第２の金属を気化された有機材料に混入させて処理容器内の被処理体に向けて吹き出させる吹き出し機構１２０ｆと、気化された有機材料に混入させる前記気化された第２の金属の割合を制御する制御器５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するＤＬＣ膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、ＤＬＣ膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２がその中心軸周りに回転するようにされて底壁に設けられ、かつウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して少なくとも２つの傾斜されたカソード１１ａ〜１１ｄが上壁に設けられる反応容器１０を備え、カソードの各々はｒｆ発生器から整合回路を介してｒｆ電流が供給され、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料に対するゲスト材料の割合が非常に小さい場合、ワークの表面に蒸着するゲスト材料の割合やゲスト材料の分布状態を精度良く保つことが困難である。
【解決手段】真空チャンバ１１と、この真空チャンバ１１内に配される第１および第２の蒸着源１６，１７と、これら第１および第２の蒸着源１６，１７から供給されるゲスト材料１４およびホスト材料１５が表面に蒸着される基板１３を真空チャンバ１１内にて固定状態で保持するワーク保持手段３３とを具えた本発明による真空蒸着装置１０は、第１の蒸着源１６とワーク保持手段３３に保持される基板１３との間に位置して基板１３の表面に対するゲスト材料１４の蒸着量をホスト材料１５の蒸着量よりも低減させるための遮蔽部材１８と、この遮蔽部材１８を第１の軸線Ｏ₂回りに回転させると共に第２の軸線Ｏ₁に関して運動させる遮蔽部材駆動機構１９と、この遮蔽部材駆動機構１９を介して遮蔽部材１８を駆動する単一の駆動モータ２５とをさらに具える。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体５１の製造方法においては、微小突起２１を形成し、その後加熱によって微小突起２１を構成する材料を気化させて微小突起２１を除去することにより穿孔４１を形成している。そのため、穿孔４１内の微小突起２１などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔４１が形成された位置、すなわち微小突起２１を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体５１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機層を用いることなく、耐熱性を向上させた反射防止膜を有するプラスチックレンズおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材の表面に直接または他の層を介して多層反射防止膜を有するプラスチックレンズ。前記多層反射防止膜は、金属元素が同一であり、かつ酸素含有量が異なる少なくとも２つの金属酸化物層を隣接して有する複合層を含む。上記のプラスチックレンズの製造方法。前記複合層を構成する各金属酸化物層は、同一の蒸発源を用い、かつ隣接する層同士は、反応性酸素ガス分圧が異なる条件下で蒸着することで形成されることを含む。 （もっと読む）