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Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】膜材料の蒸着レートをより精密に制御可能な蒸着装置、蒸着方法、および有機EL装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】蒸着装置100は、膜材料を蒸発させて基板表面32aに成膜する蒸着装置であって、蒸着槽20と、蒸着槽20内に配置され、基板32を保持する保持部30と、蒸着槽20内に保持部30の基板保持面30aに対向して配置され、膜材料を蒸発させる複数の蒸着源36,38と、複数の蒸着源36,38のうち少なくとも1つを、基板保持面30aに対して相対移動可能な移動手段36a,38aと、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】陽極と正孔輸送層との間のエネルギー障壁の差を小さくした有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜を提供すること。
【解決手段】酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金属原子比において、In/(In+Zn+Sn)=0.80〜1.00、Zn/(In+Zn+Sn)=0.05〜0.20、Sn/(In+Zn+Sn)=0.00〜0.20の割合で含有し、かつ全金属原子に対して0.5〜10原子%の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する組成物からなり、仕事関数が5.45〜5.55エレクトロンボルトである有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜。 (もっと読む)


【課題】底部及び側壁を有するボート又はるつぼの形の容器、及び前記容器に存在する蒸発された原材料から燐光体又はシンチレータ材料を層の形でその上に蒸着するための支持体を蒸着アセンブリとして含む蒸着装置を提供する。
【解決手段】前記容器は、一つ以上の穿孔を有する少なくとも二つのカバー又は蓋のアセンブリ7,8を内部に含み、カバー又は蓋の一つは前記支持体により近い第一蓋としての外部蓋8であり、他のカバー又は蓋は前記ボート又はるつぼの底部により近い第二蓋としての内部蓋7であり、前記外部蓋8に存在する穿孔は、前記ボート又はるつぼの底部により近い前記内部蓋7に存在する穿孔の全表面積より大きい全表面積を有し、前記蒸着装置において前記るつぼの底部又は前記原材料は前記支持体のいかなる場所からも前記穿孔を通して決して直接見ることができない。 (もっと読む)


【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層(第1の導電層)101と、第2の導電層107と、触媒層106と、導電体104とを備えている。第2の導電層107は、第1の導電層101とは間隔を開けて第1の導電層101と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層106は、第2の導電層107の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体104は、第1の導電層101に対して垂直に配置され、第1の導電層101に電気的に接続されているとともに触媒層106を介して第2の導電層107に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の際に、有機EL素子へのダメージ及びそれに起因する有機EL素子の素子特性の劣化を良好に抑制する有機EL表示装置の製造方法を提供する
【解決手段】有機EL表示装置10の製造方法は、成膜材料源22の表面のビーム照射位置Tにおける垂線TZについて、ビーム照射位置Tからビームの入射方向に延びる直線TBと線対称な直線をTB’とし、成膜材料源22に対向するように設けた基板11の成膜予定領域の中心をSとしたとき、直線TB’と直線TSとのなす劣角が20°以上となるように基板11を配置した状態で成膜材料源22へビーム照射を行う。 (もっと読む)


【課題】 ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する。
【解決手段】 真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが接続された第一第二の無終端状の搬送路1,2に沿って、基板を保持するための基板保持具51,52をそれぞれ周回させる第一第二の周回機構がそれぞれ設けられている。第一の基板保持具51から基板を取り外し、第三の搬送路3に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具52に移載する搬送系が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性(ユニフォーミティ)を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板状のターゲットにおいて、ターゲット材料の中心面から半分に切断し2枚のターゲットとし、またさらに切断前のターゲット材料の中心面に位置する結晶配向が(222)優先である結晶組織を備えるターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜113上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜116を形成するスパッタ成膜工程を備える。スパッタ成膜工程は、層間絶縁膜113の上に、基板にRFバイアスを印加して行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、窒化タンタルを主成分とするバリア膜116Aを形成する工程と、RFバイアスを印加せずに行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、バリア膜116Aの上に、タンタルを主成分とするバリア膜116Bを形成する工程とを備えてもよい。バリア膜116はRFバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜113側をRFバイアスを印加して、配線層117側をRFバイアスを印加せずに形成することもできる。 (もっと読む)


【課題】波長毎に凹面回折格子212の調節をする必要が無く、半導体ウエハWの異なる層を処理するときに生じる光を、各層の物理的及び/又は化学的特性を分析するのに必要な分解能で分光することができる。
【解決手段】導入スリット211と、凹面回折格子212と、光検出部と、を備え、前記光検出部の受光面213aが、前記凹面回折格子212により定まる仕様位置Pとは異なり、前記半導体ウエハWの2以上の異なる処理の際に生じる光それぞれに対して、当該各処理の物理的及び/又は化学的特性を得るのに必要な分解能を有する位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ce:0.2〜5原子%をドープし、さらに必要に応じてAlをAl:0.005〜0.5原子%でかつAlドープ量<Ceドープ量となるようにドープした酸化亜鉛からなる透明導電膜であって、この透明導電膜に不可避不純物として含まれる炭素が40ppm以下に限定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高スループット・大面積・低コストの微細パターンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基体1上に加工対象層2を形成し、前記加工対象層2上に透明誘電体からなるレジスト層を形成するとともに、前記レジスト層をナノインプリント法によってパターニングすることにより、前記レジスト層の上面に凹部53を有するパターン化レジスト層3を作るパターン化レジスト層形成工程と、少なくとも前記パターン化レジスト層3の上面3aに金属層からなるハードマスク層4を形成した後、前記凹部53の底部53aに残されたレジスト残渣55をエッチングして除去してから、前記パターン化レジスト層3をマスクにして前記加工対象層2をエッチングするエッチング工程と、を具備することを特徴とする微細パターンの製造方法を提供することによって、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ1は、金属基板である上板2及び底板3等から構成されてなり、底板3とその表面に設けられる薄膜ヒータ32との間に絶縁膜31として、希土類元素Rの結晶構造を有するR膜(Y膜)が形成されている。R膜は、底板3の表面にR膜を成膜した後、水素化してRH膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内で基板表面に複数の蒸着膜を形成する際に、膜層毎に異なる成膜パターンで膜形成することが可能な成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板を装着する基板装着体とマスク板装着体とを、互いの相対的位置が変更可能に構成し、この位置を変更するシフト手段を設ける。そしてこの基板装着体とマスク板装着体との位置移動によって特定の基板に対して第1のマスク開口を対向させて第1層を成膜し、第2のマスク開口を対向させて第2層を成膜する。上記シフト手段は例えば基板装着体を回転させながら小着被膜を形成する場合、その回転方向を正逆転させることによって特定の基板に対向するマスク開口が第1第2切換わるように構成する。そして第1のマスク開口では成膜パターンの上下又は左右端に膜厚さが漸減するグラデーション領域を形成し、第2のマスク開口ではパターン全体を均一な膜厚さに形成する。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホールにも確実にCuを埋め込むことができるCu配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板1上に形成されたトレンチ3を有するLow−k膜2にバリア層4を介してCu配線を形成するにあたり、バリア層4の上にCVDによりCuが濡れる金属材料で構成された被濡れ層5を形成し、被濡れ層5の上にPVDによりCu層6を形成し、Cu層6を形成した後、シリコン基板1を加熱してCu層6を流動させ、トレンチ3内にCuを流し込む。 (もっと読む)


【課題】省スペース化及び低コスト化を実現可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板処理室230,240,250と各基板処理室へ基板Wを搬送するための共通搬送室220とを有し、基板Wを起立姿勢で搬送しながら該基板Wに対して所定の処理を行う基板処理装置において、少なくとも一つの基板処理室230,240,250を共通搬送室220の上方又は下方に設け、該処理室と搬送室220の境界部に基板Wが通り抜け可能な基板通過口を設ける。 (もっと読む)


【課題】大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。
【解決手段】
基板13を垂直方向に対し傾けて立てた状態で透明導電膜14を成膜し、ターゲット11と棒状電極12を備えたチムニーが前記基板13と平行に配置されたスパッタ装置において、前記棒状電極12の上端が固定され、その下部が電極保持部21に穿設された棒状電極の径より大きめの貫通孔22を通り、前記電極保持部21と下端に固定されたバネ押さえ板23とで挟まれたコイル状の圧縮バネ30を設けたスパッタ装置1である。 (もっと読む)


【課題】新規な透明導電膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、マグネシウムと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素(A)と、酸素と、水素とを含む膜であり、この透明導電膜は、たとえばマグネシウムを含むターゲットと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素(A)を含むターゲットとを用いて、マグネシウムと該元素(A)とを含む膜を基板上に成膜し、該膜を、水を含む雰囲気に保持することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Cu系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するCu合金膜とそのCu合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる配線膜用Cu合金膜である。また、上記の配線膜用Cu合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 (もっと読む)


【課題】 有機溶剤を用いて保護膜を形成しても樹脂製基材が侵されることがない保護膜で保護された金属装飾膜を備えた樹脂製基材及び樹脂製基材への金属装飾膜の積層方法を提供する。
【解決手段】 保護膜で保護された金属装飾膜を樹脂製基材に積層する方法であって、前記樹脂製基材上に、蒸着重合法による高分子膜と、金属装飾膜とを積層した後、有機溶剤を用いて保護膜を積層することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上にCrPt3からなる記録層13’を形成する工程と、記録層13’の表面にマスクパターン層15’を形成する工程と、マスクパターン層15’から露出した記録層13’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 (もっと読む)


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