【課題】投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。
【解決手段】金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。当該ターゲット構造を有するスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

導電性金属マトリックス、好ましくは銅、と、タンタル、クロム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、白金、レニウム、ニオブ、ハフニウム、およびそれらの混合物から成る群から選択される耐熱ドーパント成分とから実質的に成る金属材料であって、好ましくは、当該耐熱ドーパント成分が、当該金属材料に対して約０．１〜６質量％の量である金属材料、そのような材料の合金、それを含有するスパッタリングターゲット、そのようなターゲットを製造する方法、薄膜形成におけるそれらの使用、並びにそのような薄膜を含有する電子部品。
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【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体物質を有するターゲット２に、第１のレーザ光源４からレーザ光６を照射して、ターゲット２の固体物質を飛散させる工程と、飛散された固体物質に第２のレーザ光源５からレーザ光７を照射する工程とを有し、飛散された飛散物質を基板３に付着させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。本発明の強誘電体製造方法は、ＳｒＴｉＯ_３（ＳＴＯ）基板上にＳｒＲｕＯ_３（ＳＲＯ）薄膜を蒸着する工程と、同蒸着されたＳＲＯ薄膜にＢｉＦｅＯ_３（ＢＦＯ）薄膜を蒸着する工程とを含み、各薄膜の蒸着はＳＴＯ基板を接地から絶縁した状態で蒸着する。本発明の強誘電体製造方法によると、大量生産が可能で蒸着率が顕著に向上するのみならず、強誘電体薄膜の表面が均一に形成されて漏洩電流が顕著に低減し、かつ残留分極が大きくなるという効果がある。 （もっと読む）

ここに記載される、導電性材料のトレンチの内面への磁気的に強化されたスパッタリングの方法は、磁場を導電性材料から少なくとも部分的に形成されたターゲットに隣接して設けるステップと、アノードとターゲットとの間にＤＣ電圧を複数のパルスとしてかけるステップと、を含んでいる。高周波信号は、半導体基板を支持するペデスタルに与えられて、半導体基板に隣接する自己バイアス場を生成する。高周波信号は、ＤＣ電圧パルスがかけられている時間に重複する時間、パルス状にペデスタルに与えられる。高周波信号が与えられる時間は、アノードとターゲットとの間にかけられるＤＣ電圧パルスの終了時を超えて延びている。それぞれのＤＣ電圧パルスの間に、導電性材料はスパッターされて半導体基板に形成されたトレンチの側壁に蒸着する。
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【課題】プラズマ処理を行う場合であっても、半導体ウェハ上へのパーティクルの付着を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスより成る第１のガスを反応室内に導入し、プラズマ生成用の高周波電力を印加することにより、第１のガスのプラズマを反応室内に生成し、第１のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内に搬入する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、分子中に水素と窒素とを含む第２のガスを反応室内に導入し、第２のガスのプラズマを半導体基板に照射する工程と、高周波電力の印加を中断することなく、不活性ガスより成る第３のガスを反応室内に導入し、第３のガスのプラズマが反応室内に存在している状態で、半導体基板を反応室内から搬出する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンの高解像度化に効果的なレジストの薄膜化が可能で、ドライエッチング時のローディング効果が低減され、レジスト寸法からのマスク寸法のシフト量の低減が図れ、マスク製造工程数の削減が図れるフォトマスクブランクスおよびそのブランクスを用いて製造したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に単層もしくは２層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層もしくは２層以上の薄膜のうち、少なくとも１層が遮光膜であり、該遮光膜が酸素非含有塩素系ガスでドライエッチング可能で、かつフッ素系ガスでは実質的にドライエッチングされない材料を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光学薄膜を成膜する際のパーティクルを抑えることが可能な光学薄膜の成膜装置及びその装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバの内周面に、その周面に基材を保持することが可能な回転ドラムを備え、前記回転ドラムの周方向に、防着板により区割された金属ターゲットをスパッタリングするための成膜領域と、スパッタリングされた金属薄膜を酸化するための酸化領域とを備え、前記各領域に基材を通過させ、前記基材上に光学薄膜を成膜するための装置であって、前記防着板に温度制御手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】るつぼや冷却水が不要となり、構造を簡素化するとともに、投入エネルギを低減し、更に成膜時におけるスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】チャンバ１４内で基板１１に対向して設けられた蒸着材１３から粒子１７を蒸発させて基板表面に堆積させることにより基板表面に保護膜を形成する。上記蒸着材をチャンバ内で固体のまま露出した状態で宙に浮かせる。具体的には、蒸着材が中心に孔を有する円板である。先ず複数個の蒸着材を一本のロッドにそれぞれ孔を嵌入させることによって一列に配置させる。次に複数個の蒸着材を配置させたロッドをチャンバ内に挿入して水平に保持する。更にこのロッド先端に配置された蒸着材の外周面にビーム１６を照射して蒸着材から粒子を蒸発させ、ロッド先端に配置された蒸着材が消費されると次に配置された蒸着材をロッド先端に移動させる。 （もっと読む）

【課題】必要量の有機材料を正確に加熱蒸発させる。
【解決手段】導入管３１の蒸発室２１内部に挿入された部分（導入部４４）の外周は、銅を主成分とする低抵抗材料で構成されている。回転軸３５の下端は導入部４４の内側に位置する。蒸発室２１内部に電磁場が形成されると、高温体２２は誘導加熱されるが、導入管３１と、回転軸３５は誘導加熱されない。従って、導入管３１の貫通孔３３内を移動する有機材料３９は溶融や蒸発せず、有機材料３９が詰らないから、高温体２２に所望量の有機材料３９を正確に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。
【解決手段】スパッタ装置Ｓｐは、銀Ａｇからなるターゲット材３０５と、処理容器外に設けられ、銀Ａｇよりも仕事関数が小さいセシウムＣｓを加熱して蒸発させるディスペンサＤｓと、ディスペンサＤｓに連通し、蒸発させたセシウムＣｓの蒸気を、アルゴンガスをキャリアガスとして処理容器内まで搬送させる第１のガス供給管３４５と、処理容器内に高周波電力を供給する高周波電源３６０とを有する。制御器５０は、高周波電力のエネルギーを用いてアルゴンガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマによりターゲット材３０５から叩き出された銀Ａｇ原子をメタル電極３０として成膜する際、ディスペンサＤｓの温度を制御することにより成膜中のメタル電極３０に混入させるセシウムＣｓの割合を制御する。 （もっと読む）

【課題】低熱伝導率、低溶融温度、高耐食性を有して、レーザーマーキングに対応可能な光情報記録用Al合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) 光情報記録媒体用Al合金反射膜であって、Alを主成分とし、希土類元素の少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有し、更にCr，Ta，Ti，Mo，Ｖ，Ｗ，Zr，Hf，Nb，Niの少なくとも１種を0.5 〜５.0原子％含有することを特徴とする光情報記録用Al合金反射膜、(2) 前記Al合金反射膜においてFe，Coの少なくとも１種を1.0 〜5.0 原子％含有するものや、In，Zn，Ge，Cu，Liの少なくとも１種を1.0 〜10.0原子％含有するもの、(3) 前記Al合金反射膜を有していることを特徴とする光情報記録媒体、(4) 前記Al合金反射膜と同様の組成を有するAl合金よりなるスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】蒸発材料の使用効率を向上させるとともに、蒸発材料の経時劣化を防止可能な有機材料蒸着技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸気放出装置は、複数の放出口１２が面内に配列されたシャワープレート型の放出部１１と、放出部１１内に設けられ有機蒸発材料蒸気５０を当該放出部１１内に供給する供給管１４とを有する。供給管１４は、パイプ状に形成された本体部１４ａを有し、当該本体部１４ａに設けられた噴出口１５から放出部１１の底部１１ａに対して有機蒸発材料蒸気５０を吹き付けるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換に伴う非稼動時間を短縮する。
【解決手段】スパッタリングターゲットと成膜のための基板とが配置される成膜室を有したスパッタリング装置において、退避位置から作用位置へ移動することにより成膜室を互いの間が気密な２つの空間に区画し、かつ作用位置から退避位置へ移動することにより成膜室の区画を解除する可動の仕切りを設け、作用位置を成膜室における基板の配置される領域とスパッタリングターゲットの配置される領域との間の位置とし、区画された２つの空間のうちの基板が配置される領域を含む一方の空間を真空に保った状態でのターゲット交換が可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】 放電初期状態のバッチ間差を保証して、所定の組成の膜を効率よく形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。ターゲット保持部には、金属ターゲットが基板と対向する側の反対側にマグネットが移動可能に設けられている。マグネットは基板と金属ターゲットとが対向する方向に移動手段により移動される。チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のＭＯＳＦＥＴにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 （もっと読む）

【課題】紫外線照射ランプを基板に近接した位置から照射でき、基板を効率的に、しかもむらなく洗浄することができるようになし、また紫外線照射ランプが蒸着源から基板までの経路と干渉しないようにする。
【解決手段】真空蒸着装置を構成するチャンバ１の内部に成膜される基板１０が所定数装架されたドーム４が設けられ、このドーム４の下方位置に蒸着源ユニット５が設置されている。紫外線照射ランプ２０とランプハウス２１とからなるランプユニット２２はドーム４に近接した紫外線照射位置と、ドーム４から離間した退避位置との間に往復変位可能になっており、紫外線照射ランプ２０はライン状のものであり、その長さ寸法は、ドーム４において、各基板１０が装架される基板装着孔７の配列幅寸法より長く、紫外線照射位置では、各基板１０に対して僅かな隙間を介して対面する。 （もっと読む）