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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】ZnSとSiOを含まないZnOベースのスパッタリングターゲットであり、スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、膜厚を薄く調整でき、またスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり80%以上、特に90%以上の高密度を備えたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】A、Bは其々異なる3価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ka、Kbとしたとき、A(KaX+KbY)/2(ZnO)、1<m、X≦m、0<Y≦0.9、X+Y=2を満たす酸化亜鉛を主成分とした化合物を含有し、かつ相対密度が80%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングプロセスに用いられてガラス基板上などに各種導電膜を形成する際に、その膜厚不均一などの製造不良を発生させるという問題を解消することを可能とした、複数のターゲット材ピースを接合してなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材ピース1a、1b同士の接合部の突合せ断面形状2を、互いに隙間なく嵌め合されるような凹凸を有する組み合わせ構造に形成しておき、その組み合わせ構造を隙間なく嵌め合わせた状態で、このスパッタリングターゲット材自体が用いられる際にスパッタリング面となる表面側(おもて面側)3には前記摩擦攪拌接合を施さず、表面側3とは反対の裏面側4から摩擦攪拌接合を施して、ターゲット材ピース1a、1b同士を接合する。 (もっと読む)


【課題】成膜材料の供給管内の圧力変動を抑制し、膜厚の制御を精度良く行う。
【解決手段】成膜材料Mを加熱して昇華又は蒸発させる成膜源21と、成膜材料を成膜する基板Wが設けられている成膜室11と、を有する成膜装置において、成膜室内に、成膜材料を放出する放出口22を設ける。成膜源21と放出口22とを連結する供給管23に、成膜材料の流通を遮断、開放又は可変調整する流量調整機構24を設け、成膜源21の成膜材料Mの表面から流量調整機構24までの材料流通空間Vの容積を調整する容積可変機構31を供給管23に接続する。流量調整機構24の開閉動作によって一時的に材料流通空間Vの圧力が増減したときに、容積可変機構31の内容積を調整することで、圧力変動を抑制する。 (もっと読む)


【課題】比較的大面積を有し微細な孔を含む薄い金属板が損傷してしまうことを防止することができる梱包用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】梱包用部材30は、孔15が形成されている複数の有孔領域13を含む金属板10を梱包するための部材である。梱包用部材は、金属板と対向して金属板の両側に配置されるようになる平板状の一対の平板部32と、一対の平板部の間に設けられ、金属板の板面に沿った外方に配置されるようになるフレーム部36と、金属板の有孔領域以外の領域と各平板部との間に配置されるようになる中間支持部34と、を備える。中間支持部は、金属板の梱包時に金属板の有孔領域以外の領域を押圧する。 (もっと読む)


本発明は、(i)単結晶の基板を提供するステップと、(ii)上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、(iii)(a)単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、(b)遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、(iv)そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 (もっと読む)


本発明は、セラミック製の層状複合材(1)であって、非酸化物セラミックから成るセラミック製の基板(3)を含んでいる形式のものに関する。セラミック製の層状複合材(1)はその表面上にセラミック製の層(7)を含んでおり、該セラミック製の層(7)は、大きな比表面積を有している。本発明は、さらにセラミック製の層状複合材(1)を製造するための方法に関する。
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【課題】シリコン基板上のMOSFETにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置であって、ウエハー22が配置されるウエハーホルダ11と、ウエハーホルダ11の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット12と、ウエハーホルダ11の下方に該ウエハーホルダ11を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部17と排気ポート16とを設ける。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ノジュールの発生に起因する薄膜の欠陥を減少できる、薄膜の製造方法および薄膜製造装置を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ターゲット下部に配置した磁石を揺動させながらスパッタリングを行う薄膜の製造方法において、磁石の揺動範囲を段階的に狭める揺動範囲変更を行うことにより、ノジュールの発生に起因する薄膜の欠陥を減少させることを特徴とする薄膜の製造方法、および、ターゲット下部に配置した磁石を揺動させながらスパッタリングを行う薄膜製造装置において、前記磁石の揺動範囲を変更できる変更手段を有することを特徴とする薄膜製造装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】スプラッシュ数やスカム率が低く、コンピュータのデータ等の情報を記録する媒体としても利用可能な高品質の蒸着テープを得ることができる蒸着用 素材を提供する。
【解決手段】コバルト系蒸着用素材に含まれる炭素、マグネシウム、珪素、マンガン、アルミニウム、およびチタンの濃度を、合計で42〜71ppmとなるようにする。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗が高く、且つ優れた耐久性を有する半透過鏡を提供する。
【解決手段】基板上に、金属反射膜、及び保護塗膜がこの順に積層された半透過鏡であって、前記金属反射膜がスズとアルミニウムとを含み、その金属反射膜中のアルミニウムの含有率が8〜40質量%である半透過鏡。 (もっと読む)


【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なCu系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でCuターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するCu系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でCuターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第1の成膜工程を経た後、前記Cuターゲットに印加する電力量を第1の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第2の成膜工程を行なうCu系配線膜の成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークの検出精度が高いマスクを容易に製造できるマスクの製造方法及びマスクを提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板で形成されたアライメント基板5の面方位によりエッチングレートが異なるエッチャントを用いたウェットエッチングにより、アライメント基板5の一面を粗面化する工程と、アライメント基板5に、被成膜基板との位置合わせに用いるマスクマークを形成してアライメントチップ3を製造する工程と、被成膜基板に形成される薄膜パターンの少なくとも一部の形状に対応する開口部が形成されたマスクチップを製造する工程と、アライメントチップ及びマスクチップを、支持基板上に固定する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。
【解決手段】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が90%以上であるものが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料を高い利用効率で成膜することができる蒸着マスクを提供する。
【解決手段】蒸着マスク20は、第1面34aおよび第1面とは反対側の第2面34bを有し、第1面と第2面との間を延びる貫通孔25が形成された金属製シート34を備える。金属製シートの第1面側に、線状に延びる溝26が形成されている。金属製シートの第2面側に、穴27が形成されている。溝と穴とは通じており、これにより、溝と穴とによって金属製シートを貫通する貫通孔が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ビアホールやトレンチの形状がばらついても、ビアホールやトレンチの側壁に所定の膜厚でバリア膜とシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の側壁に所定膜厚の導電膜を備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程を有する。ここで凹部とは、ビアホールとトレンチの総称である。そして、前記凹部が形成された絶縁膜上に、スパッタリング法により、前記凹部に成膜すべき導電膜の膜厚、前記凹部の深さ及び前記凹部を上面から見たときの当該凹部側壁の投影面積に基づいて算出された、前記凹部が形成された絶縁膜の上面に成膜すべき膜厚で、導電膜を形成する工程を有する。即ち、ビアホールやトレンチの投影面積に基づきこれらの形状のばらつきを勘案して、成膜を行うのである。 (もっと読む)


【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高PTF値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Zr、Hf、Nb、TaおよびBの1種または2種以上を含有し、残部CoおよびFe、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式1および式2を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(at.%比) … (1)
5at%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10at% … (2)
ただし、B:7%以下とする。 (もっと読む)


【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】(Vx 1-x )(Ba b 1-a-b )からなる硬質皮膜であって下記式(1A)〜(4A)を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Mは4a、5a、6a族の元素、Si、Alの1種以上であり、下記式において、xはVの原子比、1−xはMの原子比、aはBの原子比、bはCの原子比、1−a−bはNの原子比を示すものである。〕
0.4≦x≦0.95 ---- 式(1A)、 0≦a≦0.2 ---- 式(2A)、
0≦1−a−b≦0.35 ---- 式(3A)、 0.6≦b≦1 ---- 式(4A) (もっと読む)


【課題】良好な圧電特性を有し、簡易なプロセスにて製造可能とする圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子は、プラズマを用いる気相成長法により、基板上に電極を介して圧電膜が成膜されている。圧電膜は1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物(不可避不純物を含んでいてもよい)であって、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状結晶体17からなる柱状構造膜13からなる。柱状構造膜13の表面において観測される多数の柱状結晶体17の端面17sが、端面17sの最小の外接円の径rが100nm以下から500nm以上に亘って分布する大きさを有しており、かつ外接円の径rが100nm以下のものを20%以上、500nm以上のものを5%以上含むものであり、柱状構造膜13の表面粗さRaが10nm以下である。 (もっと読む)


【課題】高融点メタルをバリア層として形成することなく、Si膜またはSiを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するAl合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Si膜8と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともAl、Ni、及びNを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極9またはドレイン電極10と、を有する。アルミニウム合金膜は、高融点メタルをバリア層として形成することなく、シリコンを主成分とする膜と直接接続して、良好なコンタクト特性を有する。 (もっと読む)


【課題】設計目標通りの位置精度および寸法精度で薄膜に開口パターンが設けられた蒸着マスクを得ることが可能な蒸着マスクの作製方法を提供する
【解決手段】設計値に基づいて薄膜10に開口パターン10aが設けられたマスク薄膜1を形成する。開口パターン10aの寸法および位置を検知する。検知した値と設計値とのずれ量だけ、レーザ光hr照射によって開口パターン10a周縁の薄膜10部分を除去する。 (もっと読む)


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