【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_x Ｍ_1-x ）（Ｂ_a Ｃ_b Ｎ_1-a-b ）からなる硬質皮膜であって下記式(1A)〜(4A)を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５ ---- 式(1A)、 ０≦ａ≦０．２ ---- 式(2A)、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５ ---- 式(3A)、 ０．６≦ｂ≦１ ---- 式(4A) （もっと読む）

【課題】良好な圧電特性を有し、簡易なプロセスにて製造可能とする圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子は、プラズマを用いる気相成長法により、基板上に電極を介して圧電膜が成膜されている。圧電膜は１種又は複数種のペロブスカイト型酸化物（不可避不純物を含んでいてもよい）であって、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状結晶体１７からなる柱状構造膜１３からなる。柱状構造膜１３の表面において観測される多数の柱状結晶体１７の端面１７ｓが、端面１７ｓの最小の外接円の径ｒが１００ｎｍ以下から５００ｎｍ以上に亘って分布する大きさを有しており、かつ外接円の径ｒが１００ｎｍ以下のものを２０％以上、５００ｎｍ以上のものを５％以上含むものであり、柱状構造膜１３の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。
【解決手段】内部を真空に排気する排気系２２、内部にガスを導入するガス導入系２１を有する処理室１と、処理室１の内部に配置され基板４が載置される載置手段と、処理室１の内部に配置された対向電極２及び基板載置電極３と、対向電極２及び基板載置電極３に電圧を印加してガスをプラズマ化する基板載置電極用電源１３及び静電チャック電極用電源１５と、媒体供給手段から供給されて循環される冷却水の流路を内部に有し、電極の近傍に配置されて電極の温度を調整するための水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８とを備える。そして、水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８は、誘電体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＳとＳｉＯ_２を含まないＺｎＯベースのスパッタリングターゲットであり、スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、膜厚を薄く調整でき、またスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり８０％以上、特に９０％以上の高密度を備えたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）/2}(ＺｎＯ)_ｍ、１＜ｍ、Ｘ≦ｍ、０＜Ｙ≦０．９、Ｘ＋Ｙ＝２を満たす酸化亜鉛を主成分とした化合物を含有し、かつ相対密度が８０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 基材上にアルミナ層の皮膜を短時間で容易に形成できるアルミナ層形成方法と、該方法で製造した基材の皮膜を提供する。
【解決手段】 本発明のアルミナ層形成方法では、基材（２２）上にアルミニウム層（２４ａ）を堆積し、大気中で基材を移動させながら、アルミニウム層をレーザビーム（２７）で照射して、アルミニウム層をアルミナ層の皮膜とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】高屈折率を有する光吸収率の小さい光学薄膜用材料であり、大電流の電子ビームの照射を行っても材料の割れやビーム照射面の陥没などの起こらない真空蒸着用材料として用いることのできる金属酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】金属成分としてジルコニウムとチタニウムとニオブを含み、化学量論的にＺｒ_ｗＴｉ_ｘＮｂ_ｙＯ_ｚの組成で表され、かつ酸素欠損を有する複合酸化物であり、該ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、３．８≦ｗ≦７．９、０．１６≦ｘ≦５．６、０．０１≦ｙ≦１．８３、１３．６≦ｚ＜２０．１５の範囲にあり、および、該酸素欠損の量は、完全酸化に対して０．０８９ｍｏｌ％以上１７．０８４ｍｏｌ％以下の範囲にあることを特徴とする光学薄膜の形成材料。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が高く、かつ耐久性の高い圧電素子を提供すること。
【解決手段】印加される電圧の変化により伸縮する圧電体膜と、圧電体膜の一方の面に配置された第１の電極と、圧電体膜の第１の電極が配置された面とは反対側の面に配置された第２の電極とを有し、圧電体膜は、気相成長法によって第２の電極上に形成されたＰｂ_ｘＢ_ｙＯ_ｚを主成分とし、前記第２の電極との接触面から、前記第１の電極の方向に１００ｎｍ離れた部分のｘ／ｙを０．８以上１．６以下であり、Ｂが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｓｃ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，Ｎｉ及びランタニド元素の少なくとも１つで構成されており、かつ、０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、２．５＜ｚ≦３とすることで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】あらかじめ決められた化合物、たとえば蛍光体の薄膜を基板上に成膜する方法。
【解決手段】その化合物は、３元、４元またはより高次の化合物、特に周期表のグループIIAおよびIIBの少なくとも１つの元素のチオアルミン酸塩、チオ没食子酸塩およびチオインデートからなるグループから選ばれた化合物である。実施例において、この方法は、少なくとも１つの硫化物のペレットを第１のソースの上に置き、少なくとも１つの硫化物のペレットを第２のソースの上に置き、１つのペレットに不純物が含まれているものである。基板への蒸着は各々別の電子ビームを使って実施する。硫化物の蒸発率は各々別に遮断された膜率モニタで監視する。基板上に化合物を生成するためにソースの温度を制御する。この方法は、とくにエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、ほぼ不透明の基板上に３元または４元の蛍光体を成膜するために使用される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、蒸着装置内部に基板を支持する基板補助支持部を具備して基板の垂れ現象を防止する蒸着装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持手段を具備する蒸着装置において、前記基板支持手段は、チャンバ内部で、前記チャンバ内部に搬入される基板の搬入方向と一致する基板の側辺を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持されない基板の他の側辺を支持する基板補助支持部と、を含んでいる蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタ方法およびスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アーク放電を迅速且つ確実に停止し、電力再投入時の過大電力の印加も防ぎ、地絡事故に対して迅速に対処できる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、インダクタにより平滑した順方向の直流電力を負荷に対して出力する電源であって、出力電力の目標値を出力電圧の測定値で除算した値に基づいて電流の目標値を求め、前記インダクタを流れる電流の測定値と、前記電流の目標値と、に基づいて前記インダクタを流れる電流を制御することを特徴とする電源が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数本の配管を用いて蒸着材料の流量を制御し、高精度な膜厚制御を行う。
【解決手段】基板２に有機化合物膜等を成膜する蒸着方法において、蒸着材料６を充填した材料収容部７を加熱することによって、蒸着材料を蒸発又は昇華させ、材料収容部７に連結された複数本の配管８，９を通して、真空チャンバー１の成膜空間に放出する。蒸着材料の真空チャンバー１内への放出量を調整する流量調整機構１０は、コンダクタンスの異なる配管８，９のうちのコンダクタンスの小さい配管９に設けられ、成膜速度を微細に調整することができる。 （もっと読む）