【課題】所望の結晶性を有する酸化亜鉛薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、該結晶性薄膜のｃ軸が基板に略垂直方向に配向しており、かつ該結晶性薄膜のｃ軸方向の極性面の一つである亜鉛面が最上層に形成されているものである。また、基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、金属薄膜層上に薄膜形成技術によって形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時における異常放電の発生を防止した、プラズマ処理装置、スパッタ装置、及び液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ３ａ内に対向配置された電極９ａ，９ｂ間に高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置３である。チャンバ３ａの内壁面への処理生成物の付着を防止する防着板３０を備え、防着板３０には少なくともプラスの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と高誘電率ゲート絶縁膜の間に生じる反応を抑制でき、高集積化および高速化に適した素子構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、この絶縁ゲート電界効果トランジスタは、高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、第１の導電層およびこの第１の導電層より抵抗率の低い第２の導電層を含む積層構造をもつゲート電極を有し、第１の導電層は、前記高誘電率膜上に接して設けられ、密度５ｇ/ｃｍ³以上の窒化チタンからなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。
【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 （もっと読む）

本発明は、カルコゲンについて、特に100 nm〜10 mmの範囲内のカルコゲンの薄い層、またはこれらの材料の混合物を、平面基板上に適用するための非常に速くそして費用効率が高いコーティング方法およびまた、その方法を実施ために適した装置も提供することを意図する。これは、蒸着ヘッド(11)において流入側および流出側ガスカーテンを形成して輸送流路(6)を酸素の漏れないように密閉し、不活性ガスを輸送流路(6)の中に導入して大気酸素を置換し、基板(3)をプロセスチャンバー(1)の輸送流路(6)の中に導入し、源からのカルコゲン蒸気/搬送ガス混合物を、蒸着ヘッドの輸送流路(6)の中の基板(3)より上に導入しそしてPVDを用いて基板の上にセレン層を形成することによって達成される。
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【課題】 基板全面に亘って反応ガスを略均等に供給し、膜厚分布や比抵抗値などの膜質を基板全面で略均一にできる簡単な構成のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ室１１ａ内に所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット４１と、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅと、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段８とを備え、反応ガスを導入するガス導入手段は、少なくとも１本のガス供給管８４を有し、このガス供給管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、反応ガスを噴射する噴射口８４ａが形成されている。ターゲット相互間の各間隙を通って流れる前記反応ガス流量の調整を可能とする調節手段９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１ａ、１１ｂを有し、該カソード１１ａ、１１ｂに該カソード１１ａ、１１ｂの中央軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１ａ、１１ｂに印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１ａ、１１ｂの上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１ａ、１１ｂから放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速する。 （もっと読む）

組み合わせ処理チャンバが提供される。組み合わせ処理チャンバは、基板を支持するよう構成された回転可能な基板支持部の動径部分を隔離するよう構成される。一実施例では、チャンバは、複数の一群のプロセスヘッドを有している。一実施例では、基板支持部とプロセスヘッドとの間に配置されたベースプレートを有する挿入物が、蒸着処理のための閉じ込め領域を規定する。ベースプレートは、蒸着材料が基板にアクセスし得る穴部を有している。基板の回転及び穴部の移動を通して、基板の複数の領域が、１つの基板上に組み合わせ処理を実行するためにアクセス可能である。 （もっと読む）

【課題】大気中かつ無潤滑環境下でも耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属を含む基材１２上に、各層間の密着性を高めるためＣｒ中間層４１、および組成傾斜層４２を形成し、その上に２.７ａｔ％以上７.７ａｔ％以下のＭｏ元素、及び１.３ａｔ％以上４.６ａｔ％以下のＳ元素、及び７.０ａｔ％以上９.５ａｔ％以下のＯ元素を含む硬質炭素被膜４３を０．２μｍ以上０．３μｍ以下の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】導電性セラミックスの製造においては、品質の安定化のため、密度分布が均一な導電性セラミックスが求められており、特に電磁波加熱による導電性セラミックスの製造法では焼結体中央部の密度低下を抑制することが求められている。
【解決手段】
導電性セラミックス原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結する導電性セラミックス焼結体の製造法において、焼成時の最高温度が、通常焼成時の最高温度より１００℃から２００℃低いことを特徴とする、導電性セラミックス焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】 フッ素化層を基板上に付着するための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、フッ素化化合物とキャリヤーガスを含むガス状混合物の０．８〜１．２ｂａｒの圧力で大気低温プラズマの放電または後放電のための領域中に注入することを含む。本発明は、フッ素化化合物が１ｂａｒの圧力で２５℃を越える沸点を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディスク基板上に、所望の膜厚分布の薄膜を形成する。
【解決手段】回転するディスク基板１１とスパッタターゲット２５との間に、ディスク基板に形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいてその形状が形成された遮蔽部材５０Ａを配置した状態で、ディスク基板１１の記録領域１０ａに対するスパッタリングを行う。これにより、スパッタターゲット２５から射出される粒子の一部が、形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいて遮蔽され、ディスク基板１１上の記録領域１０ａに、所望の膜厚分布の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたＺｎＯ系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を含むＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が５×１０⁶個／ｃｍ²以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 （もっと読む）

【課題】極めて高精細なパターニングを行うことを可能とする蒸着マスクを含み、取り扱い中に蒸着マスクを破損してしまうことを抑制することができる蒸着マスク付シートを提供する。
【解決手段】蒸着マスク付シート６０は、樹脂製シート３２と、前記樹脂製シートと積層された金属製シート３４とを備えている。金属製シート３４には、複数の孔２５が形成されている。前記金属製シート３４は、前記樹脂製シート３２と分離された後に、蒸着マスク２０として用いられるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板上にアモルファスセレンを主成分とする材料を真空蒸着させてなる蒸着層を有してなる放射線画像検出器の製造方法において、蒸着層の蒸着中に突沸が発生した場合でもその影響を低減させる。
【解決手段】膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。 （もっと読む）

【課題】マスクと被成膜基板との位置合わせ精度を低下しにくいマスクを提供すること。
【解決手段】板状のマスク基板２に、被成膜基板に形成される薄膜パターンに対応する開口部３と、前記被成膜基板との位置合わせに用いるマスクアライメント部４とが形成され、マスクアライメント部４は、開口端面が前記被成膜基板の成膜面を向き、底面の粗さがマスク基板２の上面粗さと異なる凹部である。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの酸化物微粒子からなる膜あるいは層を高精度に形成することができる微粒子膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子膜の形成方法は、筒状のアノード電極２１と、アノード電極２１内に配置された蒸着材料２２Ａを有するカソード電極２２と、カソード電極２２から離間してアノード電極２１内に配置されたトリガ電極２３とを備えた同軸型真空アーク蒸着源１３を用い、真空槽１０内に、反応性ガス（酸素）を導入した雰囲気下で、蒸着材料２２Ａの微粒子を被着体１５の表面へ蒸着させる。真空アーク蒸着源１３で形成されたナノサイズの微粒子は、酸素と反応して酸化物を形成する。これを被着体１５へ蒸着させることにより、ナノサイズの酸化物微粒子膜を高精度に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非エロージョン部の発生を防止する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、磁界形成手段２０を横方向ｄａに往復移動しながら、縦方向ｄｂに往復移動し、ターゲット１５をスパッタリングしている。横方向ｄａの往復移動の速度は、基板７の移動速度の１／１０以下、かつ、１５０ｍｍ／分以上にされ、縦方向ｄｂの往復移動の速度は、基板７がターゲット１５の表面と対向しながら１００ｍｍ移動する間に、０．３往復以上する大きさにされており、このような移動速度では、非エロージョン部の発生が少なく、基板７に形成される薄膜の面内分布も向上する。 （もっと読む）