【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における（１／４）ｔ（ｔは厚み）〜（３／４）ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの発生を抑止し、膜厚が薄く、水素透過性が良好である水素透過膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法で基板上に第１のＰｄ層またはＰｄ合金層を形成する工程（Ｓ２）と、該第１のＰｄ層またはＰｄ合金層を洗浄する工程（Ｓ３）と、該洗浄した第１のＰｄ層またはＰｄ合金層の上に、スパッタリング法で第２のＰｄ層またはＰｄ合金層を積層する工程（Ｓ４）と、前記第１のＰｄ層またはＰｄ合金層と前記第２のＰｄ層またはＰｄ合金層とを有する一体構造膜を前記基板から剥離する工程（Ｓ６）と、前記一体構造膜を４００〜１２００℃の温度にて、真空中または不活性雰囲気中で熱処理する工程（Ｓ７）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極２と、ＫＮｂＯ_３薄膜３と、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１））で、膜厚が０.２μｍ〜１０μｍ、且つ比誘電率が５０以上２００以下の範囲にある圧電薄膜４と、上部電極５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させてプラズマジェット照射時の基板のダメージを防ぐと共に、金属等を溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成する。
【解決手段】 マイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料を、低融点基板上にドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備えていることを特徴とする微小なドットを備えた低融点基板。石英管の中に堆積させるための材料及びプラズマガスを導入すると共に、石英管の外周に誘導コイルを配置し、この誘導コイルに高周波を印加して材料を溶融、蒸発又は気化させ、１００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射させることを特徴とする基板上の微小な領域にドット又はラインを形成するマイクロプラズマによる堆積方法。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの酸化物微粒子からなる膜あるいは層を高精度に形成することができる微粒子膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子膜の形成方法は、筒状のアノード電極２１と、アノード電極２１内に配置された蒸着材料２２Ａを有するカソード電極２２と、カソード電極２２から離間してアノード電極２１内に配置されたトリガ電極２３とを備えた同軸型真空アーク蒸着源１３を用い、真空槽１０内に、反応性ガス（酸素）を導入した雰囲気下で、蒸着材料２２Ａの微粒子を被着体１５の表面へ蒸着させる。真空アーク蒸着源１３で形成されたナノサイズの微粒子は、酸素と反応して酸化物を形成する。これを被着体１５へ蒸着させることにより、ナノサイズの酸化物微粒子膜を高精度に形成することが可能となる。 （もっと読む）

金系の不均質触媒系を製造するための方法は、酸化雰囲気中で物理的気相堆積法によりナノ粒子状支持媒質上に微細ナノスケール金を堆積させることを含む。
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【課題】高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層、第２の強磁性層、該第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に位置するバリア層、及び前記第１の強磁性層の側に位置する基板を含み、前記バリア層は、前記第１の強磁性層との界面から前記第２の強磁性層との界面まで、層の厚さ方向において、（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムを有し、前記第１の強磁性層は、ＣｏＦｅＢを含有する磁気抵抗効果素子とする。 （もっと読む）

【課題】ＲＧＢの発光色ごとに有機ＥＬ素子の発光層を塗り分けるためのパターニング方法として、蒸着マスクを用いた真空蒸着法は表示装置の大型化に向かず、レーザー熱転写法は製造装置のコストが高いという欠点があった。
【解決手段】ガラス基板１２上にストライプ状に形成された第１電極パターン１３と、第１電極パターン１３と交差するようにガラス基板１２上にストライプ状に形成された第２電極パターン１４と、第１電極パターン１３と第２電極パターン１４の交差部に設けられた抵抗加熱層１５とを備える蒸発源１１を用いて、有機材料からなる蒸発材料層２５が形成されたガラス基板１２と素子形成用基板３とを重ね合わせて、第１電極パターン１３と第２電極パターン１４に所定の電圧を印加することにより、それらの交差部に設けられた抵抗加熱層１５に発生するジュール熱で有機材料を昇華させ、素子形成用基３板上に有機膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにより酸化物膜を形成する際に、次工程においてＣＶＤ法による薄膜形成が行われるような場合でも、基板との界面付近の酸素濃度の低下を防止して基板と酸化物膜との密着強度の低下を招くことのない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中のスパッタ室１１ａ内にスパッタガス及び反応ガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理すべき基板Ｓに対向させて配置したターゲット４１ａ乃至４１ｈに電力投入し、プラズマ雰囲気中のイオンでターゲットをスパッタリングし、反応性スパッタリングにより基板表面に所定の薄膜を形成する場合に、薄膜が所定の膜厚に達するまでの間で反応ガス成分の含有濃度が高い領域を形成する。 （もっと読む）

シーリングシステムが開示されている。１つのこのようなシーリングシステムは、第１の真空チャンバ及び第２の真空チャンバを含む。シーリングシステムは、近接端及び遠位端を有する第１のシーリングユニットを含み、第１のシーリングユニットの近接端は第１の真空チャンバ上に設置されている。シーリングシステムは遠位端及び近接端を有する第２のシーリングユニットを含み、第２のシーリングユニットの遠位端は第１のシールユニットの遠位端上に設置されており、第２のシーリングユニットの近接端は第２の真空チャンバ上に設置されている。シーリングユニットの一方は凹面形状であり、他方は凸面形状である。シーリングシステムは第１のＯリング、第２のＯリング及び第３のＯリングも含む。
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【課題】物性の優れたＩＴＯ膜をより一層向上した歩留りで成膜できるＩＴＯ焼結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、とくにバルク抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を用いることで、低抵抗かつ非晶質安定性に優れた膜が得られるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内にＩｎ₄Ｓｎ₃Ｏ₁₂からなる微細粒子が存在するＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）焼結体であって、該微細粒子が面取りされた略立方体形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。
【解決手段】
構成部品に石英製品（処理容器２、基板保持部３）を含む熱処理装置にて、当該石英製品２、３が未だ半導体基板の熱処理に使用されていない段階等において、基板保持部３に多数枚のダミー基板ＤＷを保持させて処理容器２内に搬入し、次いで、塩素を含むガスと水素とを供給し、当該反応容器２内を加熱雰囲気にして石英製品２、３をベークすることにより当該石英製品２、３中の金属を飛散させてダミー基板ＤＷに付着させ、その後、ダミー基板ＤＷを搬出する。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜質が均一な膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ターゲット１５がスパッタリングされるときに、各ターゲット１５が基板１０に対して移動するので、スパッタリングのときに基板１０の全ての領域がターゲット１５と対向することになり、基板１０の表面に膜質均一な膜を形成することができる。また、スパッタリングのときには、ターゲット１５だけではなく、磁界形成装置２５もターゲット１５に対して相対的に移動するので、ターゲット１５の広い領域がスパッタリングされる。更に、磁界形成装置２５を基板１０に対しても移動するようにすれば、ターゲット１５が多くスパッタリングされる領域が基板１０に対して移動することになり、基板１０に形成される膜の膜厚分布がいっそう均一になる。 （もっと読む）

【課題】物性の優れたＩＴＯ膜をより一層向上した歩留りで成膜できるＩＴＯ焼結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、とくにバルク抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を用いることで、低抵抗かつ非晶質安定性に優れた膜が得られるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内にＩｎ₄Ｓｎ₃Ｏ₁₂からなる微細粒子が存在するＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）焼結体であって、該微細粒子が粒子の仮想中心から放射線状に針状突起が形成された立体星状形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用される有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極を構成する金属膜を提供する。
【解決手段】Ｂａ：３０〜７０質量％を含有し、さらに酸素：０．０５〜１質量％を含有し、残部がアルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する金属膜であって、この金属膜は蒸着、スパッタ、その他の方法で成膜される。 （もっと読む）

【課題】ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率のイオン注入層と高抵抗率のエピタキシャル層と、これらの間の抵抗率が遷移する領域をシャープなものにするとともに、重金属不純物による汚染の問題が発生しないエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、Ｎ型シリコン単結晶基板に炭素イオンのみを注入して炭素イオン注入層を形成し、その後、該炭素イオン注入層を形成した前記Ｎ型シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層から前記炭素イオン注入層にかけて抵抗率が遷移する領域の厚さが、２μｍ以下となるようにすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。基板１５表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、１．３３×１０^-4Ｐａ以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。 （もっと読む）