【課題】ＩＴＯ薄膜形成に好適な高密度化と成分の均一性に優れた焼結体を得ることができる酸化錫粉末及び該粉末を用いて焼結したＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲットを提供するものであり、これによってＩＴＯ薄膜形成時に発生するノジュール等やそれに伴う薄膜の品質の低下を抑制できるＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウムターゲットを低コストで提供する。
【解決手段】粒度分布から求めたメジアン径が０．４０〜１．０μmの範囲にあり、かつ粒度分布から求めた９０％粒径が３．０μm以下の範囲にあることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化錫粉末。 （もっと読む）

【課題】バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板が載置されたディスク３が、イオンビーム１と垂直なＸ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第１の角度β₁となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。次いで、ディスク３が、Ｘ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第２の角度β₂となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

高融点金属プレートが提供される。前記プレートは、中心、板厚、端部、上面および裏面を有し、前記プレートにわたって実質的に均一な結晶組織（１００／／ＮＤ組織成分および１１１／／ＮＤ組織成分のそれぞれについて、板厚方向勾配、帯形成度およびプレート内変動によって特徴付けられる）を有する。
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【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の補給後の連続使用を行っても、被蒸着物に成膜された蒸着材料の物性が変化することを防止する。
【解決手段】少なくとも、ルツボと蒸着材料と電子ビーム発生源で構成される蒸着源と、被蒸着物間を遮蔽する遮蔽用シャッターを有する成膜装置であって、成膜終了後、成膜装置内に被蒸着物が無い状態にて所定量蒸着材料の蒸発を再度行うことを特徴とする成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】高屈折率膜と低屈折率膜との境界で剥離を起こさない光学多層膜基材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光学多層膜基材は、基材上に、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に積層した光学多層膜を形成した光学多層膜基材において、下層に位置する高屈折率膜とその上層に位置する低屈折率膜との間に、高屈折率材料と低屈折率材料とからなる混合膜を形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
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【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中でイオン液体から基板上に物質を電着または無電解沈着するための方法並びに生成される物質。本発明に従うと、イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中で、望ましくない成分を含まない緻密な層を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない化合物膜を形成することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、対向する二つのターゲット９と、これらのターゲット９の対向方向とほぼ垂直方向からターゲット９の対向空間１６に臨む高密度ラジカル源１１と、この高密度ラジカル源１１と異方向からターゲット９の対向空間１６に臨む基材ホルダ１３とを備え、各ターゲット９の背面にはそれぞれ磁石１７が配置され、これらの磁石１７によって、前記ターゲット９の対向方向に磁界を発生させるとともに、各ターゲット９に負電圧を印加して、基材ホルダ１３に設置される基材１５に化合物膜を形成するものとした。これにより本発明は、負イオンが化合物膜に衝突するのを抑制し、結晶欠陥の少ない化合物膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜３．０質量％、Ｇａ：０．０５〜２．０質量％、Ｃａ：０．００１〜０．１質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、ターゲット本体１の周囲に鍔２を有する鍔付きターゲットであって、ビッカース硬さが４０〜７０の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。
【解決手段】基板１００を加熱する加熱源１０と、基板１００を透過できない波長領域の赤外線を透過させる透過窓３０と、基板１００を透過できない波長領域を感度範囲に含み、加熱源１０により加熱された基板１００から放射され、透過窓３０を透過した赤外線を分析して基板１００の基板温度を計測する温度計測器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 アクティブチャンネルとして、酸素と、窒素と、亜鉛、錫、ガリウム、カドミウム、及びインジウムからなる群より選ばれる一つ以上の元素とを含む半導体材料を有するＴＦＴを提供する。
【解決手段】 半導体材料は、底部ゲートのＴＦＴ、最上部ゲートのＴＦＴ、他のタイプのＴＦＴに用いることができる。ＴＦＴは、エッチングによってパターン形成されて、チャンネルと金属電極の双方を作成させることができる。次に、エッチング停止層として半導体材料を用いたドライエッチングによってソース・ドレイン電極を画成することができる。アクティブ層のキャリヤ濃度、移動度、ＴＦＴの他の層との接合部は、あらかじめ決められた値に調整可能である。この調整は、窒素含有ガスと酸素含有ガスの流量比を変えること、堆積された半導体膜をアニーリングし更に／又はプラズマ処理すること、或いはアルミニウムのドーピング濃度を変えることによって達成することができる。 （もっと読む）

【課題】許容可能なコーティング速度を有し、有機材料層の上、例えば、ＯＬＥＤ層の上に、損傷のない又は損傷の少ないスパッタコーティングを与える装置及び方法を提供する。
【解決手段】コーティングチャンバと、有機材料層が堆積した基板１１０ａ，１１０ｂと、該コーティングチャンバに配置された少なくとも１つの回転可能なカソードユニットであって、少なくとも１つの回転可能なターゲット１０２と、該ターゲット１０２の少なくとも１つの表面部分の上に配置された少なくとも１つのプラズマ閉じ込めゾーンを生成するための磁石アセンブリ１０４とを含むユニットと、スパッタ粒子を散乱する散乱ゾーンと、ある比率の該スパッタされた粒子が、該基板表面に移動するのを選択的に防ぐ手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】材料の表面平坦化並びに内部構造の均一化により、物理的あるいは化学的に高品質の材料を形成できる処理法の確立を課題とする。
【解決手段】ビーカー５内にトルエン４を入れ、カバー６で封じる。このカバー６の裏面には、材料としてＳｉ基体２上に形成したポリシラン薄膜１が設置されている。そして、このポリシラン薄膜１は、ビーカー５内において溶解雰囲気であるトルエン蒸気３に暴露されることで、ポリシラン薄膜１の表面平坦化並びに内部構造均一化が化学的に誘起される。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）