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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート110と、ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット120、及びベースプレートの他面に複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石130とを備えた複数のソースユニット140と、を備え、ソースユニットは、列の方向である第1方向と、それに垂直である第2方向との間の角度において相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置100である。これにより、製造及び取扱の容易な小片ターゲットを使用しつつも均一な蒸着品質が得られ、結果的に、ディスプレイ装置の輝度を画面全体にわたって均一にしうる。 (もっと読む)


【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】
本発明は高品質な化合物薄膜または有機物薄膜を高い生産性で連続的に製造可能とするために、低ダメージで反応性の高い成膜条件を実現するプラズマ源と薄膜の製造方法を提供することを目的とする。具体的には、従来のスパッタ法におけるターゲット使用効率を改善すると共に、基材へ入射する粒子の運動エネルギーを十分緩和しても良好な膜質を得るための高密度なマグネトロンプラズマを基材近傍に生成するものである。
【解決手段】
対向した少なくとも一対の平板型マグネトロンプレートを有し、前記対向する平板型マグネトロンプレートの一方のみがスパッタカソードであることを特徴とする、プラズマ源。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が500nm〜5μmであることを特徴とする半導体装置用Al合金膜。(a)Alマトリックスの最大粒径が800nm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】基板に蒸着される膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置10は、基板Sを収容する処理チャンバ12と、基板Sを保持するステージ14と、蒸着材料を含むガスGを基板Sに噴き付ける複数のノズル16cを有する蒸着ヘッド18cとを備える。ノズル16cはY方向に沿って配列される。成膜装置10は、ノズル16cに対して相対的に基板SがY方向と交差するX方向に沿って移動するように、蒸着ヘッド18c及びステージ14の少なくとも一方を駆動する駆動装置22と、Y方向に沿った基板Sの側面SaとX方向に沿った基板Sの側面Sbとを覆う枠Fとを備える。 (もっと読む)


【課題】構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子を提供する。
【解決手段】基板はSi(100)もしくはGaAs(100)面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマCVD装置によって2層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。窒素含有量が増加するとバンドギャップが広がるので、バンドギャップの狭い下部の水素化窒化炭素からも吸収することなく白色発光を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】冷却ハースに収納するハースライナーのセット位置の位置ズレ、および傾きを抑制できる保持治具を提供する。
【解決手段】図1に示すように、蒸着材を収納するハースライナー10と、ハースライナー10を保持するための凹部が設けられた冷却ハース60と、ハースライナー10を冷却ハース60に固定するためのハースライナー保持治具30と、を備え、ハースライナー保持治具30は、冷却ハース60の底部に設置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が300nm〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】ターゲット材料をインジウムで全面接着することなく、冷却不足を解消できるバッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートの基体部21の片側表面にはリング状に蓋板部23が密着固定され、その内側に形成された溝部24には外部から冷却媒体が送液される。冷却媒体は蓋板部23の裏面に接触し、蓋板部23表面上に保持されたターゲット材料22を冷却する。基体部21の内部には圧縮変形された弾性部材26が配置され、蓋板部23の裏面に裏面側から表面側に向く膨出力を印加している。プラズマ中のイオンの衝突によりターゲット材料22に反りが生じると、膨出力により蓋板部23はターゲット材料22の反りに追従して膨出するため、蓋板部23とターゲット材料22は広い面積で接触し続け、冷却効率は低下しない。 (もっと読む)


【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第1半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第1半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第2半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第1半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 (もっと読む)


【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明の蒸着用ボート13は、凹溝17が、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝19Aと、この供給用凹溝19Aと連通する蒸発用凹溝20と、この蒸発用凹溝20と連通する拡散用凹溝19Bとで構成され、表面に供給用凹溝19Aおよび拡散用凹溝19Bが形成された領域のそれぞれの基体18の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝20が形成された領域の基体18の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝19A近傍の温度を下げ、供給用凹溝19A近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化させる。また凹溝17の端部にまで均一に蒸着材料を行き渡らせることが出来る。そしてその結果、均一な粗膜層7を形成できる。 (もっと読む)


【課題】従来に比べ高いIcを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、中間層が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いて形成されたCeO層と、CeO層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたY層とを有している酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、中間層の形成工程が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いてCeO層を形成するCeO層形成工程と、CeO層上電子ビーム蒸着法を用いてY層を形成するY層形成工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器4と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段6と、処理容器内を真空引きする真空排気系30と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段20と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段26と、処理容器を加熱する容器加熱手段14とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 (もっと読む)


【課題】省電力化かつ高速での書き込み処理が可能なメモリの多値化に適した半導体装置およびベリファイ処理を提供する。
【解決手段】半導体装置に用いるメモリセルを、酸化物半導体を用いたトランジスタと酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタをそれぞれ有する構成とし、書き込み回路を用いてデータバッファのデータをメモリセルに書き込む前に、予め各々のメモリセルの有するしきい値ばらつきを調べ、データバッファのデータに対して当該しきい値ばらつきを補正したデータが各々のメモリセルに書き込む。 (もっと読む)


【課題】ターゲット横方向に飛び出したスパッタ粒子が、プラズマ範囲外のターゲット外周部に堆積することを防止する。
【解決手段】このスパッタ装置100は、基板ホルダ400、ターゲット保持部材220、プラズマ700を発生させる電源(不図示)、イオン照射部300と、を備える。電源(不図示)は、基板10とターゲット200に高電圧を印加することで、基板10とターゲット200との間にプラズマ700を発生させる。また、イオン照射部300は、プラズマ700と異なるイオン源320から発生したイオンをターゲット200の外周部に対して照射する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第1の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第2の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたNi膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ni膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでNi膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたNi膜を除去するにあたり、硫酸を15〜25wt%、硝酸を5〜15wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ni膜を溶解、除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体材料等として有用な新規なIn−Ga−Zn系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】In、Ga、Znを含む酸化物であって、4つの層状構造を1ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれIn、Ga、Znのうち少なくとも1つを含む酸化物からなる酸化物。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


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